柔性oled及其制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性0LED及其制作方法。
【背景技术】
[0002] 有机发光二级管显示装置（Organic Light Emitting Diode，0LED)，具有自发光、 驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽， 可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显 示方式，开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛地应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视 等。0LED与传统的液晶显示器不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板， 当有电流通过时，这些有机材料就会发光。
[0003] 请参阅图1，为一种现有的柔性0LED的剖面结构示意图，包括基板100、间隔设于 所述基板100上的第一栅极210、及第二栅极220、设于所述第一栅极210、第二栅极220、及 基板100上的栅极绝缘层300、位于所述第一栅极210上方设于所述栅极绝缘层300上的 第一半导体层410、位于所述第二栅极220上方设于所述栅极绝缘层300上的第二半导体 层420、设于所述第一半导体层410、第二半导体层420、及栅极绝缘层300上的蚀刻阻挡层 500、设于所述蚀刻阻挡层500上的第一源极610、第一漏极620、第二源极630、与第二漏极 640、设于所述第一源极610、第一漏极620、第二源极630、第二漏极640、及蚀刻阻挡层500 上的层间绝缘层700、设于所述层间绝缘层700上的平坦层800、设于所述平坦层800上的 第一电极900、设于所述第一电极900与平坦层800上的具有开口的像素定义层1000、于所 述像素定义层1000的开口内设于所述第一电极900上的发光层1100、设于所述像素定义层 1000与发光层1100上的第二电极1200、设于所述第二电极1200上的干燥剂层1300、及设 于所述干燥剂层13000与像素定义层1000上的封装薄膜1400。
[0004] 所述第一源极610接触第一半导体层410与第二栅极220,所述第一漏极610接触 第一半导体层410,所述第二源极630接触第二半导体层420,所述第二漏极640接触第二 半导体层420。所述第一栅极210、第一半导体层410、第一源极610、及第一漏极620构成 开关TFT T10,所述第二栅极220、第二半导体层420、第二源极630、及第二漏极640构成驱 动TFT T20。所述第一电极900接触所述第二源极630。所述像素定义层1000的开口暴露 出部分第一电极900。
[0005] 所述第一电极900作为像素电极即0LED的阳极，第二电极1200作为0LED的阴极。 通常所述第二电极1200的厚度较薄，尤其是在顶发光型0LED中，需制作透明阴极，因此需 要更薄的第二电极1200。然而，在第二电极1200较薄的情况下，电阻较大，导电能力较弱， 针对大尺寸0LED显示器有可能造成各个像素的电压不均，影响显示的均一性，出现亮度不 均（mura)等问题。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于提供一种柔性0LED，能够减小第二电极的电阻，增强导电能力， 使得各个像素的电压均匀，改善显示均一性，并可减薄第二电极，节省第二电极的材料。
[0007] 本发明的目的还在于提供一种柔性OLED的制作方法，由该方法制作的柔性OLED 能够减小第二电极的电阻，增强导电能力，使得各个像素的电压均匀，改善显示均一性，并 可减薄第二电极，节省第二电极的材料。
[0008] 为实现上述目的，本发明提供一种柔性OLED，包括TFT基板，设于所述TFT基板上 的第一电极及像素定义层，所述像素定义层具有开口以暴露出部分第一电极；
[0009] 有机发光层，所述有机发光层对应所述像素定义层的开口设于所述第一电极上；
[0010] 第二电极，所述第二电极设于有机发光层与像素定义层上；
[0011] 辅助导电层，所述辅助导电层覆盖第二电极；
[0012] 干燥剂层，所述干燥剂层设于辅助导电层上；及
[0013] 封装薄膜，所述封装薄膜设于干燥剂层与像素定义层上。
[0014] 所述第二电极的方块电阻数值范围为0. 1~100 〇 / 口。
[0015] 所述第二电极的厚度为丨〇~1000 A。
[0016] 所述辅助导电层的材料为导电银胶、纳米银线、或石墨烯。
[0017] 所述辅助导电层呈网格状。
[0018] 本发明还提供一种柔性OLED的制作方法，包括如下步骤：
[0019] 步骤1、首先提供一 TFT基板，在所述TFT基板上依次形成像素电极、及具有开口以 暴露出部分第一电极的像素定义层；
[0020] 接着对应所述像素定义层的开口在所述第一电极上形成有机发光层；
[0021] 然后在有机发光层与像素定义层上形成第二电极；
[0022] 步骤2、在所述第二电极上形成覆盖该第二电极的辅助导电层；
[0023] 步骤3、在所述辅助导电层上填充干燥剂层；
[0024] 步骤4、在所述干燥剂层、及像素定义层上形成封装薄膜。
[0025] 所述步骤2通过涂布、喷墨印刷、或沉积的方式形成所述辅助导电层。
