含类似组件，但定向不同。
[0060]举例来说，图7B说明用于表面检验设备的收集系统731、732及733的示范性阵列(其中为简明起见，未展示表面检验设备的照明系统(例如，类似于照明系统701))。在收集系统731中的第一光学器件从表面711的表面收集在第一方向上散射的光。在收集系统732中的第二光学器件从表面711收集在第二方向上散射的光。在收集系统733中的第三光学器件从表面711收集在第三方向上散射的光。应注意，第一路径、第二路径及第三路径处在相对于表面711的不同反射角度。支撑样品的平台735可用于导致光学器件与表面711之间的相对运动以便可扫描整个表面。收集系统731、732及733中的至少一者可包含光敏感检测器的阵列(例如，PMT的阵列)或电子轰击图像传感器，如在本文中所描述。美国专利7，525,649(其在2009年4月28日发布且以引用的方式并入本文中)进一步详细描述表面检验设备700及其它多个收集系统。
[0061]图8说明可用于检验表面801上的异常的示范性表面检验系统800。在此实施例中，可由激光系统830(其产生激光束)的实质上静止的照明装置部分照明表面801。激光系统830的输出可连续通过偏光光学器件821、光束扩展器及光圈822及光束形成光学器件823从而扩展及聚焦光束。
[0062]接着，所产生的聚焦激光束802通过光束折叠组件803及光束偏转器804反射以引导光束805朝向表面801。在优选实施例中，光束805实质上正交或垂直于表面801，但在其它实施例中，光束805可处在相对于表面801的斜角。
[0063]在一个实施例中，光束805实质上垂直或正交于表面801且光束偏转器804将光束的镜面反射从表面801反射朝向光束转向组件803，借此充当屏蔽以防止镜面反射达到检测器(在下文中描述)。镜面反射的方向是沿着线SR，线SR法向于样品的表面801。在光束805法向于表面801的一个实施例中，此线SR与光束805的方向重合，其中此共同参考线或方向在本文中称为表面检验系统800的轴。在光束805处在相对于表面801的斜角的情况下，镜面反射SR的方向将不会与光束805的入射方向重合；在此情况中，指示表面法向的方向的线SR称为表面检验系统800的收集部分的主轴。
[0064]由小粒子散射的光由镜806收集且经引导朝向光圈807及检测器808。由大粒子散射的光由透镜809收集且经引导朝向光圈810及检测器811。应注意，一些大粒子将散射也经收集且引导到检测器808的光，且类似地一些小粒子将散射也经收集且引导到检测器811的光，但与相应检测器经设计以检测的散射光的强度相比，此光具有相对低的强度。在一个实施例中，检测器808及811中的一者或二者可包含PMT或PMT的阵列，如在本文中所描述。在另一实施例中，检测器808及811中的一者或二者包含电子轰击图像传感器，如在本文中所描述。在一个实施例中，检验系统可经配置以用于检测未图案化晶片上的缺陷。美国专利6，271，916 (其在2011年8月7日发布且以引用的方式并入本文中)进一步详细描述表面检验系统800。
[0065]图9说明经配置以使用法向及斜照明光束实施异常检测的示范性检验系统900。在此配置中，激光系统930可提供激光束901。透镜902将光束901聚焦穿过空间滤光器903且透镜904准直光束且将其传递到偏光光束分离器905。光束分离器905将第一偏光分量传送到法向照明通道906且将第二偏光分量传送到斜照明通道912，其中第一分量及第二分量经正交偏光。在法向照明通道906中，第一偏光分量由光学器件907聚焦且由镜908反射朝向样品909的表面。由样品909散射的辐射由抛物面镜910收集且聚焦到检测器911。检测器911包含PMT，如在本文中所描述。
[0066]在斜照明通道912中，第二偏光分量由光束分离器905反射到镜913，镜913将此光束反射穿过半波板914且由光学器件915聚焦到样品909。源自斜照明通道912中的斜照明光束且由样品909散射的辐射也通过抛物面镜910收集且聚焦到检测器911 (其具有针孔入口)。针孔及照射的光点(来自样品909上的法向及斜照明通道)优选地处于抛物面镜910的焦点。应注意，也可使用具有不同于抛物面形状的形状的弯曲镜面表面。
