、氮化铝或氮氧化铝。
[0026]如图 2 所示，CoFe(R)/FePt结构由CoFe(R)层 41 和FePt层 42 叠加而成，CoFe(R) 层41较FePt层42靠近绝缘隧穿层30。其中，CoFe(R)层41的材料为掺入R的CoFe，R为 B、A1和Ni至少其中之一。具体地，FePt为A1相，A1相的FePt不需要通过高温长时间退 火获得，因而能解决与CMOS热处理工艺兼容性的问题。
[0027] 优选地，CoFe(R)层41的厚度为1~5nm，FePt层42的厚度为1~6nm。CoFe(R) / FePt结构中CoFe(R)层的厚度能达到5nm，大于自旋电子平均自由层，能够提供更高的自旋 极化率，足以保证产生高的自旋极化电流。
[0028] 如图3所示，在本发明的一个实施例中，上述磁隧道结还包括形成于第一电极层 11和第一磁性层40之间的种子层61和/或形成于第二电极层10和第二磁性层20之间的 覆盖层60。具体地，种子层61和覆盖层60各自独立地为Ru和/或Ta形成的金属薄膜。
[0029] 在本发明的另一个实施例中，上述磁隧道结还包括形成于第一电极层11和第一 磁性层40之间的第三磁性层，更进一步地，上述磁隧道结还包括形成于第二电极层10和第 二磁性层20之间的第四磁性层。
[0030] 如图4所示，在本发明的另一个实施例中，上述磁隧道结还包括形成于第一电极 层11和第一磁性层40之间的反铁磁层80。
[0031] 如图5所示，在本发明的另一个实施例中，上述磁隧道结还包括形成于第一磁性 层40和绝缘隧穿层30之间的铁磁親合层51，铁磁親合层51由第五磁性层21和金属层50 叠加而成，第五磁性层21较金属层50靠近绝缘隧穿层30,第一磁性层40与第五磁性层21 通过金属层50形成反铁磁耦合结构。具体地，金属层50为Ru和/或Ta形成的金属薄膜。
[0032] 如图6所示，在本发明的另一个实施例中，上述磁隧道结同时包括形成于第一电 极层11和第一磁性层40之间的种子层61，形成于第二电极层10和第二磁性层20之间的 覆盖层60,以及形成于第一磁性层40和绝缘隧穿层30之间的铁磁耦合层51。
[0033] 上述磁隧道结的制备方法包括如下步骤：
[0034] (1)在基片70上沉积第一电极材料，图形化得到第一电极层11 ;
[0035] (2)在第一电极层11上依次沉积第一磁性材料、绝缘材料和第二磁性材料，图形 化得到第一磁性层40、绝缘隧穿层30和第二磁性层20 ;
[0036] (3)在第二磁性层20上沉积第二电极材料，图形化得到第二电极层10 ;
[0037] (4)在300~500°C下退火处理5~lOmin，得到磁隧道结。
[0038] 其中，第一电极材料通过依次沉积FePt和CoFe(R)得到，以及/或者第二电极材 料通过依次沉积CoFe(R)和FePt得到，CoFe(R)为掺入R的CoFe，R为B、A1和Ni至少其 中之一。
[0039] 为使本领域技术人员更好地理解本发明，下面结合具体实施例对上述磁隧道结的 制备方法进行详细说明。
[0040] 实施例1
[0041] 结合图1，上述磁隧道结的制备方法包括如下步骤：
[0042] 步骤101 :提供基板70,基板70为表面热氧化的Si片或是CMOS芯片；
[0043] 步骤102 :在氩气氛围下，采用磁控溅射的方法在基板70上制备第一电极层11，沉 积温度为室温，靶材为Cu，真空度优于10 6Pa，第一电极层11的厚度为200nm;
[0044] 步骤103 :在氩气氛围下，采用磁控溅射的方法在第一电极层11上制备第一磁性 层40，其包括在第一电极层11上沉积FePt层，厚度为3nm，再沉积CoFeB层，厚度为5nm，沉 积温度为室温，靶材分别为FeMPt5。合金靶和Co4(]Fe4(]B2。靶，真空度优于106Pa;
