基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明公开的实施方式涉及一种基板处理装置。
【背景技术】
[0002]以往，公知有对半导体晶圆、玻璃基板等基板进行清洗、成膜这样的各种处理的基板处理装置。
[0003]例如，在专利文献I中，公开了一种基板处理装置，该基板处理装置包括:多个液处理单元，该多个液处理单元层叠为上下两层；上层输送臂，其用于进行基板相对于上层处理单元的送入送出；以及下层输送臂，其用于进行基板相对于下层处理单元的送入送出。
[0004]专利文献1:日本特开2011-082279号公报
【发明内容】
_5] 发明要解决的问题
[0006]但是，在谋求生产率的提高这一点上，专利文献I所述的技术有进一步改善的余地。
[0007]例如，在专利文献I所述的基板处理装置中，上层输送臂的可移动范围被限定于上层处理单元的高度范围内，下层输送臂的可移动范围也被限定于下层处理单元的高度范围内。因此，例如在上层输送臂发生故障的情况下，有可能上层处理单元无法使用，生产率会降低。
[0008]实施方式的一技术方案的目的在于提供一种能够谋求生产率的提高的基板处理
目.ο
[0009]用于解决问题的方案
[0010]实施方式的一技术方案的基板处理装置包括基板输送装置和多个处理单元。多个处理单元在铅垂方向上并排地配置，用于处理基板。基板输送装置能够在铅垂方向上移动，用于进行基板相对于处理单元的送入送出。另外，基板输送装置包括第I输送臂和第2输送臂，该第I输送臂和第2输送臂在铅垂方向上并排地配置，并且，在铅垂方向上的可移动范围互相重叠且能独立地在铅垂方向上移动。
[0011]发明的效果
[0012]采用实施方式的一技术方案，能够谋求生产率的提高。
【附图说明】
[0013]图1是表示本实施方式的基板处理装置的结构的示意俯视图。
[0014]图2是表示本实施方式的基板处理装置的结构的示意侧视图。
[0015]图3是表示本实施方式的基板处理装置的结构的示意后视图。
[0016]图4是表示第2输送装置的结构的示意俯视图。
[0017]图5是表示第2输送装置的结构的示意主视图。
[0018]图6是表示以往的基板输送装置的结构的示意主视图。
[0019]图7是表示控制装置的结构的框图。
[0020]图8是表示异常应对处理的动作例的图。
[0021]图9是表示异常应对处理的动作例的图。
[0022]图10是表示对第I输送臂和第2输送臂分配处理单元的例子的图。
[0023]图11是表示变形例的基板处理装置的结构的示意俯视图。
[0024]图12是表示对第I输送臂和第2输送臂分配处理单元的另一例子的图。
【具体实施方式】
[0025]以下，参照附图，详细说明本申请公开的基板处理装置的实施方式。另外，本发明不限定于以下所示的实施方式。
[0026]图1是表示本实施方式的基板处理装置的结构的示意俯视图。在下文中，为了明确位置关系，规定互相垂直的X轴、Y轴和Z轴，Z轴正方向为铅垂向上的方向。
[0027]如图1所示，基板处理装置I包括送入送出块2和处理块3。
[0028]送入送出块2包括载置站11和第I输送区域12。载置站11载置有多个盒C，该多个盒C以水平状态容纳多张基板、在本实施方式中为多张半导体晶圆(以下称晶圆W)。
[0029]第I输送区域12与载置站11相邻地配置。第I输送区域12配置有第I输送装置20。第I输送装置20在盒C与处理块3的后述容纳部30之间输送晶圆W。
[0030]处理块3包括交接站13、两个处理站14、以及第2输送区域15。
[0031]交接站13与送入送出块2的第I输送区域12相邻地配置。交接站13配置有用于容纳晶圆W的容纳部30。
[0032]第2输送区域15与交接站13的容纳部30相邻地配置，两个处理站14分别与第2输送区域15的Y轴正方向侧以及Y轴负方向侧相邻地配置。
[0033]多个处理单元40在铅垂方向上并排地配置于各个处理站14。多个处理单元40分别对晶圆W进行规定的基板处理。在此，处理单元40对晶圆W进行使刷子接触晶圆W的清洗处理，但是处理单元40进行的基板处理的内容不限定于上述的例子。例如，多个处理单元40可以分别进行使用SCl (氨和双氧水的混合液)等化学溶液的清洗处理，也可以进行成膜处理等清洗处理以外的基板处理。
[0034]第2输送区域15配置有第2输送装置50。第2输送装置50在容纳部30和处理单元40之间进行晶圆W的输送。