[0026] 所述辅助导电层的材料为导电银胶、纳米银线、或石墨烯。
[0027] 所述第二电极的方块电阻数值范围为0. 1~100 〇 / □;所述第二电极的厚度为 io~ioooA。
[0028] 所述辅助导电层呈网格状。
[0029] 本发明的有益效果：本发明提供的一种柔性0LED，通过在第二电极上覆盖辅助导 电层，能够减小第二电极的电阻，增强导电能力，使得各个像素的电压均匀，改善显示均一 性，并可减薄第二电极，节省第二电极的材料。本发明提供的一种柔性OLED的制作方法，通 过在第二电极上形成覆盖该第二电极的辅助导电层，能够减小第二电极的电阻，增强导电 能力，使得各个像素的电压均匀，改善显示均一性，并可减薄第二电极，节省第二电极的材 料。
[0030] 为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细 说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【附图说明】
[0031] 下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案 及其它有益效果显而易见。
[0032] 附图中，
[0033] 图1为一种现有的柔性OLED的剖面结构示意图；
[0034] 图2为本发明的柔性OLED的剖面结构示意图；
[0035] 图3为本发明的柔性OLED中辅助导电层的一种实施方式的平面俯视示意图；
[0036] 图4为本发明的柔性OLED的制作方法的流程图；
[0037] 图5为本发明的柔性OLED的制作方法的步骤1的示意图；
[0038] 图6为本发明的柔性OLED的制作方法的步骤2的示意图；
[0039] 图7为本发明的柔性OLED的制作方法的步骤3的示意图；
[0040] 图8为本发明的柔性OLED的制作方法的步骤4的示意图。
【具体实施方式】
[0041] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施 例及其附图进行详细描述。
[0042] 请参阅图2,本发明首先提供一种柔性OLED，包括TFT基板TS、设于所述TFT基板 TS上的第一电极9及像素定义层10、有机发光层11、第二电极12、辅助导电层13、干燥剂层 14、以及封装薄膜15。
[0043] 具体地，所述TFT基板TS包括基板1、间隔设于所述基板1上的第一栅极21、及第 二栅极22、设于所述第一栅极21、第二栅极22、及基板1上的栅极绝缘层3、位于所述第一 栅极21上方设于所述栅极绝缘层3上的第一半导体层41、位于所述第二栅极22上方设于 所述栅极绝缘层3上的第二半导体层42、设于所述第一半导体层41、第二半导体层42、及栅 极绝缘层3上的蚀刻阻挡层5、设于所述蚀刻阻挡层5上的第一源极61、第一漏极62、第二 源极63、与第二漏极64、设于所述第一源极61、第一漏极62、第二源极63、第二漏极64、及 蚀刻阻挡层5上的层间绝缘层7、及设于所述层间绝缘层7上的平坦层8。
[0044] 所述第一电极9设于所述平坦层8上，所述像素定义层10具有开口 101，暴露出 部分第一电极9,以定义出像素区的形状。
[0045] 所述第一源极61接触第一半导体层41与第二栅极22,所述第一漏极61接触第一 半导体层41，所述第二源极63接触第二半导体层42,所述第二漏极64接触第二半导体层 42;所述第一栅极21、第一半导体层41、第一源极61、及第一漏极62构成开关TFT T1，所述 第二栅极22、第二半导体层42、第二源极63、及第二漏极64构成驱动TFT T2 ;所述第一电 极9接触所述第二源极63。进一步地，所述第一源极61、第一漏极62分别经由贯穿钝化层 5的第一过孔51、第二过孔52接触所述第一半导体层41，所述第二源极63、第二漏极64分 别经由贯穿钝化层5的第三过孔53、第四过孔54接触所述第二半导体层42,所述第一源极 61经由贯穿钝化层5与栅极绝缘层3的第五过孔35接触所述第二栅极22,所述第一电极 9经由贯穿平坦层8与层间绝缘层7的第六过孔87接触所述第二源极63。
[0046] 所述第一半导体层41与第二半导体层42的材料为多晶硅半导体、或金属氧化物 半导体，如铟镓锌氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZ0)半导体等；
[0047] 所述第一栅极21、第二栅极22、第一源极61、第一漏极62、第二源极63、与第二漏 极64的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合；
[0048] 所述栅极绝缘层3与层间绝缘层7的材料为氮化硅、氧化硅、或二者的组合；
[0049] 所述第一电极9为像素电极，通常用作OLED的阳极，选用氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO)等为材料。
[0050] 所述有机发光层11对应所述像素定义层10的开口 101设于所述第一电极9上。
[0051] 所述第二电极12设于有机发光层11与像素定义层10上。该第二电极12通常用 作0LED的阴极。
[0052] 所述辅助导电层13覆盖第二电极12。优选的，所述辅助导电层13呈如图3所示 的网格状。所述辅助导电层13的材料为导电银胶、纳米银线、或石墨烯，所谓纳米银线是指 具有纳米级别银线导电网格的透明的导电薄膜，纳米银线的线宽约为50nm。
[0053] 所述干燥剂层14设