发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种发光装置，且特别是有关于一种发光装置。
【背景技术】
[0002]在现有的覆晶发光二极管封装的结构中，磊晶结构层的边缘会切齐于基板的边缘或内缩，而N电极与P电极的边缘会切齐磊晶结构层的边缘或是与磊晶结构层的边缘相隔一垂直距离，也就是说，N电极与P电极在基板上的正投影面积小于磊晶结构层在基板上的正投影面积，在这样的配置下，当欲将覆晶发光二极管封装组装至一外部电路时，由于N电极与P电极的电极面积相对较小，因此发光二极管封装在组装时易有对位不精准以及电极接触不良的问题产生。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种发光装置，其具有较大的电极面积，有助于提高后续组装上的对位精准度。
[0004]本发明的一种发光装置，包括一发光单元、一透光层及一封装层。发光单元包括一基板、一配置于基板上的磊晶结构层，以及一第一电极与第二电极，分别配置于磊晶结构层的同一侧上。发光单元配置于透光层上且至少曝露第一电极及第二电极。封装体封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极，第一电极与第二电极分别由磊晶结构层上向外延伸且分别覆盖至少封装体的部分上表面。
[0005]在本发明的一实施例中，第一电极包括连接磊晶结构层的一第一电极部以及连接第一电极部的一第一电极延伸部，而第二电极包括连接磊晶结构层的一第二电极部以及连接第二电极部的一第二电极延伸部，第一电极延伸部与第二电极延伸部分别向外延伸于至少部分封装体的上表面。
[0006]在本发明的一实施例中，第一电极延伸部与第二电极延伸部切齐于或内缩于封装体的上表面的边缘。
[0007]在本发明的一实施例中，发光装置还包括一或多个平坦的表面，每一平坦的表面包括透光层及封装体。
[0008]在本发明的一实施例中，第一电极延伸部包括多个第一栅状电极，而第二电极延伸部包括多个第二栅状电极，该些第一栅状电极分布在第一电极部与封装体的部分上表面上，该些第二栅状电极分布在第二电极部与封装体的部分上表面上。
[0009]在本发明的一实施例中，至少部分第一电极延伸部由第一电极部的边缘往远离第二电极部的方向延伸，且至少部分第二电极延伸部由第二电极部的边缘往远离第一电极部的方向延伸。
[0010]在本发明的一实施例中，第一电极延伸部与第二电极延伸部分别包括多个彼此分离的子电极。
[0011 ] 在本发明的一实施例中，第一电极延伸部的该些子电极位于封装体的上表面上远离第二电极的至少一角落，且第二电极延伸部的该些第二子电极位于封装体的上表面上远离第一电极的至少一角落。
[0012]在本发明的一实施例中，第一电极延伸部与第二电极延伸部分别包括一接着层及一配置于接着层与封装体之间的阻障层。
[0013]在本发明的一实施例中，接着层的材质包括金、锡、铝、银、铜、铟、铋、铂、金锡合金、锡银合金、锡银铜合金(SAC alloy)或其组合，且阻障层的材质包括镍、钛、鎢、金或其组合的合金。
[0014]在本发明的一实施例中，第一电极与第二电极分别还包括一反射层，分别配置于该些电极延伸部与封装体之间。
[0015]在本发明的一实施例中，反射层的材质包括金、招、银、镍、钛或其组合的合金。
[0016]在本发明的一实施例中，发光装置还包括一反射层，配置于封装体的表面上。
[0017]在本发明的一实施例中，至少部分反射层位于该些电极与封装体之间。
[0018]在本发明的一实施例中，反射层的材质包括金、招、银、镍、钛、布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector,简称DBR)、掺有具高反射率的反射粒子的树脂层或其组入口 ο
[0019]在本发明的一实施例中，发光装置还包括一波长转换材料，包覆发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极。
[0020]在本发明的一实施例中，波长转换材料包括荧光材料或量子点材料。
[0021]在本发明的一实施例中，波长转换材料是形成在发光单元的表面、形成在封装体的表面或混合在封装体中。
[0022]本发明的一实施例提出一种发光装置，包括一发光单元、一透光层及一封装层。发光单元包括一基板、一配置于基板上磊晶结构层以及一第一电极与第二电极，分别配置于磊晶结构层而相反于基板的同一侧上。透光层配置于发光单元上且位于基板的一侧相反于磊晶结构层、第一电极及第二电极一封装体，位于该发光单元与该透光层之间。封装体封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极，第一电极与第二电极分别由磊晶结构层上向外延伸且分别覆盖至少封装体的部分上表面。
[0023]本发明的一实施例提出一种发光装置，包括一发光单元及一封装层。发光单元包括一基板、一配置于该基板上的磊晶结构层以及一第一电极及一第二电极，配置于磊晶结构层的同一侧上。封装体封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极，第一电极与第二电极分别由磊晶结构层上向上延伸且不覆盖封装体的一上表面。
[0024]本发明的一实施例提出一种发光装置，包括一发光单元及一封装层。发光单元包括一基板、一配置于基板上的磊晶结构层以及一第一电极与第二电极，分别配置于磊晶结构层的同一侧上。封装体封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极。第一电极与第二电极分别由磊晶结构层上向外延伸且分别覆盖至少封装体的部分上表面。
[0025]本发明的一实施例提出一种发光装置，包括一发光单元、一透光层及一封装层。发光单元包括一基板、一配置于该基板上的磊晶结构层以及一第一电极与第二电极，分别配置于磊晶结构层的同一侧上。发光单元配置于透光层上且至少曝露第一电极及第二电极。封装体封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极，第一电极与第二电极分别由磊晶结构层向上延伸而不覆盖封装体的一上表面。
