之间的空间以与之连通。可通过气体管5144将惰性气体，例如，氮气(N2)，填充到主体5141与盖5142之间的空间中，并且可通过气体管5144将所述惰性气体排空。在惰性气体的填充和排出过程中，可移除由于收集器5140中的温度升高而产生的烟雾。
[0055]冷却块5150可设置在主体5141上以冷却收集器5140，由此防止收集器5140的温度升高。冷却块5150包含设置在主体5141上的冷却构件5151以及设置在冷却构件5151中以允许制冷剂(例如，冷却剂)在其中循环的制冷剂循环管5152。此处，制冷剂循环管5152的一端连接到制冷剂供应部分。
[0056]因此，在反射光入射到收集器5140中之后在收集器5140中进行反射光的偏移和耗散过程时，尽管收集器5140因为反射光的热量而受热，但是可通过在制冷剂循环管5152中循环的制冷剂对冷却构件5151进行冷却。因此，连接到冷却构件5151的收集器5140被冷却，并且可防止收集器5140根据由于反射光所致的温度升高和温度失衡而发生的热变形。
[0057]在下文中，将参看图1到图6来描述使用根据实施例的衬底处理设备使薄膜结晶的方法。
[0058]首先，可在玻璃衬底S上形成非晶多晶薄膜11，例如，非晶多晶硅薄膜。接着，可将形成了非晶多晶硅薄膜的衬底S装载到衬底处理设备的处理室100中并接着搁置在台200上。
[0059]当衬底S搁置在台200上时，可在通过台200沿工艺进行方向水平地转移衬底S的同时将激光照射到形成在衬底S上的薄膜11上。也就是说，光源300可操作以从光源300输出光，即，激光。接着，所输出的激光在透过透射窗5120穿过光照射单元5100的光照射空间5110和气体注射单元5200的气体注射空间5410之后可经由第一狭缝5400a和第二狭缝5500a照射到形成在衬底S上的薄膜11上。因此，形成在衬底S上的非晶多晶硅薄膜可与激光反应以形成晶体硅薄膜。
[0060]如上所述，在激光束照射到衬底S上时，可将氮气N2注射到衬底S的上侧或薄膜11上。为此，当将氮气(N2)供应到设置在气体注射块5400中的气体供应单元5300中时，通过气体供应单元5300的排放狭缝将氮气(N2)供应到气体注射空间5410中。接着，供应到气体注射空间5410中的氮气(N2)可通过第一狭缝5410a和第二狭缝5500a注射到衬底S的上侧上。向衬底S的上侧排放的氮气(N2)可相对于第二狭缝5400a沿两个方向扩散。此处，存在于板5500与衬底S之间的氧气和杂质可被推向两个侧向方向。换句话说，通过第二狭缝5400a排放的惰性气体可扩散以填充板5400与衬底S之间的空间。此处，存在于板5500与衬底S之间的氧气和杂质可被氮气(N2)推到光照射模块5000和衬底S外部。
[0061]因此，因为衬底S以及形成于衬底S的顶表面上的硅薄膜11并未暴露于氧气和杂质下，所以与现有技术不同，衬底S和薄膜11可不氧化。更详细地说，因为衬底S或至少被激光照射的薄膜11并未暴露于氧气和杂质下，所以被激光照射的硅薄膜可不氧化，从而形成晶体硅薄膜。
[0062]如上所述，从光源300输出并照射到衬底S上的激光束可使薄膜11结晶并接着从衬底S再反射。此处，激光束可沿与激光入射到衬底S中的方向对称的方向向上反射，并且因此再透射穿过透射窗5120。从透射窗5120透射的激光可通过设置在透射窗5120上方的收集器5140发生偏移并且接着再反射向透射窗5120的外部，而不是反射向透射窗5120。这是因为构成收集器5140的主体5141的至少底表面可向上倾斜到透射窗的外部。
[0063]并且，在反射光入射到收集器5140中并且接着在收集器5140中偏移并耗散时，尽管收集器5140因为反射光的热量而受热，但是通过冷却块5150对收集器5140进行冷却。
[0064]像这样，在本发明中，因为收集器5140设置在透射窗5120上方并且向上倾斜到透射窗5120的外部，所以可抑制或最小化反射光的漫反射。因此，收集器5140可防止从衬底S反射并透射过透射窗5120的反射光再入射到透射窗5120中并且可将反射光朝透射窗5120的外部引导。并且，因为第二收集器5150设置在收集器5140之下，所以从收集器5140 —次偏移的反射光可通过第二收集器5150发生二次偏移以耗散反射光。因此，可防止反射光再反射向透射窗5120以抑制透射窗5120的温度升高以及由于温度升高所致的温度失衡，其中所述温度升高是由反射光造成的。因此，可抑制不均和光移位的产生。
