全裸晶封装可调光光电一体led照明组件及制造工艺的制作方法_4

文档序号:9434618阅读:来源:国知局
圈层高度,如图8所示,并进行烘烤固化,本发明实施案例中所 述含荧光粉的导热绝缘透明材料为含荧光粉的导热透明硅胶;第七步,分板和测试工艺流 程:
[0079] 本发明案例中由四个单位基板连接成一片同时完成上述流程,再将上述四个单位 基板进行分板,即每个单位基板不再和其它单位基板相连接。对上述已经完成全部工艺流 程的基板,接通对应220V电压的电源线,测试获取相关光学和电学参数,确认已完成全部 工艺流程达到相应要求,并根据相关参数进行分检分类。
[0080] 上述第一至第三和第五至第六共五步工艺流程为基本工艺流程,是完成全裸晶封 装的必要工艺流程,而第四和第七步工艺流程则为辅助流程,主要是保证产品质量和最终 产品使用,不是全裸晶封装必须具有的工艺流程。
[0081] 在本发明实施案例中,有功率为6W的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件作 为典型实施案例,具体器件来源和参数设定如下:
[0082] 27颗裸晶LED :来自三安光电股份有限公司产品型号为S-30BBHUP-B的裸晶高压 LED,;
[0083] R1阻值为820千欧姆,Res阻值为9. 1欧姆,均来自台湾R0YAL0HM厚生厂家;
[0084] 裸晶整流二极管产品型号为MB6S,购自深圳市斯达特来电子科技有限公司;
[0085] 裸晶M0SFET产品型号为2N60,购自华润华晶微电子有限公司;
[0086] 裸晶线性驱动1C芯片为自有产品,其详细参数已在本发明实施案例中披露。
[0087] 上述典型实施案例6W组件的产品测试结果:显色指数为84. 4,光通量为616. 1LM, 光效为102. 39LM/W,电压为220. 01V,电流为0. 03029A,功率为6. 017W,功率因素为0. 9029。 [0088] 本发明实施案例已完成对在多种功率情况下的试验和测试,具体参数和测试结 果不再 列举。
[0089] 上文参照附图描述了本发明的【具体实施方式】和典型实施案例,但本领域中的普通 技术人员能够理解,在不偏离本发明的精神和范围的情况下,还可以对【具体实施方式】作各 种变更和替换,这些变更和替换都落在本发明权利要求书所限定的范围内。
【主权项】
1. 一种全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件,其特征是,用特定电路和半导体封 装技术将裸晶LED和裸晶驱动电源器件作为一个整体封装在导热绝缘材料基板上; 上述特定电路是在导热绝缘材料基板上交流电母线两端各连接两个裸晶整流二极 管的负极和正极,经过四个裸晶整流二极管形成的直流电正极连接串联裸晶发光二极管 (LED)的正极,同时连接一个电阻Rl再连接裸晶IC芯片的VCC焊盘;裸晶IC芯片的GATE焊 盘连接裸晶MOSFET的G焊盘(栅极);裸晶IC芯片的Sense焊盘连接裸晶MOSFET的S焊 盘(源极),同时连接电阻Rcs再连接地线;裸晶IC芯片的GND焊盘连接地线;裸晶MOSFET 的D焊盘(漏极)连接裸晶发光二极管LED负极; 上述特定电路中裸晶IC芯片和裸晶MOSFET具有足够的物理距离以避免MOSFET的散 热影响裸晶IC芯片的正常工作,同时裸晶IC芯片表面需要有导热绝缘不透明材料覆盖以 免影响其正常工作。2. 根据权利要求1所述的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件,其特征是导热绝 缘材料基板为陶瓷基板。3. 根据权利要求1所述的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件,其特征是裸晶IC 芯片为线性驱动IC芯片,基本必要部分包括VCC端有内部钳位电路(Clamp)和UVLO(Under VoltageLockout);还包括接地线端(GND);还包括内部控制(Control)和驱动(Driver) 部分及驱动极GATE端和电流采样/设置SENSE端。4. 根据权利要求1所述的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件,其特征是裸晶 LED为裸晶高压LED。5. 根据权利要求1所述的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件,其特征是覆盖裸 晶IC芯片表面的导热绝缘不透明材料为导热不透明硅胶。