上具有140°或超过140°的光束角。2.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括: 保形涂层，覆盖所述透明衬底的所述第二表面， 其中穿过所述第二表面发射的光穿过所述保形涂层放出。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中所述透明衬底与所述保形涂层的总厚度在225微米到600微米范围内。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中所述透明衬底具有150微米到400微米的厚度。5.根据权利要求3所述的发光二极管，其中所述保形涂层具有20微米到200微米的厚度。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述透明衬底具有225微米到400微米的厚度。7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光二极管，还包括: 在所述第一导电型半导体层上彼此分隔开的多个凸台，每一所述凸台包括所述作用层和所述第二导电型半导体层。8.根据权利要求7所述的发光二极管，还包括: 反射电极，分别置于所述多个凸台上并与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触；以及 电流扩展层，覆盖所述多个凸台和所述第一导电型半导体层并具有分别置于所述多个凸台的上部区域中同时使所述反射电极暴露的开口，所述电流扩展层与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触并与所述多个凸台隔绝， 其中通过所述开口，所述第一衬垫电连接到所述电流扩展层并且所述第二衬垫电连接到所述反射电极。9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中所述多个凸台具有在一个方向上延伸的细长形状并彼此平行安置。10.根据权利要求8所述的发光二极管，其中所述电流扩展层包括反射金属。11.根据权利要求8所述的发光二极管，其中每一所述反射电极包括反射金属层和阻挡金属层，所述阻挡金属层覆盖所述反射金属层的上表面和侧表面。12.根据权利要求8所述的发光二极管，还包括: 上部绝缘层，覆盖所述电流扩展层的至少一部分并包含使所述反射电极暴露的开口， 其中所述第二衬垫电连接到通过所述上部绝缘层的开口暴露的所述反射电极。13.根据权利要求8所述的发光二极管，还包括: 下部绝缘层，置于所述多个凸台与所述电流扩展层之间并且将所述电流扩展层与所述多个凸台隔绝， 其中所述下部绝缘层包括分别置于所述凸台的上部区域中并使所述反射电极暴露的开口。14.根据权利要求13所述的发光二极管，其中所述电流扩展层的每一开口具有比所述下部绝缘层的开口大的宽度，从而允许所述下部绝缘层的对应开口通过其被完全地暴露。15.根据权利要求14所述的发光二极管，还包括: 上部绝缘层，覆盖所述电流扩展层的至少一部分并包含使所述反射电极暴露的开口， 所述上部绝缘层覆盖所述电流扩展层的开口的侧壁。16.根据权利要求13所述的发光二极管，其中所述下部绝缘层为反射介电层。17.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述侧表面倾斜，使得所述第一表面的面积大于所述第二表面的面积。18.—种发光二极管，包括: 透明衬底，具有第一表面、第二表面和将所述第一表面与所述第二表面连接的侧表面； 第一导电型半导体层，置于所述透明衬底的所述第一表面上； 第二导电型半导体层，置于所述第一导电型半导体层上； 作用层，置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间； 第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及 第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层， 其中在所述作用层中产生的光穿过所述透明衬底的所述第二表面放出，并且所述透明衬底具有225微米到400微米的厚度。19.一种发光二极管，包括: 透明衬底，具有第一表面、第二表面和将所述第一表面与所述第二表面连接的侧表面； 第一导电型半导体层，置于所述透明衬底的所述第一表面上； 第二导电型半导体层，置于所述第一导电型半导体层上； 作用层，置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间； 第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层； 第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层；以及 保形涂层，覆盖所述透明衬底， 其中在所述作用层中产生的光穿过所述保形涂层放出，并且所述透明衬底与所述保形涂层的总厚度在225微米到600微米范围内。