[0065]并且，因为冷却块设置在收集器5140中以冷却收集器5140，所以可防止收集器5140由于反射光的热量所致的温度升高和温度失衡，从而防止收集器5140的热变形发生。并且，因为通过冷却块5150对收集器5140进行冷却，所以可防止像现有技术那样收集器5140周围的温度由于所述收集器的热量而升高的现象。
[0066]根据所述实施例，因为收集器设置在透射窗上方并向上倾斜到透射窗的外部，并且在收集器的底表面上形成了突出部，所以可抑制或最小化反射光的漫反射。并且，所述收集器可将所述反射光朝所述透射窗的外部引导以防止从衬底S反射的所述反射光再入射到所述透射窗中。因此，可抑制由透射窗的温度失衡和温度升高造成的不均和光移位的产生。
[0067]并且，因为冷却块设置在收集器中以冷却收集器，所以可防止收集器由于反射光的热量所致的温度升高和温度失衡，从而防止收集器的热变形发生。并且，因为通过冷却块对收集器进行冷却，所以可防止像现有技术那样收集器周围的温度由于所述收集器的热量而升高的现象。
[0068]虽然已参考特定实施例描述了所述光照射设备，但所述光照射设备不限于此。因此，所属领域的技术人员应易于理解，在不脱离由随附权利要求定义的本发明的精神和范围的情况下可对其进行各种修改和改变。
【主权项】
1.一种用于将光照射到衬底上以处理所述衬底的光照射设备，其特征在于所述光照射设备包括: 透射窗，所述光透射穿过所述透射窗； 收集器，设置在所述透射窗上方并且向上倾斜到所述透射窗的外部，所述收集器使在从所述衬底反射之后透射穿过所述透射窗的反射光偏移；以及 冷却块，在所述冷却块中制冷剂在其中循环，所述冷却块设置在所述收集器中以冷却所述收集器。
2.根据权利要求1所述的光照射设备，其特征在于所述收集器具有向上倾斜到所述透射窗的外部的至少一底表面。
3.根据权利要求1所述的光照射设备，其特征在于所述收集器包括: 主体，具有向上倾斜到所述透射窗的外部的至少一底表面，所述主体设置在所述透射窗上方以耗散通过从所述衬底反射而透射穿过所述透射窗的所述反射光；以及多个突出部，设置在所述主体的所述底表面上。
4.根据权利要求3所述的光照射设备，其特征在于所述收集器的倾斜角是锐角。
5.根据权利要求3所述的光照射设备，其特征在于所述多个突出部中的每一个具有3微米到4微米的直径。
6.根据权利要求4所述的光照射设备，其特征在于所述收集器具有10°到20°的倾斜角。
7.根据权利要求3所述的光照射设备，其特征在于所述主体包括散热器。
8.根据权利要求3所述的光照射设备，其特征在于所述收集器包括: 盖，覆盖所述主体的所述底表面以界定内部空间，所述盖允许所述光透射穿过；以及气体管，经设置以与所述主体与所述盖之间的所述空间连通，所述气体管将气体供应到所述主体与所述盖之间的所述空间中或者将气体排空。
9.根据权利要求4所述的光照射设备，其特征在于所述收集器延伸以使得所述收集器的所述底表面的一部分经设置以与所述透射窗的顶表面的上侧对应，并且所述收集器的所述底表面的其余部分经设置以与所述透射窗的外部的上侧对应。
10.根据权利要求1所述的光照射设备，其特征在于所述冷却块包括: 冷却构件，设置在所述收集器的上方部分上；以及 制冷剂循环管，设置在所述冷却构件中以允许制冷剂在其中循环。
【专利摘要】本发明提供一种用于将光照射到衬底上以处理所述衬底的光照射设备。所述光照射设备包含：透射窗，光透射穿过所述透射窗；收集器，设置在透射窗上方并且向上倾斜到透射窗的外部，收集器使在从所述衬底反射之后透射穿过透射窗的反射光偏移；以及冷却块，在冷却块中制冷剂在其中循环，冷却块设置在收集器中以冷却所述收集器。因此，根据实施例，因为收集器设置在透射窗上方并向上倾斜到透射窗的外部，并且在收集器的底表面上形成了突出部，所以可抑制或最小化反射光的漫反射。并且，收集器可将反射光朝所述透射窗的外部引导以防止从衬底S反射的反射光再入射到透射窗中。因此，可抑制由所述透射窗的温度失衡和温度升高造成的不均和光移位的产生。
【IPC分类】H01L21-67, G02F1-1333
【公开号】CN104752278
【申请号】CN201410831829
【发明人】沈亨基, 白圣焕, 金圣进, 车恩熙
【申请人】Ap系统股份有限公司, 三星显示有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年12月26日