[0026]本发明的一实施例提出一种发光装置，包括一发光单元、一透光层及一封装层。发光单元包括一基板、一配置于该基板上的磊晶结构层以及一第一电极与第二电极，分别配置于磊晶结构层而相反于基板的同一侧上。透光层配置于发光单元上且位于基板的一侧相反于磊晶结构层、第一电极及第二电极。封装体位于发光单元与透光层之间，封装体封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极，第一电极与第二电极分别由磊晶结构层向上延伸而不覆盖封装体的一上表面。
[0027]基于上述，由于本发明的一实施例的发光单元的第一电极与第二电极是从磊晶结构层上向外延伸并可覆盖至少部分封装体，也就是说，相较于现有第一电极与第二电极的设计而言，本发明的发光装置(发光二极管封装)可具有较大的电极面积，且当后续欲组装至一外部电路上时，也可有效提高组装时的对位精准度。由于本发明的一实施例的发光单元的第一电极与第二电极是从磊晶结构层上向上延伸而凸出于封装体，因此有利于后续的固晶接合工序。
[0028]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0029]图1A示出的为本发明的一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0030]图1B示出的为沿图1A的线A-A的剖面示意图；
[0031]图2A示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0032]图2B示出的为沿图2A的线B-B的剖面示意图；
[0033]图3A示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0034]图3B示出的为沿图3A的线C-C的剖面示意图；
[0035]图4A示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0036]图4B示出的为沿图4A的线D-D的剖面示意图；
[0037]图5A示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0038]图5B示出的为沿图5A的线E-E的剖面示意图；
[0039]图6A示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0040]图6B示出的为沿图6A的线F-F的剖面示意图；
[0041]图7A示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0042]图7B示出的为沿图7A的线G-G的剖面示意图；
[0043]图8A示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0044]图8B示出的为沿图8A的线H-H的剖面示意图；
[0045]图9A示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0046]图9B示出的为沿图9A的线1_1的剖面示意图；
[0047]图1OA不出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视不意图；
[0048]图1OB示出的为沿图1OA的线J-J的剖面示意图；
[0049]图1lA示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0050]图1lB示出的为沿图1lA的线K-K的剖面示意图；
[0051]图12A示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0052]图12B示出的为沿图12A的线L-L的发光装置以覆晶方式接合至电路板剖面示意图；
[0053]图13示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0054]图14示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的剖面示意图；
[0055]图15A示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0056]图15B示出的为沿图15A的线M-M的发光装置的剖面示意图；
[0057]图16A示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0058]图16B示出的为沿图16A的线N-N的发光装置的剖面示意图；
[0059]图17A示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图；
[0060]图17B示出的为沿图17A的线P-P的发光装置的剖面示意图；
[0061]图18A示出的为图1B的发光装置以覆晶方式接合至电路板剖面示意图；
[0062]图18B示出的为图18A中区域Ml的局部放大图。
[0063]附图标记说明:
[0064]50:电路板；
[0065]52:电极垫；
[0066]60:锡膏；
[0067]100a、100b、100c、10cU 100e、100f、100g、100h、101、100j、100k、1001、100m、100n、100p、100q、100r:发光装置；
[0068]110:透光层；
[0069]120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g、120h、1201:发光单元；
[0070]122:基板；
[0071]124:磊晶结构层；
[0072]125:表面；
[0073]126a、126b、126c、126d、126e、126f、126g、126h、1261、126p:第一电极；
[0074]126al、126bl、126cl、126dl、126el、126fl、126gl、126hl、126il、126jl:第一电极部；
[0075]126a2、126b2、126c2、126d2、126