6. -种全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件制造工艺,其特征是: 在基板制造工艺流程中,包括按所需规格制作导热绝缘材料基板白板,按特定电路原 理图设计电路布线图,按上述电路布线图以公知技术将导电材料印刷到导热绝缘材料基板 白板上,再行烘烤固化成为印刷电路,对上述印刷电路相关部分进行公知绝缘材料覆盖,再 行烘烤固化;在上述基板上印刷电路图相关位置,用粘稠导热导电材料将设定阻值的电阻 Rl和Rcs固定在指定位置,并进行烘烤固化; 在固晶工艺流程中,在上述基板上印刷电路图相关位置,用粘稠导热绝缘材料将设 定数量的裸晶发光二极管(LED)固定在指定位置,并进行烘烤固化,在上述基板上印刷电 路图相关位置,用粘稠导热导电材料将四个裸晶整流二极管、一个裸晶IC芯片、一个裸晶 MOSFET固定在指定位置,并进行烘烤固化; 在焊线工艺流程中,在上述已经完成对裸晶LED和其它裸晶器件固晶的基板上,在各 器件的指定位置上,焊接金属导线,以链接基板上的线路,完成基板上的全部电路连接; 在测试工艺流程中,在上述已经完成对裸晶LED和其它裸晶器件固晶和焊线基板上, 接通对应电压的电源线,以确认已完成工艺流程达到要求,同时通过测试获取相关光学和 电学参数; 在围坝工艺流程中,上述已完成固晶和焊线基板测试合格后,在上述基板上,使用粘稠 导热绝缘不透明材料注在基板上设定位置形成设定高度和宽度的圈层(坝),并进行烘烤 固化; 在点胶工艺流程中,按设计要求配制含公知相关比例荧光粉的粘稠导热绝缘材料,在 上述已完成围坝的基板上,使用上述含公知相关比例荧光粉的粘稠导热绝缘材料注在围坝 形成的空间内至设定高度,并进行烘烤固化; 在分板和测试工艺流程中,由多个基板连接成一体同时完成上述流程的情况下将上述 多个基板进行分板,即每个基板不再和其它基板相连接,对上述已经完成全部工艺流程的 基板接通对应电压的电源线,测试获取相关光学和电学参数,确认已完成工艺流程达到要 求,并根据参数进行分检分类。7. 根据权利要求6所述的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件制造工艺,其特征 是在基板制造工艺流程中以导电材料印刷到导热绝缘材料基板白板上为以含银材料印刷 到导热绝缘材料基板白板上。8. 根据权利要求6所述的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件制造工艺,其特征 是在基板制造工艺流程和固晶工艺流程中所述粘稠导热导电材料为银胶。9. 根据权利要求6所述的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件制造工艺,其特征 是在固晶工艺流程和点胶工艺流程中所述粘稠导热绝缘材料为导热硅胶。10. 根据权利要求6所述的全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件制造工艺,其特征 是在围坝工艺流程中粘稠导热绝缘不透明材料为导热不透明硅胶。
【专利摘要】一种全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件,其特征是:在导热绝缘材料基板上交流电母线两端各连接两个整流二极管,形成直流电正极连接串联发光二极管(LED)正极,同时连接一个电阻R1再连接线性驱动IC芯片的VCC焊盘;IC芯片的GATE焊盘连接MOSFET的G焊盘(栅极);IC芯片的Sense焊盘连接MOSFET的S焊盘(源极),同时连接电阻Rcs再连接地线;IC芯片的GND焊盘连接地线;MOSFET的漏极连接LED负极。其中IC芯片和MOSFET的位置距离要足够大能及时散热和IC芯片表面要有导热绝缘非透明覆盖层以避免IC芯片功能受影响。一种全裸晶封装可调光光电一体LED照明组件制造工艺,其特征是有五步基本流程,包括基板制造、固晶、焊线、围坝和点胶,有两步辅助流程为测试和分板及测试。
【IPC分类】H05K7/20, H01L33/48, H01L33/64
【公开号】CN105185889
【申请号】CN201510390050
【发明人】李克坚, 桑钧晟
【申请人】中山昂帕微电子技术有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年7月3日
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