[0035]另外，基板处理装置I包括控制装置4。控制装置4例如为计算机，包括控制部16和存储部17。在存储部17存储有对在基板处理装置I中执行的各种处理进行控制的程序。控制部16通过读取并执行被存储于存储部17的程序从而控制基板处理装置I的动作。
[0036]另外，还可以是，该程序记录于能够由计算机读取的存储介质，自该存储介质安装于控制装置4的存储部17。作为能够由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(⑶)、磁光盘(MO)、存储卡等。
[0037]接下来，参照图2及图3具体说明处理块3的结构。图2是表示本实施方式的基板处理装置I的结构的示意侧视图，图3是表示本实施方式的基板处理装置I的示意后视图。另外，在图2及图3中，将处理单元40记载为“SCR”。
[0038]如图2所示，容纳部30包括第I容纳部31和第2容纳部32。第I容纳部31及第2容纳部32在铅垂方向上并排地配置。
[0039]第I输送装置20能够在水平方向和铅垂方向上移动并能够以铅垂轴线为中心旋转，用于在盒C与第I容纳部31之间或在盒C与第2容纳部32之间输送晶圆W。第I输送装置20包括多个(在此为两个)晶圆保持部，能够同时输送多个晶圆W。
[0040]多个处理单元40在铅垂方向上四个并排地配置。在此，从上到下按顺序记载为处理单元41、处理单元42、处理单元43以及处理单元44。另外，在处理块3中，另一处理站14也配置有与图2所示的四个处理单元41?44同样的处理单元45?48 (参照图3)。因此，处理块3包括合计八个处理单元41?48。
[0041]如图3所示，第2输送装置50包括第I输送臂51和第2输送臂52。第I输送臂51以及第2输送臂52以从上方起为第I输送臂51、第2输送臂52的顺序在铅垂方向上并排地配置。像这样，基板处理装置I包括用于进行晶圆W相对于八个处理单元41?48的送入送出的两个输送臂(第I输送臂51和第2输送臂52)。换言之，在基板处理装置I中配置有比输送臂的总数多的处理单元41?48。
[0042]第I输送臂51和第2输送臂52能够各自独立地在水平方向上使臂伸缩、在铅垂方向上移动、以及以铅垂轴线为中心旋转，用于在容纳部30 (第I容纳部31或第2容纳部32)与处理单元41?48之间输送晶圆W。
[0043]第I输送臂51以及第2输送臂52这两者的两侧配置有一对支柱构件53a、53b。一对支柱构件53a、53b自第2输送区域15的下部沿铅垂方向延伸到上部。而且，在第2输送区域15的上部设有能够容纳第I输送臂51的退避空间SI，在第2输送区域15的下部设有能够容纳第2输送臂52的退避空间S2。退避空间SI设于比最上层的处理单元41、45靠上方的位置，退避空间S2设于比最下层的处理单元44、48靠下方的位置。
[0044]在此，本实施方式的第2输送装置50以第I输送臂51在铅垂方向上的可动范围与第2输送臂52在铅垂方向上的可动范围互相重叠的方式构成。
[0045]参照图4及图5具体说明该第2输送装置50的结构。图4是表示第2输送装置50的结构的示意俯视图，图5是表示第2输送装置50的结构的示意主视图。
[0046]如图4和图5所示，第2输送装置50包括:第I输送臂51、第2输送臂52、一对支柱构件53a、53b、第I升降机构54a、第2升降机构54b、第I驱动源55a、第2驱动源55b、第I连接部56a、以及第2连接部56b。
[0047]第I输送臂51和第2输送臂52包括:能绕铅垂轴线旋转的旋转部、能够在水平方向上进退的臂部、以及设于臂部的顶端的晶圆保持部。第I输送臂51和第2输送臂52包括多个(在此为两个)晶圆保持部。具体而言，第I输送臂51包括两个臂部51a、51b，第2输送臂52也包括两个臂部52a、52b。
[0048]第I升降机构54a设于一支柱构件53a，第2升降机构54b设于另一支柱构件53b。第I输送臂51借助第I连接部56a连接于第I升降机构54a，第2输送臂52借助第2连接部56b连接于第2升降机构54b。
[0049]具体而言，如图5所示，第I升降机构54a包括:第I带轮541a，其配置于支柱构件53a的上部；第2带轮542a，其配置于支柱构件53a的下部；以及带543a，其架设于第I带轮541a和第2带轮542a。
[0050]第2带轮542a连接有图4所示的第I驱动源55a，带543a连接有第I连接部56a。第I升降机构54a如上所述构成，将在第I驱动源55a作用下的旋转运动转换为直线运动，从而使第I输送臂51在铅垂方向上移动。
[0051]第2升