的阱区域对应的区域801处执行图案化，以去除第一导电膜503以及第一绝缘体701和702的与区域801对应的区域。根据图案化，随后去除位于第一导电膜503的要连接至接合焊盘的部分803_2与第一导电膜503的部分803_1之间的区域处的导电膜503。虽然在去除第一导电膜503以及第一绝缘体701和703的位于与阱区域对应的区域801处的部分的过程中可以采用使用等离子体的干蚀刻，但是本公开不限于此。
[0066]虽然第一导电膜503可以由诸如钨、铝和铜的金属制成，但是本公开不限于此。
[0067]如图11所示，在操作S830中，分别在半导体基板101的顶表面和底表面上沉积第二绝缘体901和902，并且然后使第二绝缘体901图案化以去除其与通孔903对应的部分，通孔903用于将第一导电膜的部分803_2连接至接合焊盘。另一方面，使第二绝缘体902以及第一绝缘体703和704的与阱区域对应的区域图案化并且将其去除以形成用作阱区域的区域904。
[0068]在这种情况下，CVD可以用作用于沉积第二绝缘体901和902的方法。虽然在去除第二绝缘体902以及第一绝缘体703和704的过程中可以使用等离子体干蚀刻，但是本公开不限于此。
[0069]如图12所示，在操作S840中，在半导体基板101的顶表面上沉积第二导电膜以形成包括RF电极130、中心DC电极100和侧DC电极140的电极图案131、112、122、132、142。
[0070]图12仅示出了作为RF电极130的一部分的第一 RF轨131和第二 RF轨132，仅示出了作为中心DC电极100的一部分的第一 DC轨112和第二 DC轨122，并且仅示出了作为侧DC电极140的一部分的第二侧电极142。第二侧电极142和第一导电膜501通过沉积在通孔903中的第二导电膜彼此电连接。
[0071]半导体基板101的顶表面上的电极图案的形成可涉及使用特定掩膜。在这种情况下，掩膜可以按照遮掩除了图4至图6的阴影区域以外的其余区域的方式被配置，由此在阴影区域中形成电极图案。如图4至图6进一步例示的，添加至电极图案的面对表面的圆角使在施加高电压RF时可能发生的击穿最小。
[0072]虽然CVD可以用作形成电极图案的工艺，但是本公开不限于此。另外，虽然第二导电膜可以由诸如钨、铝和铜的金属制成，但是本公开不限于此。
[0073]如图13所示，在操作S850中，去除位于除了沉积第二导电膜的区域以外的区域1101处的第二绝缘体901。在这种情况下，虽然在第二绝缘体901的去除中可以使用等离子体，但是本公开不限于此。
[0074]随后，在与阱区域对应的区域1104处蚀刻半导体基板101的底表面以将半导体基板101的区域去除至预定深度。虽然在蚀刻过程中可以采用使用等离子体的蚀刻，但是本公开不限于此，并且可以采用各种蚀刻技术。
[0075]如图14所示，在操作S860中，对所得结构的顶表面进行湿蚀刻。因此，在与电极图案相邻的暴露表面处部分去除第二绝缘体901，使得设置在各个电极图案下面的第二绝缘体1201的宽度小于电极图案的宽度。湿蚀刻可以涉及使用具有强酸性或强碱性的液体化学制品，并且根据实施方式可以使用各种化学制品。如果在第二绝缘体1201中存在电荷，则第二绝缘体1201可以对捕获注入到阱区域150中的电荷的能力产生影响。设置在各个电极图案下面的第二绝缘体1201的宽度比电极图案的宽度窄的构造用于使由第二绝缘体1201导致的影响最小。
[0076]此后，在阱区域处蚀刻掉半导体基板101的顶表面，以去除半导体基板101的与阱区域150对应的部分。虽然在半导体基板101的蚀刻中还可以采用使用等离子体的干蚀刻，但是本公开不限于此。