20.根据权利要求19所述的发光二极管，其中所述透明衬底具有150微米到400微米的厚度。21.—种照明模块，包含多个发光二极管，至少一个所述发光二极管包括: 透明衬底，具有第一表面、第二表面和将所述第一表面与所述第二表面连接的侧表面； 第一导电型半导体层，置于所述透明衬底的所述第一表面上； 第二导电型半导体层，置于所述第一导电型半导体层上； 作用层，置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间； 第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及 第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层， 其中在所述作用层中产生的光经由所述透明衬底的所述第二表面穿过所述透明衬底放出，并且至少一个所述发光二极管在其至少一个轴向方向上具有140°或超过140°的光束角。22.根据权利要求21所述的照明模块，其中所述透明衬底具有225微米到400微米的厚度。23.根据权利要求21所述的照明模块，其中至少一个所述发光二极管还包括覆盖所述透明衬底的所述第二表面的保形涂层，并且所述透明衬底与所述保形涂层的总厚度在225微米到600微米范围内。24.—种照明设备，包括根据权利要求21到23中任一项所述的照明模块。25.一种背光单元，包括多个发光二极管，至少一个所述发光二极管包括: 透明衬底，具有第一表面、第二表面和将所述第一表面与所述第二表面连接的侧表面； 第一导电型半导体层，置于所述透明衬底的所述第一表面上； 第二导电型半导体层，置于所述第一导电型半导体层上； 作用层，置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间； 第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及 第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层， 其中在所述作用层中产生的光经由所述透明衬底的所述第二表面穿过所述透明衬底放出，并且至少一个所述发光二极管在其至少一个轴向方向上具有140°或超过140°的光束角。26.根据权利要求25所述的背光单元，其中所述透明衬底具有225微米到400微米的厚度。27.根据权利要求25所述的背光单元，其中至少一个所述发光二极管包括覆盖所述透明衬底的所述第二表面的保形涂层，并且所述透明衬底与所述保形涂层的总厚度在225微米到600微米范围内。28.根据权利要求27所述的背光单元，其中所述保形涂层具有20微米到200微米的厚度。29.—种发光二极管，包括: 透明衬底，具有第一表面、第二表面和将所述第一表面与所述第二表面连接的侧表面； 第一导电型半导体层，置于所述透明衬底的所述第一表面上； 第二导电型半导体层，置于所述第一导电型半导体层上； 作用层，置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间； 第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及 第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层， 其中在所述作用层中产生的光经由所述透明衬底的所述第二表面穿过所述透明衬底放出，并且所述透明衬底具有至少一个锐角。30.根据权利要求29所述的发光二极管，其中所述透明衬底具有100微米到400微米的厚度。31.根据权利要求30所述的发光二极管，其中包含至少一个锐角的多边形形状是三角形形状、平行四边形形状或五边形形状。32.根据权利要求29所述的发光二极管，其中所述透明衬底为蓝宝石衬底。33.根据权利要求32所述的发光二极管，其中所述透明衬底具有平行四边形形状并且所述透明衬底的侧表面由一组m型平面构成。34.根据权利要求29所述的发光二极管，还包括: 反射电极，置于所述第二导电型半导体层上并反射在所述作用层中产生的光。35.根据权利要求29到34中任一项所述的发光二极管，其中所述作用层和所述第二导电型半导体层限制性地置于所述第一导电型半导体层的上部区域内，使得所述第一导电型半导体层的上表面沿着所述衬底的边缘暴露。36.根据权利要求35所述的发光二极管，还包括: 电流扩展层，将所述第一衬垫连接到所述第一导电型半导体层， 其中所述第一衬垫和所述第二衬垫置于所述第二导电型半导体层上面。37.根据权利要求36所述的发光二极管，其中所述电流扩展层包括反射金属。