进的铁、铜、镍等重金属杂质进行置换吸杂的目的，因此在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂包括:对所述多晶硅基体进行磷扩散，在所述硅基体表面形成磷重掺杂区域。
[0037]需要说明的是，磷吸杂为利用浓磷扩散形成重扩散层，对硅片进行吸杂，其吸杂原理包括:驰豫吸杂和分凝吸杂，其中，分凝吸杂部分是由于费米能级效应和离子成对效应而形成的在重扩散层的增强溶解；驰豫吸杂部分是由重扩散形成的位错网络，同时由于硅扩散时形成过量的自间隙原子而导致金属杂质从替位位置移动到间隙位置，导致了扩散速度的增加，从而加速磷吸杂的完成。
[0038]优选的，所述磷重掺杂区域的掺杂浓度大于1021cm_3，，包括端点值，但本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
[0039]具体的，在本发明一个优选实施例中，对所述多晶硅基体进行磷扩散，在所述硅基体表面形成磷重掺杂区域包括:将所述多晶硅基体放入扩散管内，在预设温度下通入氧气和三氯氧磷，，对所述多晶硅基体进行磷扩散，在所述硅基体表面形成磷重掺杂区域。
[0040]在上述实施例的基础上，在本发明的一个优选实施例中，所述预设温度范围为:5800C -900°C，包括端点值；氧气流量为100sccm-300sccm，包括端点值；三氯氧磷流量为800sccm-2000sccm,包括端点值；通入时间为25min_45min，包括端点值，但本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
[0041]在上述任一实施例的基础上，如图2所示，在本发明的一个实施例中，扩散吸杂完成后，对所述多晶硅基体表面进行织构化处理，制成太阳能电池包括:步骤301:对所述多晶硅基体表面进行织构化处理；步骤302:织构化处理完成后，对所述多晶硅基体进行扩散，制作PN结；步骤303:PN结制作完成后，对所述多晶硅基体进行边缘绝缘及表面磷硅玻璃去除；步骤304:边缘绝缘及表面磷硅玻璃去除完成后，在所述多晶硅基体表面形成减反射膜和制作金属电极；步骤305:减反射膜和金属电极制作完成后，进行测试分档，制成多晶娃太阳能电池。
[0042]由于织构化处理、制作PN结、边缘绝缘及表面磷硅玻璃去除、形成减反射膜、制作金属电极和测试分档为多晶硅太阳能电池的常规工艺，已为本领域人员所熟知，本发明对此不再详细赘述。
[0043]需要说明的是，在上述任一实施例的基础上，在本发明一个优选实施例中，所述多晶硅太阳能电池制作完成后，其方块电阻小于40 Ω / 口。
[0044]相应的，本发明实施例还提供了一种利用上述任一实施例所提供的制作方法制作的多晶硅太阳能电池，所述太阳能电池的方块电阻小于40 Ω /sq。
[0045]综上所述，本发明实施例所提供的多晶硅太阳能电池及其制作方法，在常规制作工艺之前，增加了酸溶液清洗和扩散吸杂两步工艺，从而可以利用酸溶液清洗去除所述多晶硅基体表面吸附的一些金属离子，避免这些金属离子在后期制作中进入硅基体内部，再利用扩散吸杂减小所述多晶硅基体内部的金属杂质离子，降低了所述多晶硅基体内部的重金属杂质离子数量，提高了所述多晶硅太阳能电池的转换效率，进而提高了所述多晶硅太阳能电池的性能。
[0046]本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
[0047]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种多晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括: 对多晶硅基体进行酸溶液清洗； 清洗完成后，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂； 扩散吸杂完成后，对所述多晶硅基体表面进行织构化处理，制成多晶硅太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述酸溶液为盐酸和氢氟酸的混合溶液，其中，所述酸溶液中氢氟酸的质量浓度为5% -20%，所述盐酸的质量浓度为5% -20%。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述酸洗时间为2min-8min，包括端点值。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法，其特征在于，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂包括: 对所述多晶硅基体进行磷扩散，在所述硅基体表面形成磷重掺杂区域。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述磷重掺杂区域的掺杂浓度大于121CnT3，包括端点值。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，对所述多晶硅基体进行磷扩散，在所述硅基体表面形成磷重掺杂区域包括: 将所述多晶硅基体放入扩散管内，在预设温度下通入氧气和三氯氧磷，对所述多晶硅基体进行磷扩散，在所述硅基体表面形成磷重掺杂区域。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述预设温度范围为:580°C-900包括端点值。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，氧气流量为100sccm-300sccm，包括端点值；三氯氧磷流量为800sccm-2000sccm，包括端点值；通入时间为25min_45min，包括端点值。
9.根据权利要求5-8任一项所述的制作方法，其特征在于，所述太阳能电池的方块电阻小于40 Ω / □ ο
10.一种多晶硅太阳能电池，其特征在于，所述多晶硅太阳能电池利用权利要求1-9任一项所述的制作方法制作而成，其方块电阻小于40 Ω / 口。
【专利摘要】本发明实施例公开了一种多晶硅太阳能电池及其制作方法，该方法包括：对多晶硅基体进行酸溶液清洗；清洗完成后，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂；扩散吸杂完成后，对所述多晶硅基体表面进行织构化处理，制成太阳能电池。本发明实施例所提供的制作方法，可以利用酸溶液清洗去除所述多晶硅基体表面吸附的一些金属离子，避免这些金属离子在后期制作中进入硅基体内部，再利用扩散吸杂减小所述多晶硅基体内部的金属杂质离子，降低了所述多晶硅基体内部的重金属杂质离子数量，提高了所述多晶硅太阳能电池的转换效率。
【IPC分类】H01L31-18, H01L21-02, H01L31-0368
【公开号】CN104733564
【申请号】CN201510049632
【发明人】张红妹, 王涛, 马红娜
【申请人】英利集团有限公司, 英利能源（中国）有限公司, 保定天威英利新能源有限公司, 河北流云新能源科技有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年1月30日