[0045] 步骤104:在氩气氛围下，采用磁控溅射的方法在CoFeB层上制备绝缘隧穿层30， 沉积温度为室温，靶材为MgO靶，真空度优于10 6Pa，绝缘隧穿层30的厚度为lnm;
[0046] 步骤105 :在氩气氛围下，采用磁控溅射的方法在绝缘隧穿层30上制备第二磁性 层20,沉积温度为室温，靶材为CoFeB，真空度优于10 6Pa，第二磁性层20的厚度为lnm;
[0047] 带有B的非晶态合金能提高磁隧道结中隧穿层MgO膜层的平整度，并提高所述基 于CoFe/FePt结构的磁隧道结的磁阻变化率TMR;
[0048] 步骤106 :在氩气氛围下，采用磁控溅射的方法在第二磁性层20上制备第二电极 层10,沉积温度为室温，靶材为Cu，真空度优于10 6Pa，第二电极层10的厚度为200nm，得到 磁隧道结单元；
[0049] 步骤107 :在真空条件下，将步骤106得到的磁隧道结单元在400°C下退火10min， 得到磁隧道结100。
[0050] 在磁隧道结100中，第一磁性层40为钉扎层，第二磁性层20为自由层。
[0051] 实施例2
[0052]FePt层的厚度为4. 5nm，CoFeB层的厚度为5nm，其它步骤同实施例1〇
[0053] 实施例3
[0054]FePt层的厚度为6nm，CoFeB层的厚度为5nm，其它步骤同实施例1〇
[0055] 实施例4
[0056] 结合图3,上述磁隧道结的制备方法包括如下步骤：
[0057] 步骤101~102 :同实施例1 ;
[0058] 步骤103 :在氩气氛围下，采用磁控溅射的方法在第一电极层11上制备缓冲层61， 沉积温度为室温，靶材为Ta，真空度优于10 6Pa，缓冲层61的厚度为5nm;
[0059] 步骤104 :在氩气氛围下，采用磁控溅射的方法在缓冲层61上制备第一磁性层40， 其包括在缓冲层61上沉积FePt层，厚度为lnm，再沉积CoFeB层，厚度为5nm，沉积温度为 室温，靶材分别为FeMPt5。合金靶和Co4(]Fe4(]B2。祀，真空度优于106Pa;
[0060] 步骤105 :同实施例1步骤104 ;
[0061] 步骤106 :同实施例1步骤105 ;
[0062] 步骤107:在氩气氛围下，采用磁控溅射的方法在第二磁性层20上制备覆盖层60， 沉积温度为室温，靶材为Ta，真空度优于10 6Pa，覆盖层60的厚度为5nm;
[0063] 步骤108 :在氩气氛围下，采用磁控溅射的方法在覆盖层60上制备第二电极层10， 沉积温度为室温，靶材为Cu，真空度优于10 6Pa，第二电极层10的厚度为200nm，得到磁隧 道结单元；
[0064] 步骤109 :在真空条件下，将步骤108得到的磁隧道结单元在300°C下退火lOmin， 得到磁隧道结101。
[0065] 在磁隧道结101中，第一磁性层40为钉扎层，所述第二磁性层20为自由层。
[0066] 实施例5
[0067] 结合图4,上述磁隧道结的制备方法包括如下步骤：
[0068] 步骤101~102 :同实施例1 ;
[0069] 步骤103 :在氩气氛围下，采用磁控溅射的方法在第一电极层11上制备反铁磁层 80,沉积温度为室温，靶材为MnMPt5。合金靶，真空度优于10 6Pa，厚度为20nm;
[0070] 步骤104:在氩气氛围下，采用磁控溅射的方法在反铁磁层80上制备第二磁性层 40,其包括在反铁磁层80上沉积FePt层，厚度为3nm，再沉积CoFeB层，厚度为3nm，沉积温 度为室温，靶材分别为FeMPt5。合金靶和Co4(]Fe4(]B2。靶，真空度优于106Pa;
[0071] 步骤105 :同实施例1步骤104 ;
[0072] 步骤106 :同实施例1步骤10