[0067]抛物面镜910将来自样品909的散射的辐射准直为准直光束916。接着，通过物镜917将准直光束916聚焦穿过分析器918直到检测器911。检测器911可包含一或多个光敏感检测器，例如一或多个PMT或电子轰击图像传感器，如在本文中所描述。仪器920可提供光束与样品909之间的相对运动以跨越样品909的表面扫描光点。美国专利6，201，601 (其在2001年3月13日发布且以引用的方式并入本文中)进一步详细描述检验系统900。
[0068]图10说明添加到示范性折反射成像系统1000的法向入射激光暗场照明。暗场照明包含:uv激光1001 ;用于控制照明光束大小及表面上被检验的轮廓的调适光学器件1002 ;在机械壳体1004中的光圈及窗1003 ;及用于沿着光学轴以法向入射将激光重新引导到样品1008的表面的棱镜1005。棱镜1005也沿着光学路径将来自样品1008的表面特征的镜面反射及来自物镜1006的光学表面的反射引导到图像平面1009。用于物镜1006的透镜可提供为折反射物镜、聚焦透镜组、及缩放管透镜区段的一般形式。在优选实施例中，图像平面1009包含一或多个光敏感检测器，例如一或多个PMT或电子轰击图像传感器，如在本文中所描述。美国专利5，999，310 (其在1999年12月7日发布)及美国公开案2007/0002465(其在2007年I月4日公开)进一步详细描述折反射成像系统1000。所述专利及公开案均以引用的方式并入本文中。
[0069]在上文中描述的结构、方法及系统的各种实施例仅说明本发明的原理且不希望将本发明的范围限制于所描述的特定实施例。举例来说，PMT或电子轰击图像的光电阴极可包括在技术中已知的任何类型的光电阴极。在另一实例中，如在本文中描述的PMT或电子轰击图像传感器可并入任何测量或检验系统中，不限于在本文中描述的特定系统。在又另一实例中，并入如在本文中描述的PMT或电子轰击图像传感器的检验系统可使用宽带光源，例如激光栗抽等离子光源或电弧灯，而非如在本文中的说明性实例中的激光。因此，仅通过所附权利要求书及其等效物限制本发明。
【主权项】
1.一种光倍增管，其包括: 半导体光电阴极；及 光电二极管，其包含: P掺杂型半导体层； η掺杂型半导体层，其形成于所述P掺杂型半导体层的第一表面上以形成二极管；及 纯硼层，其形成于所述P掺杂型半导体层的第二表面上。2.根据权利要求1所述的光倍增管，其中所述半导体光电阴极包括氮化镓。3.根据权利要求2所述的光倍增管，其中所述半导体光电阴极进一步包括一或多个P掺杂型氮化镓层。4.根据权利要求1所述的光倍增管，其中所述半导体光电阴极包括硅。5.根据权利要求4所述的光倍增管，其中所述半导体光电阴极进一步包括在至少一个表面上的纯硼涂层。6.根据权利要求1所述的光倍增管，其中所述半导体光电阴极与所述光电二极管之间的间隙小于约I毫米。7.根据权利要求6所述的光倍增管，其中所述半导体光电阴极与所述光电二极管之间的间隙小于约500微米。8.一种用于检验样品的系统，所述系统包括: 激光系统，其用于产生光； 第一组件，其用于将所述光引导到所述样品； 一或多个检测器；及 第二组件，其用于将光从所述样品引导到所述一或多个检测器， 至少一个检测器包含光倍增管，所述光倍增管包括: 半导体光电阴极；及 光电二极管，其包含: P掺杂型半导体层； η掺杂型半导体层，其形成于所述P掺杂型半导体层的第一表面上以形成二极管；及 纯硼层，其形成于所述P掺杂型半导体层的第二表面上。
【专利摘要】本发明揭示一种光倍增管，其包含半导体光电阴极及光电二极管。值得注意地，所述光电二极管包含：p掺杂型半导体层；n掺杂型半导体层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第一表面上，以形成二极管；及纯硼层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第二表面上。在所述半导体光电阴极与所述光电二极管之间的间隙可为小于约1毫米或小于约500微米。所述半导体光电阴极可包含氮化镓，例如一或多个p掺杂型氮化镓层。在其它实施例中，所述半导体光电阴极可包含硅。此半导体光电阴极可进一步包含在至少一个表面上的纯硼涂层。
【IPC分类】H01L27/146
【公开号】CN105210189
【申请号】CN201480028203
【发明人】勇-霍·亚历克斯·庄, 戴维·L·布朗, 约翰·费尔登
【申请人】科磊股份有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2014年4月1日
【公告号】EP2973713A1, US20140291493, WO2014165544A1