50um。在另外的一些实施例中，可以采用355nm紫外脉冲、连续或准连续激光，功率选择在5?15W,扫描速度选择在I?1.2m/s，光斑直径选择为40 μ m进行激光扫描处理。也可以采用1064nm红外脉冲、连续或准连续激光，功率选择在10?35W，扫描速度选择为I?
1.2m/s，光斑直径为60 μ m进行激光扫描处理。
[0049]4、如图4h所示，在受光面1a上制备第一减反钝化膜30，在背面1b上制备第二减反钝化膜80。具体地，首先在受光面1a和背面1b上采用炉管干氧低温氧化生成S12薄膜层，同时修复激光热损伤。3102薄膜的厚度约为10nm，氧化温度为600?800°C，时间20?30min。然后在S12薄膜层上采用PECVD工艺制备一层SiNx薄膜，最终，第一减反钝化膜30和第二减反钝化膜80分别由一层S12薄膜层和一层SiNx薄膜构成。在另外的一些实施例中，第一减反钝化膜30和第二减反钝化膜80也可以是仅仅包含一层薄膜层，例如可以仅仅是3102薄膜层。在另外一些实施例中，也可以是采用PECVD或ALD工艺先沉积一层氧化铝钝化膜代替如上的S12薄膜层，然后在沉积一层SiNx薄膜。
[0050]5、如图4i所示，在第二减反钝化膜80上丝网印刷形成第一电极91和第二电极92 (正、负电极)并烧结处理，第一电极91和第二电极92分别穿透第二减反钝化膜80电性连接于P++重掺杂区60和η++重掺杂区70。即完成整个电池制备流程。
[0051]其中，以上步骤中涉及化学清洗工艺的，其可以为RCA、SPM、HF/03、HC1/HF等清洗方法。
[0052]实施例2
[0053]本实施例与实施例1不同的是，本实施例中将实施例1中的步骤2和步骤3的顺序进行调换，即在处理完成P型硅衬底10之后，首先在背面1b制备η+掺杂区50和η++重掺杂区70，参阅实施例1中的步骤3 ;然后再在受光面1a和背面1b制备ρ+掺杂层20、P+掺杂区40和ρ++重掺杂区60，参阅实施例1中的步骤2。其余步骤与实施例1中的相同，在此不再赘述。
[0054]相比于现有技术，本发明采用P型硅片为衬底材料，成本低且普遍应用。背面平坦化处理，即背面抛光，利于背面形成均匀PN结和PP+高低结，同时减小背面比表面积，降低表面复合。掺杂源采用液态或固态，安全可靠，同时利于激光处理；与常规热扩散相比，激光掺杂高温作用时间短，易于精确定位掺杂、差异化掺杂，减小正面栅线遮挡导致的电流损失，同时金属电极与重掺杂区域形成良好的欧姆接触。
[0055]其中，采用激光无损掺杂工艺，对掺杂源进行处理，主要利用激光的热效应、热效应作用时间短、可精确定位等优势，在不对硅片表面造成明显损伤的情况下，形成特定区域的掺杂，避免高温对P型硅片的副作用，工艺简单，操作方便，大大简化太阳电池制备工艺流程，更利于产业化应用。
[0056]以上所述仅是本申请的【具体实施方式】，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
【主权项】
1.一种基于P型硅衬底的背接触式太阳能电池，其特征在于，包括一 P型硅衬底，所述P型硅衬底具有相对的一受光面和一背面，所述受光面为经过织构化处理形成的绒面，所述背面为经过平坦化处理形成的平面；所述P型硅衬底的受光面设置有掺杂硼的P+掺杂层，所述受光面上设置有第一减反钝化膜；所述P型硅衬底的背面设置有依次交替排布的多个掺杂硼的P+掺杂区和多个掺杂磷η+掺杂区，每一 P+掺杂区中设置有一 P++重掺杂区，每一η+掺杂区中设置有一 η++重掺杂区，所述背面上设置有第二减反钝化膜，所述第二减反钝化膜上设置有相互绝缘的第一电极和第二电极，所述第一电极穿过所述第二减反钝化膜电性连接于所述P++重掺杂区，所述第二电极穿过所述第二减反钝化膜电性连接于所述η++重掺杂区。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极和第二电极均为叉指状的金属电极。