光照射设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光照射设备，并且更明确地说涉及能够抑制透射窗温度升高的光照射设备，所述温度升高是由于从衬底反射的光造成的透射窗温度失衡所致。
【背景技术】
[0002]在液晶显示器和光伏装置的制造中，涉及到用于使非晶多晶薄膜(例如，非晶多晶硅薄膜)结晶的热处理工艺。此处，如果使用玻璃作为衬底，那么可通过使用激光来使非晶多晶薄膜结晶。然而，当非晶多晶薄膜与氧气(O2)反应时，非晶多晶薄膜可能会被氧化而产生氧化物薄膜并且还被杂质污染或者造成性质改变。
[0003]根据现有技术的激光衬底处理设备包含:处理室10，具有对衬底I进行处理的内部空间；台2，设置在处理室10中以沿工艺进行方向来移动置于其上的衬底；透射窗40，设置在处理室10的上方部分上以允许激光8透射穿过；光源30，在处理室10的外部设置在透射窗40的上方部分处以输出激光8 ;以及收集器50，在处理室10的外部设置在透射窗40上方以吸收从衬底I反射并透射穿过透射窗40的反射光(见图7)。
[0004]从光源30输出并接着照射到衬底I中的激光61可沿与激光61入射的方向对称的相反方向(即，沿向上方向(激光62))反射并再透射穿过透射窗40，并且接着入射到设置在透射窗40上方的收集器50中。此处，激光可能会通过收集器50而部分偏移，但是不会完全耗散。激光可能会被收集器50再反射并接着入射到透射窗40中。因为反射光重复地入射到透射窗40中而使透射窗40的温度不断升高，所以透射窗40可能会具有不均匀的温度。因此，当激光透射穿过透射窗40并接着照射到衬底I上以进行结晶工艺时，可能会产生不均(Mura)。
[0005]并且，因为激光被重复地吸收到收集器50中，所以收集器50可能会温度升高。因此，收集器50的周边部分可能会温度升高并且可能会热变形。这可能是使照射到衬底I上的激光束移位的因素。
[0006](专利文件I)第2011-0071591号韩国专利公开
【发明内容】
[0007]本发明提供一种能够抑制透射窗温度升高的光照射设备，所述温度升高是由于经衬底反射的光造成的透射窗温度失衡所致。
[0008]本发明还提供一种用于防止从衬底反射的光再反射到透射窗中并且防止收集器的温度失衡和温度升高发生的光照射设备。
[0009]根据示范性实施例，一种用于将光照射到衬底上以处理所述衬底的光照射设备包含:透射窗，所述光透射穿过所述透射窗；收集器，设置在所述透射窗上方并且向上倾斜到所述透射窗的外部，所述收集器使在从所述衬底反射之后透射穿过所述透射窗的反射光偏移；以及冷却块，在所述冷却块中制冷剂在其中循环，所述冷却块设置在所述收集器中以冷却所述收集器。
[0010]所述收集器可具有向上倾斜到所述透射窗的外部的至少一底表面。
[0011]所述收集器可包含:主体，具有向上倾斜到所述透射窗的外部的至少一底表面，所述主体设置在所述透射窗上方以耗散通过从所述衬底反射而透射穿过所述透射窗的所述反射光；以及多个突出部，设置在所述主体的所述底表面上。
[0012]所述收集器的倾斜角可为锐角。
[0013]所述多个突出部中的每一个可具有约3微米到约4微米的直径。
[0014]所述收集器可具有约10°到约20°的倾斜角。
[0015]所述主体可包含散热器。
[0016]所述收集器可包含:盖，覆盖所述主体的所述底表面以界定内部空间，所述盖允许所述光透射穿过；以及气体管，经设置以与所述主体与所述盖之间的所述空间连通，所述气体管将气体供应到所述主体与所述盖之间的所述空间中或者将气体排空。
[0017]所述收集器可延伸以使得所述收集器的所述底表面的一部分经设置以与所述透射窗的顶表面的上侧对应，并且所述收集器的所述底表面的其余部分经设置以与所述透射窗的外部的上侧对应。
[0018]所述冷却块可包含:冷却构件，所述冷却构件设置在所述收集器的上方部分上；以及制冷剂循环管，所述制冷剂循环管设置在所述冷却构件中以允许制冷剂在其中循环。
【附图说明】
[0019]可结合附图从以下描述更详细地理解示范性实施例。
[0020]图1是根据实施例的衬底处理设备的截面图。
[0021]图2是从正面观看时的根据实施例的衬底处理设备的光照射模块的三维切开图。
[0022]图3是根据实施例的衬底处理设备的正视截面图。
[0023]图4是从上方观看时的根据实施例的第一和第二收集器的三维视图。
