一种超宽带低损耗小型化微带环行器的制作方法

本技术涉及微带环行器，尤其涉及一种超宽带低损耗小型化微带环行器。

背景技术：

1、环行器是微波工程中一类重要的基础性器件，有数个端的非可逆器件，其包含由旋磁材料制成的旋磁体，由于旋磁材料在外加微波磁场与恒定直流磁场共同作用下，产生旋磁特性，使在旋磁体中传播的电磁波发生极化的旋转，从而实现单向传输高频信号能量。其广泛应用于民用通讯、微波测量、雷达、通信、电子对抗、航空航天等各种民用、军用设备中，在设备中主要用来实现天线收发共用，级间隔离、改善系统匹配等问题。随着着通信技术的发展，对环行器的要求越来越高，要求环行器超宽带、电气性能优良、尺寸小、重量轻、可靠性高。

2、目前，s-c波段倍频环形器采用嵌入式带线方式，尺寸大、不易集成。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于针对s-c波段倍频环形器采用嵌入式带线方式，尺寸大、不易集成的技术问题，提供一种新型环形器。

2、为实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：

3、一种超宽带低损耗小型化微带环行器，包含下磁路、旋磁铁氧体基片、薄膜溅射电路、陶瓷介质、温度补偿片和钐钴永磁体；所述旋磁铁氧体基片为两种不同磁距旋磁铁氧体嵌套在一起，通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，溅射的薄膜溅射电路采用双y电路结构，小y为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大y为多级阻抗匹配lc电路，二级阻抗匹配为c形，它是一段圆弧带线。

4、作为本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器优选的技术方案，所述下磁路为纯铁材质。

5、作为本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器优选的技术方案，所述旋磁铁氧体基片为两种不同磁距铁氧体嵌套在一起，两种磁距铁氧体的热膨胀系数比较接近。

6、作为本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器优选的技术方案，所述薄膜溅射电路，通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，溅射的薄膜电路采用双y电路结构，小y为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大y为多级阻抗匹配lc电路，二级阻抗匹配为c形，它是一段圆弧带线，三级、四级、五级阻抗匹配的尺寸越来越小。

7、作为本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器优选的技术方案，所述下磁路和旋磁铁氧体基片通过焊接的方式连接，下磁路和旋磁铁氧体基片焊接在同一轴线上。

8、作为本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器优选的技术方案，所述旋磁铁氧体基片、陶瓷介质、温度补偿片和钐钴永磁体采用粘接的方式实现固定。

9、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

10、1、本实用新型一种超宽带低损耗小型化微带环行器，包含下磁路、旋磁铁氧体基片、薄膜溅射电路、陶瓷介质、温度补偿片和钐钴永磁体，具有机构简单，重量轻，易装配，提高了生产效率。

11、2、本实用新型下磁路为一种纯铁材质，与旋磁铁氧体基片焊接在一起，增加旋磁铁氧体的强度，与钐钴永磁体形成磁化回路，使得环形器磁化更均；

12、3、本实用新型旋磁铁氧体基片为两种不同磁距铁氧体嵌套在一起，可实现环形器的超宽带，低损耗；两种磁距铁氧体的热膨胀系数比较接近，减小环行器在强温度冲击下出现旋磁体破裂的几率；

13、4、本实用新型薄膜溅射电路，通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，溅射的薄膜电路采用双y电路结构，小y为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大y为多级阻抗匹配lc电路，二级阻抗匹配为c形，它是一段圆弧带线，三级、四级、五级阻抗匹配的尺寸越来越小，可实现环形器的超宽带，低损耗；

14、5、本实用新型陶瓷介质选用介电常数较低，介电常数低于6，减小高介电常数带来低场损耗减小；

15、6、本实用新型所述旋磁铁氧体和钐钴永磁体之间加温度补偿片，可提高环行器的温度特性；

16、7、本实用新型钐钴永磁体为环形器提供恒定磁场，使得环形器具有环形特性。

技术特征：

1.一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其特征在于：包含下磁路、旋磁铁氧体基片、薄膜溅射电路、陶瓷介质、温度补偿片和钐钴永磁体；所述旋磁铁氧体基片为两种不同磁距旋磁铁氧体嵌套在一起，通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，溅射的薄膜溅射电路采用双y电路结构，小y为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大y为多级阻抗匹配lc电路，二级阻抗匹配为c形，它是一段圆弧带线。

2.根据权利要求1所述的一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其结构在于：所述下磁路为纯铁材质。

3.根据权利要求1所述的一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其结构在于：所述旋磁铁氧体基片为两种不同磁距铁氧体嵌套在一起，两种磁距铁氧体的热膨胀系数比较接近。

4.根据权利要求1所述的一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其结构在于：所述薄膜溅射电路，通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，溅射的薄膜电路采用双y电路结构，小y为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大y为多级阻抗匹配lc电路，二级阻抗匹配为c形，它是一段圆弧带线，三级、四级、五级阻抗匹配的尺寸越来越小。

5.根据权利要求1所述的一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其结构在于：所述下磁路和旋磁铁氧体基片通过焊接的方式连接，下磁路和旋磁铁氧体基片焊接在同一轴线上。

6.根据权利要求1所述的一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其结构在于：所述旋磁铁氧体基片、陶瓷介质、温度补偿片和钐钴永磁体采用粘接的方式实现固定。

技术总结
本技术公开了一种超宽带低损耗小型化微带环行器，其结构包括：下磁路、旋磁铁氧体基片、薄膜溅射电路、陶瓷介质、温度补偿片和钐钴永磁体。旋磁铁氧体基片为两种不同磁距旋磁铁氧体嵌套在一起，然后通过薄膜光刻技术在旋磁铁氧体基片上溅射电路，所述溅射的薄膜电路采用双Y电路结构，小“Y”为圆盘结，圆盘结中间开方形槽，大“Y”为多级阻抗匹配LC电路，二级阻抗匹配为“C”形，它是一段圆弧带线，作用是增加1/4波长匹配电路的长度，实现环形器的倍频率。与传统的环形器对比，具有超宽带、电气性能优良、尺寸小、重量轻、可靠性高的优点。可广泛用于通讯、雷达和电子对抗等领域。

技术研发人员：徐建,王伟,潘成志,徐波
受保护的技术使用者：南京拓邦微电子有限公司
技术研发日：20230720
技术公布日：2024/2/21