半导体设备的氦漏告警处理方法及系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种半导体设备的氦漏告警处理方法及系统。
【背景技术】
[0002]在半导体刻蚀工艺中，为提高产能，一般采用多片晶圆同时刻蚀。即将多片晶圆固定到同一托盘上，然后将托盘放入工艺腔室中的基座上进行刻蚀。由于晶圆的安装和托盘的固定大多采用人工方式来进行，如若安装不仔细，经常会出现晶圆与托盘上的安装槽之间存在一定缝隙，这样将会导致托盘中充入的氦气从缝隙中漏出，流入工艺腔室，即发生氦漏，影响工艺效果。所以，在每次刻蚀工艺开始之前，必须检测托盘的氦漏情况。
[0003]目前，在半导体工艺过程中，一旦检测到托盘发生氦漏，设备会发出氦漏告警消息，则立即终止工艺进行。当设备在自动模式下执行自动任务时，此种情况会导致问题托盘搁浅到工艺腔室中，其他后续托盘也无法进行调度，整个自动任务也相应终止并自动切换到手动模式。这时需要操作人员将问题托盘传出重新装片并检测氦漏，再重新开始一个新的自动任务来进行生产。这种传统的氦漏告警处理方法效率较低，大大延长了工艺任务完成时间，严重影响产率。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要针对现有技术的缺陷和不足，提供一种用时短、效率高的半导体设备的氦漏告警处理方法及系统。
[0005]为实现本发明目的而提供的半导体设备的氦漏告警处理方法，包括以下步骤:
[0006]S100，当检测到设备发出氦漏告警消息后，暂停工艺，执行预设的自动取片流程，将发生氦漏的托盘从工艺腔室中取出；
[0007]S200，在将所述发生氦漏的托盘从所述工艺腔室中取出后，恢复工艺，控制后续托盘按照既有路径继续调度，直至自动任务结束。
[0008]其中，所述半导体设备的氦漏告警处理方法还包括以下步骤:
[0009]S100’，在暂停工艺后且执行预设的自动取片流程之前，对所述工艺腔室进行抽真空，使所述工艺腔室的腔室压力达到本地真空。
[0010]其中，所述步骤SlOO包括以下步骤:
[0011]S110，在下位机中创建一个标志所述氦漏告警消息是否发出的数据变量，当检测到所述氦漏告警消息发出时，所述数据变量的值为true，并暂停工艺；
[0012]S120，在所述下位机中，为标记所述工艺腔室的状态的枚举变量定义一个预设值，当所述枚举变量为所述预设值时，所述工艺腔室处于有氦漏告警消息发出且工艺暂停状态；
[0013]S130，检测所述枚举变量，若所述枚举变量为所述预设值，则判断所述下位机服务已经终止；
[0014]S140，判断所述下位机服务已经终止后，读取所述数据变量的值，若所述数据变量的值为true，则执行所述预设的自动取片流程，将所述发生氦漏的托盘从所述工艺腔室中取出。
[0015]其中，所述步骤S100’包括以下步骤:
[0016]S110’，在暂停工艺后，调用下位机预设的抽腔室本地真空服务，对所述工艺腔室进行抽真空，使所述工艺腔室的腔室压力达到本地真空。
[0017]相应地，为实现本发明目的而提供的半导体设备的氦漏告警处理系统，包括告警处理模块和工艺恢复模块；
[0018]所述告警处理模块，用于当检测到设备发出氦漏告警消息后，暂停工艺，执行预设的自动取片流程，将发生氦漏的托盘从工艺腔室中取出；
[0019]所述工艺恢复模块，用于在将所述发生氦漏的托盘从所述工艺腔室中取出后，恢复工艺，控制后续托盘按照既有路径继续调度，直至自动任务结束。
[0020]其中，所述半导体设备的氦漏告警处理系统，还包括抽真空模块:
[0021]所述抽真空模块，用于在暂停工艺后且执行预设的自动取片流程之前，对所述工艺腔室进行抽真空，使所述工艺腔室的腔室压力达到本地真空。
[0022]其中，所述告警处理模块包括第一设置单元、第二设置单元、检测判断单元以及自动取片单元；
[0023]所述第一设置单元，用于在下位机中创建一个标志所述氦漏告警消息是否发出的数据变量，当检测到所述氦漏告警消息发出时，所述数据变量的值为true，并暂停工艺；
[0024]所述第二设置单元，用于在所述下位机中，为标记所述工艺腔室的状态的枚举变量定义一个预设值，当所述枚举变量为所述预设值时，所述工艺腔室处于有氦漏告警消息发出且工艺暂停状态；
[0025]所述检测判断单元，用于检测所述枚举变量，若所述枚举变量为所述预设值，则判断所述下位机服务已经终止；
[0026]所述自动取片单元，用于在判断所述下位机服务已经终止后，读取所述数据变量的值，若所述数据变量的值为true，则执行所述预设的自动取片流程，将所述发生氦漏的托盘从所述工艺腔室中取出。
