专利名称：InSt霍尔元件的电极的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种InSb霍尔元件的电极。
目前，InSb霍尔元件的电极均是整个电极与“十”字形敏感膜进行欧姆接触，电极与基底间是经InSb膜相接的，因此电极焊点对敏感膜有损伤，温度应力大。
本实用新型的目的是提供一种电极焊点对敏感膜无损伤且温度应力小的InSb霍尔元件的电极。
本实用新型的目的是这样实现的InSb霍尔元件的电极包括有“十”字形敏感膜和电极，电极(1)一端与“十”字形敏感膜(2)呈欧姆接触，另一端附着在基底上。
由于电极是部分与“十”字形敏感膜欧姆接触，而焊点设于非欧姆接触部分，所以电极焊点对敏感膜无损伤，另外，电极与基底接触，温度应力小。
以下结合附图详细叙述本实用新型的技术解决方案。
图1为现有InSb霍尔元件的电极的结构示意图。
图2为本发明InSb霍尔元件的电极的结构示意图。
图3为现有InSb霍尔元件的电极的结构示意图。
图4为本发明InSb霍尔元件的电极的结构示意图。
如图，InSb霍尔元件的电极包括有“十”字形敏感膜和电极，电极L一端与“十”字形敏感膜2呈欧姆接触，另一端附着在基底上。
权利要求1.一种InSb霍尔元件的电极，包括有“十”字形敏感膜和电极，其特征在于电极(1)一端与“十”字形敏感膜(2)呈欧姆接触，另一端附着在基底上。
专利摘要一种InSb霍尔元件的电极包括有“十”字形敏感膜和电极，电极一端与“十”字形敏感膜呈欧姆接触，另一端附着在基底上，这种电极在键合时对敏感膜无损伤，另外，电极与基底接触，温度应力小。
文档编号H01L43/00GK2249967SQ9523168
公开日1997年3月19日 申请日期1995年7月13日 优先权日1995年7月13日
发明者于成民, 孙仁涛, 冯桂华, 刘佩瑶, 王晓雯, 关杰, 孔海霞 申请人:机械工业部沈阳仪器仪表工艺研究所