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一减反钝化膜和第二减反钝化膜为一层以上的薄膜，其材料为Si02、SiNx, T12, AlOxS MgF2。4.如权利要求1-3任一所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括步骤: 提供一 P型硅衬底，对所述P型硅衬底的受光面进行织构化处理形成绒面，对所述P型硅衬底的背面进行平坦化处理形成平面； 在所述受光面上涂覆或沉积硼源材料，应用激光掺杂工艺使硼源材料中的硼扩散到所述P型硅衬底中，在所述受光面获得掺杂硼的P+掺杂层； 在所述背面上涂覆或沉积硼源材料，应用激光掺杂工艺使硼源材料中的硼扩散到所述P型硅衬底中，在所述背面获得多个掺杂硼的P+掺杂区并在每一 P+掺杂区中形成一 P++重惨杂区； 在所述背面上涂覆或沉积磷源材料，应用激光掺杂工艺使磷源材料中的磷扩散到所述P型硅衬底中，在所述背面获得多个掺杂磷的η+掺杂区并在每一 η+掺杂区中形成一 η++重惨杂区； 在所述受光面上制备第一减反钝化膜，在所述背面上制备第二减反钝化膜； 在所述第二减反钝化膜上制备第一电极和第二电极。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述硼源材料选自硼酸溶液、硼硅玻璃、含硼氮化硅、含硼氧化硅或含硼非晶硅中的任意一种；所述磷源材料选自磷酸溶液、磷娃玻璃、含磷氮化娃、含磷氧化娃或含磷非晶娃中的任意一种。6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述激光扫描工艺中，选用的激光出光模式为脉冲，激光波长为355?1064nm，功率为5?100W，光斑直径为30?200 μ m，脉冲宽度 30ns ?300ns ο7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述激光扫描工艺中，选用的激光出光模式为连续或准连续，激光波长为355?1064nm，功率为5?100W，光斑直径为30?200 μ??ο8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，设置激光扫描系统自动切换工艺参数，通过一次激光掺杂工艺在制备获得所述P+掺杂区的同时，在所述P+掺杂区中形成所述P++重掺杂区；通过一次激光掺杂工艺在制备获得所述η+掺杂区的同时，在所述η+掺杂区中形成所述η++重惨杂区。9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，通过一次激光掺杂工艺制备获得所述P+掺杂区，在所述P+掺杂区中进行二次激光掺杂工艺，形成所述P++重掺杂区；通过一次激光掺杂工艺制备获得所述η+掺杂区，在所述η+掺杂区中进行二次激光掺杂工艺，形成所述η++重掺杂区。
【专利摘要】本发明公开了一种基于P型硅衬底的背接触式太阳能电池，其包括一P型硅衬底，P型硅衬底的受光面设置有掺杂硼的p+掺杂层，受光面上设置有第一减反钝化膜；P型硅衬底的背面设置有多个掺杂硼的p+掺杂区和多个掺杂磷n+掺杂区，每一p+掺杂区中设置有一p++重掺杂区，每一n+掺杂区中设置有一n++重掺杂区，背面上设置有第二减反钝化膜，第二减反钝化膜上设置有相互绝缘的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别电性连接于p++重掺杂区和n++重掺杂区。本发明还公开了如上所述太阳能电池的制备方法。本发明采用P型硅片作为背接触式太阳能电池的衬底材料，P型硅片技术成熟，具有明显的成本优势。
【IPC分类】H01L31/0224, H01L31/18, H01L31/068
【公开号】CN105185858
【申请号】CN201510483920
【发明人】郭灵山, 崇锋, 吕欣
【申请人】黄河水电光伏产业技术有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年8月6日