38.根据权利要求36所述的发光二极管，还包括: 下部绝缘层，将所述电流扩展层与所述反射电极隔绝，所述下部绝缘层包括使所述第一导电型半导体层暴露的开口， 其中所述电流扩展层通过所述下部绝缘层的开口连接到所述第一导电型半导体层。39.根据权利要求38所述的发光二极管，其中所述开口分别沿着所述衬底的边缘呈细长形状安置，并且与其它角部分相比，在所述至少一个锐角部分彼此分隔开得更远。40.根据权利要求38所述的发光二极管，其中所述开口包括沿着所述衬底的边缘彼此分隔开的多个孔洞，并且所述孔洞之间的距离随着所述孔洞接近所述至少一个锐角部分而增加。41.根据权利要求29所述的发光二极管，其中所述侧表面倾斜，使得所述第一表面的面积大于所述第二表面的面积。42.根据权利要求29所述的发光二极管，还包括: 保形涂层，覆盖所述衬底的所述第二表面。43.根据权利要求42所述的发光二极管，其中所述透明衬底与所述保形涂层的总厚度在225微米到600微米范围内。44.一种照明设备，包括多个发光二极管，至少一个所述发光二极管包括: 透明衬底，具有第一表面、第二表面和将所述第一表面与所述第二表面连接的侧表面； 第一导电型半导体层，置于所述透明衬底的所述第一表面上； 第二导电型半导体层，置于所述第一导电型半导体层上； 作用层，置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间； 第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及 第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层， 其中在所述作用层中产生的光经由所述透明衬底的所述第二表面穿过所述透明衬底放出，并且所述透明衬底具有包含至少一个锐角的多边形形状。45.根据权利要求44所述的照明设备，其中所述透明衬底具有100微米到400微米的厚度。46.根据权利要求44所述的照明设备，其中包含至少一个锐角的所述多边形形状是三角形形状、平行四边形形状或五边形形状。47.根据权利要求46所述的照明设备，其中所述透明衬底具有平行四边形形状并且所述透明衬底的侧表面由一组m型平面构成。48.根据权利要求47所述的照明设备，其中至少一个所述发光二极管还包括覆盖所述透明衬底的所述第二表面的保形涂层，并且所述透明衬底与所述保形涂层的总厚度在225微米到600微米范围内。49.一种发光二极管，包括: 第一导电型半导体层，置于具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底的所述第一表面上； 凸台，包含依序堆叠在所述第一导电型半导体层上的作用层和第二导电型半导体层，所述凸台在平面图中具有包含锐角和钝角的多边形形状并且使所述第一导电型半导体层暴露于其外部； 下部绝缘层，覆盖所述凸台并包含与所述凸台的外侧相邻放置并使所述第一导电型半导体层暴露的多个第一开口和使所述第二导电型半导体层的上表面暴露的第二开口； 第一衬垫，通过所述第一开口电连接到所述第一导电型半导体层； 第二衬垫，通过所述第二开口电连接到所述第二导电型半导体层； 其中靠近所述凸台的所述锐角放置的所述第一开口之间的距离大于靠近所述凸台的所述钝角放置的所述第一开口之间的距离。50.根据权利要求49所述的发光二极管，其中靠近所述凸台的所述锐角放置的所述第一开口之间的距离大于或等于电流扩展长度，并且靠近所述钝角放置的所述第一开口之间的距离小于或等于所述电流扩展长度。
【专利摘要】揭露一种发光二极管和其应用。所述发光二极管包含：透明衬底，具有第一表面、第二表面以及侧表面；第一导电型半导体层，位于所述透明衬底的所述第一表面上；第二导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上；作用层，位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层。此外，由所述作用层产生的光通过所述透明衬底的所述第二表面发射到所述透明衬底外部，并且所述发光二极管在至少一个轴向方向上具有至少140度的光束角。因此，可以提供一种适合于背光单元或表面照明设备的发光二极管。
【IPC分类】H01L33/36, H01L33/20, H01L33/44
【公开号】CN105074941
【申请号】CN201380072266
【发明人】蔡钟炫, 李俊燮, 卢元英, 姜珉佑, 张锺敏, 金贤儿, 徐大雄
【申请人】首尔伟傲世有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2013年10月22日
【公告号】DE112013005849T5, US20150270442, US20150287888, WO2014088201A1