[0027]其中，所述抽真空模块包括调用单元；
[0028]所述调用单元，用于在暂停工艺后，调用下位机预设的抽腔室本地真空服务，对所述工艺腔室进行抽真空，使所述工艺腔室的腔室压力达到本地真空。
[0029]本发明的有益效果:本发明的半导体设备的氦漏告警处理方法及系统，在检测到设备发出氦漏告警消息后，系统自动任务不会终止，而且自动传出发生氦漏的托盘，然后继续执行后续托盘的调度，不需要用户手动取出发生氦漏的托盘，节省了异常处理时间，大大提闻了广率。
【附图说明】
[0030]为了使本发明的半导体设备的氦漏告警处理方法及系统的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体附图及具体实施例，对本发明半导体设备的氦漏告警处理方法及系统进行进一步详细说明。
[0031]图1为本发明的半导体设备的氦漏告警处理方法的一个实施例的流程图；
[0032]图2为本发明的半导体设备的氦漏告警处理方法的另一个实施例的流程图；
[0033]图3为本发明的本发明的半导体设备的氦漏告警处理系统的一个实施例的结构图。
【具体实施方式】
[0034]本发明提供的半导体设备的氦漏告警处理方法及系统的实施例，如图1至图3所
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[0035]在半导体加工过程中，氦漏告警存在一定的特殊性和普遍性。特殊性在于它只影响当前托盘，该托盘由于某种原因产生氦漏并不意味着后续托盘也存在该问题。普遍性在于氦漏告警的引起与人为装片有很大关系，此氦漏告警在半导体刻蚀设备中时有发生。
[0036]本发明在研究了氦漏告警这一问题的特殊性和普遍性的基础上，提出了一种半导体设备的氦漏告警处理方法，如图1所示，包括以下步骤:
[0037]S100，当检测到设备发出氦漏告警消息后，暂停工艺，执行预设的自动取片流程，将发生氦漏的托盘从工艺腔室中取出；
[0038]S200，在将发生氦漏的托盘从工艺腔室中取出后，恢复工艺，控制后续托盘按照既有路径继续调度，直至自动任务结束。
[0039]采用本发明实施例提供的半导体设备的氦漏告警处理方法，检测到设备发出氦漏告警消息后，系统自动任务不会终止，而且自动传出发生氦漏的托盘，然后继续执行后续托盘的调度，不需要用户手动取出发生氦漏的托盘(即问题托盘)，节省了问题异常时间，大大提高了产率。
[0040]较佳地，作为一种可实施方式，本发明的半导体设备的氦漏告警处理方法还包括以下步骤:
[0041]S100’，在暂停工艺后且执行预设的自动取片流程之前，对工艺腔室进行抽真空，使工艺腔室的腔室压力达到本地真空。
[0042]在设备发出氦漏告警消息时，托盘中充入的氦气从缝隙中漏出，会流入工艺腔室。此时，工艺腔室中已经充入了少量氦气，如若此时打开腔室门阀，无论是手动还是自动进行传片，都可能会使一部分泄漏出来的氦气流入传输腔室中，在破坏工艺腔室环境的同时对传输腔室环境造成污染，影响工艺效果；而且，也会对外界环境造成一定的安全隐患。鉴于上述情况，在暂停工艺后对工艺腔室进行抽真空，使工艺腔室的腔室压力达到本地真空，然后再进行传片，将发生氦漏的托盘从工艺腔室中取出，可以有效避免上述情况的发生。
[0043]具体地，作为一种可实施方式，步骤SlOO包括以下步骤:
[0044]S110，在下位机中创建一个标志氦漏告警消息是否发出的数据变量，当检测到氦漏告警消息发出时，数据变量的值为true，并暂停工艺；
[0045]S120，在下位机中，为标记工艺腔室的状态的枚举变量定义一个预设值，当枚举变量为预设值时，工艺腔室处于有氦漏告警发出且工艺暂停状态；
[0046]S130，检测枚举变量，若枚举变量为预设值，则判断下位机服务已经终止；
[0047]S140，判断下位机服务已经终止后，读取数据变量的值，若数据变量的值为true，则执行预设的自动取片流程，将发生氦漏的托盘从工艺腔室中取出。
[0048]需要说明的是，上述实施例中列举的步骤，其先后顺序并不限定本发明的实施例的范围。
[0049]作为一种可实施方式，步骤S100’包括以下步骤:
[0050]S110’，在暂停工艺后，调用下位机预设的抽腔室本地真空服务，对工艺腔室进行抽真空，使工艺腔室的腔室压力达到本地真空。
[0051]为了更加清楚、明白的说明本发明提供的半导体设备的氦漏告警处理方法的实现过程及原理，结合现有的半导体加工过程，举例说明如下:
[0052]具体实施过程，如图2所示，包括以下步骤:
[0053]S10,在下位机中，创建一个标志氦漏告警消息是否发出的数据变量，命名为“HeAl