[0024]图5是沿图4中的A' -A"线截取的第一和第二收集器的截面图。
[0025]图6是从下侧观看时的根据实施例的收集器的一部分的三维视图。
[0026]图7是一般衬底处理设备的框图。
【具体实施方式】
[0027]下文中，将参看附图详细描述特定实施例。然而，本发明可按不同形式体现且不应视为限于本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例以使得本发明将为详尽且完整的，且将向所属领域的技术人员全面地传达本发明的范围。
[0028]图1是根据实施例的衬底处理设备的截面图，图2是从正面观看时的根据实施例的衬底处理设备的光照射模块的三维切开图，图3是根据实施例的衬底处理设备的正视截面图，图4是从上方观看时的根据实施例的第一和第二收集器的三维视图，图5是沿图4中的A' -A"线截取的第一和第二收集器的截面图，以及图6是从下侧观看时的根据实施例的收集器的一部分的三维视图。
[0029]根据本发明的实施例的衬底处理设备可为用于将光照射到衬底S上以对衬底S进行热处理且由此使形成在衬底S上的薄膜11结晶的热处理设备或光照射设备。
[0030]参看图1到图3，根据实施例的衬底处理设备包含:处理室100，具有在其中对衬底S进行处理的内部空间；台200，设置在处理室100中以将衬底S放置在其上，台200沿工艺进行方向来水平地转移衬底S ;光源，设置在处理室100的外部以输出用于处理衬底S的光，例如，激光；以及光照射模块5000，包含设置在处理室100的上方壁的一部分中的透射窗5120以允许从光源300发出的光透射穿过，其中光照射模块5000将透射穿过透射窗5120的光引导到衬底S上并且将惰性气体注射到光照射到其上的衬底S上。
[0031]虽然根据实施例的处理室100可具有截面是矩形的箱形状，但是本发明不限于此。举例来说，处理室100可改变为与衬底S的形状对应的各种形状。举例来说，由石英形成的透射窗5120可设置在处理室100的上方壁中。透射窗5120可设置在处理室的上方壁的一部分中以覆盖光照射模块5000的上方部分。当然，虽然透射窗5120设置在处理室100的上方壁中以覆盖光照射模块5000的上方部分，但是本发明不限于此。举例来说，透射窗5120可设置在从光源300发出的光被引导到光照射模块5000中的任何位置处。
[0032]虽然处理室100具有密封结构，但是氧气(O2)或杂质可能存在于处理室100中。此处，氧气(O2)使形成在衬底S上的薄膜11氧化。并且，杂质可能是在处理期间产生的颗粒粉末或气态副产物或者其它污染物。杂质可能会降低薄膜11的质量或改变薄膜11的性质，而成为缺陷的主要因素。
[0033]为了解决由于氧气(O2)和杂质渗透到衬底S的上方部分中所致的限制，光照射模块5000可将惰性气体注射到衬底S的上侧中以在激光照射到其上的衬底S的区域的上侧中产生惰性气体氛围。光照射模块5000可被称作“部分脱氧模块(OPDM) ”。
[0034]光照射模块5000可包含:光照射单元5100，设置在处理室100内并且具有从光源300输出的激光从中穿过的内部空间；以及气体注射单元5200，安装在光照射单元5100之下并且在光照射单元5100与衬底S之间以将惰性气体注射到衬底S上。
[0035]光照射单元5100包含:主体5100a，具有光从中透射穿过的内部空间；第二主体5100b，连接到或安装在主体5100a的下方部分上并且具有与主体5100a的内部空间垂直地连通的内部空间；透射窗5120，设置在主体5100a的上方部分中以允许从光源300发出的光透射穿过；切割器5130，在处理室100的外部设置在光源300与透射窗5120之间并且相对于光的照射方向倾斜设置以切断或遮挡光的一部分，即，从光源300朝透射窗5120发出的激光束；收集器5140，在处理室100的外部设置在透射窗5120上方并且从透射窗5120的中心轴向上并向外倾斜设置以使通过从衬底S反射而透射穿过透射窗5120的反射光(或反射射束)发生一次偏移；以及冷却块，设置在收集器5140上以冷却收集器5140。
[0036]此处，在第一主体5100a和第二主体5100b中的每一个中界定的内部空间可沿衬底S的一个方向延伸。举例来说，所述内部空间可沿与衬底S的转移方向交叉的方向延伸。透射窗5120可设置在主体5100a的上方部分中以与主体5100a的内部空间的上侧对应，以密封或封闭主体5100a的敞开上侧。
[0037]并且，切割器513