[0077]虽然已经出于例示性目的描述了本公开的示例性实施方式，但是本领域技术人员将理解，在不脱离本公开的必要特性的情况下，各种修改、增加和替换是可能的。因此，为了简洁和清楚起见，已经描述了本公开的示例性实施方式。因此，本领域普通技术人员将理解，本公开的范围不限于以上明确描述的实施方式，而是由所附权利要求书及其等同物限制。
[0078]工业实用性
[0079]如上所述，因为通过设计用于改进电极的电特性的电极形状来改进捕获带电粒子(诸如离子)的能力和安全性，所以本公开非常有用。
[0080]相关申请的交叉引用
[0081]如果适用，本申请根据35U.S.C § 119(a)要求2013年10月14日在韩国提交的专利申请N0.10-2013-0121955的优先权，此处以引用方式并入其全部内容。另外，该非临时申请要求除美国以外的国家的优先权(原因与基于韩国专利申请的相同)，此处以引用方式并入其全部内容。
【主权项】
1.一种离子阱装置，该离子阱装置包括:至少一个中心DC电极，所述至少一个中心DC电极包括:设置在半导体基板上的DC连接器焊盘，和连接至所述DC连接器焊盘的DC轨；RF电极，所述RF电极包括:靠近所述DC轨设置的至少一个RF轨，和连接至所述至少一个RF轨的RF焊盘；以及至少一个侧电极，所述至少一个侧电极包括:关于所述RF电极与所述中心DC电极相对设置的至少一个侧电极焊盘，其中，所述电极当中的至少一对电极具有彼此面对的圆角。2.根据权利要求1所述的离子阱装置，其中，所述中心DC电极包括具有第一 DC轨的第一中心DC电极和具有第二DC轨的第二中心DC电极，其中，所述第一 DC轨和所述第二DC轨彼此分隔开以在它们之间形成阱区域，并且其中，所述半导体基板在与所述阱区域对应的区域处被穿孔。3.根据权利要求2所述的离子阱装置，其中，所述RF电极具有在面对所述阱区域的内表面处的圆角。4.根据权利要求1所述的离子阱装置，其中，所述至少一个侧电极包括沿所述RF电极的长度方向以预定间隔设置的多个侧电极。5.根据权利要求1所述的离子阱装置，该离子阱装置还包括设置在所述至少一个中心DC电极、所述RF电极和所述至少一个侧电极与所述半导体基板之间的绝缘体，其中，所述至少一个中心DC电极、所述RF电极和所述至少一个侧电极中的每一个的宽度比设置在它们下面的所述绝缘体的宽度大。6.—种制造离子阱装置的方法，该方法包括以下步骤:制备半导体基板；在所述半导体基板上沉积绝缘体；和在所述半导体基板上沉积导电膜，以形成包括RF电极、中心DC电极和侧电极的电极图案，其中，所述电极图案的形成涉及使用具有与所述RF电极、所述中心DC电极和所述侧电极对应的形状的掩膜，其中，所述掩膜具有圆角，使得所述RF电极、所述中心DC电极和所述侧电极中的每一个具有与所述掩膜的圆角对应的圆角。
【专利摘要】本发明的实施方式提供了一种离子阱装置和制造该离子阱装置的方法。所述离子阱装置包括：一个或更多个中心DC电极，所述一个或更多个中心DC电极包括半导体基板上的DC连接器焊盘和连接至DC连接器焊盘的DC轨；RF电极，所述RF电极包括靠近DC轨设置的一个或更多个RF轨和连接至一个或更多个RF轨的RF焊盘；以及一个或更多个侧电极，所述一个或更多个侧电极包括关于RF电极与中心DC电极相对设置的一个或更多个侧电极焊盘，其中，各个电极具有在面对另一电极的部分处的圆的边缘。
【IPC分类】H01J49/42, H01J49/10
【公开号】CN105308716
【申请号】CN201480026893
【发明人】赵东日, 金兑炫, 尹钟建, 崔炳斗, 洪锡俊, 李珉栽
【申请人】Sk电信有限公司, 首尔大学产学协力团
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2014年8月8日
【公告号】US20160027604, WO2015056872A1