1.一种具有特定正面钝化结构的背接触电池，包括具有正面和背面的硅片，在硅片背面分别设置的第一半导体层和第二半导体层，在硅片正面向外依次设置的第三半导体层和减反层，其特征在于，所述第三半导体层包含向外依次设置的第一本征氢化非晶硅层、本征掺氧微晶硅层，所述减反层包含向外依次设置的掺磷氮化硅层、无掺磷氮化硅层以及氧化层。
2.根据权利要求1所述的具有特定正面钝化结构的背接触电池，其特征在于，所述第一本征氢化非晶硅层的禁带宽度在1.6-1.9ev之间，所述本征掺氧微晶硅层的禁带宽度在1.9-2.2ev之间；
3.根据权利要求1所述的具有特定正面钝化结构的背接触电池，其特征在于，所述本征掺氧微晶硅层的掺氧浓度在1018cm-3-1019cm-3之间。
4.根据权利要求1或2所述的具有特定正面钝化结构的背接触电池，其特征在于，所述第一本征氢化非晶硅层的厚度为1-2nm，所述本征掺氧微晶硅层的厚度为2-6nm；
5.根据权利要求1所述的具有特定正面钝化结构的背接触电池，其特征在于，所述掺磷氮化硅层、无掺磷氮化硅层以及氧化层的厚度比为1：（0.8-1.5）：（20-37）；
6.根据权利要求1或2所述的具有特定正面钝化结构的背接触电池，其特征在于，所述掺磷氮化硅层的折射率在1.85-2.0之间，所述无掺磷氮化硅层的折射率在2.05-2.15之间，所述氧化层的折射率在1.4-1.6之间。
7.根据权利要求1所述的具有特定正面钝化结构的背接触电池，其特征在于，所述掺磷氮化硅层的磷掺杂浓度在1018cm-3-1021cm-3之间，和/或，所述掺磷氮化硅层的磷掺杂浓度先递增后递减。
8.根据权利要求1所述的具有特定正面钝化结构的背接触电池，其特征在于，所述掺磷氮化硅层的磷掺杂浓度先递增后递减，且在沿垂直于硅片的向外方向上，对于掺磷氮化硅层的单位厚度所在区域满足：相邻的后一区域磷掺杂浓度与前一区域磷掺杂浓度的比值在0.1-10之间，其中，掺磷氮化硅层的单位厚度为3-10nm中的任一值。
9.根据权利要求8所述的具有特定正面钝化结构的背接触电池，其特征在于，所述掺磷氮化硅层的磷掺杂浓度在递增时，相邻的后一区域磷掺杂浓度与前一区域磷掺杂浓度的比值在1.5-6之间；所述掺磷氮化硅层的磷掺杂浓度在递减时，相邻的后一区域磷掺杂浓度与前一区域磷掺杂浓度的比值在0.1-0.6之间。
10.根据权利要求8所述的具有特定正面钝化结构的背接触电池，其特征在于，所述掺磷氮化硅层的磷掺杂浓度在递增时的厚度之和小于其在递减时的厚度之和。
11.根据权利要求1所述的具有特定正面钝化结构的背接触电池，其特征在于，所述第一半导体层包含隧穿氧化硅层与第一掺杂多晶硅层，所述第二半导体层包含第二本征氢化非晶硅层和第二掺杂硅层，第一掺杂多晶硅层和第二掺杂硅层中一个为n型，另一个为p型；其中，第一本征氢化非晶硅层、本征掺氧微晶硅层与隧穿氧化硅层的厚度之比为1：（1-6）：（0.5-2）；
12.一种背接触电池的制备方法，其特征在于，所述背接触电池为如权利要求1-11中任一项所述的具有特定正面钝化结构的背接触电池，且其制备方法包括：在硅片的背面依次形成第一半导体层、第二半导体层，在硅片的正面依次形成第三半导体层和减反层。
13.根据权利要求12所述的背接触电池的制备方法，其特征在于，所述第一本征氢化非晶硅层、本征掺氧微晶硅层、掺磷氮化硅层、无掺磷氮化硅层以及氧化层均通过板式pecvd方式形成，其中，
14.根据权利要求12所述的背接触电池的制备方法，其特征在于，所述在硅片的背面依次形成第一半导体层、第二半导体层的过程包括：
15.一种电池组件，其特征在于，其包括如权利要求1-11中任一项所述的具有特定正面钝化结构的背接触电池。