二例中，形成像素电极26的蚀刻工序和形成空穴传输层27b的蚀刻工序为分开的工序。因而，能够改变形成像素电极26的蚀刻条件和形成空穴传输层27b的蚀刻条件，能够根据各自的材料设定适合的蚀刻条件。
[0067]在第二例中制作的空穴传输层27b具有与图4所示的第一变形例对应的结构。即，空穴传输层27b从像素电极26上设置到平坦化膜25。当然，在下部构造形成工序(S3)的第二例中的形成多个空穴传输层27b的工序中，通过变更光致抗蚀剂的形状，也能够制作与图5所示的第二变形例对应的结构。
[0068]图15是示出下部构造形成工序(S3)的第三例中的粒子线61的照射的图。在第三例中，在形成了多个像素电极26和公共层51b后，形成光致抗蚀剂60a。光致抗蚀剂60a形成为覆盖空穴传输层的中间部27f和空穴传输层中覆盖像素电极的部分的端部。S卩，光致抗蚀剂60a形成为使空穴传输层的中央部27e露出。在第三例中，在形成有光致抗蚀剂60a的状态下，照射氮离子或者氢离子等的粒子线61。以适当的粒子浓度接受粒子线61的照射的空穴传输层的部分的空穴迀移率提高。因而，空穴传输层的中央部27e的空穴迀移率变得比空穴传输层的中间部27f的空穴迀移率高。此外，除了离子之外，粒子线61也可以是电子等。另外，也可以取代粒子线61的照射，而照射红外线或者紫外线等的光线。
[0069]在第三例中制作的空穴传输层27具有与图7所示的第二实施方式和图9所示的第四实施方式对应的结构。即，空穴传输层27设置成遍及多个像素电极26，空穴传输层的中央部27e的空穴迀移率比空穴传输层的中间部27f的空穴迀移率高。
[0070]图16是示出下部构造形成工序(S3)的第四例中的粒子线61的照射的图。在第四例中，在形成了像素电极26和公共层5 lb后，形成光致抗蚀剂60b。光致抗蚀剂60b形成为覆盖空穴传输层的中央部27e。S卩，光致抗蚀剂60b形成为使空穴传输层的中间部27f和空穴传输层中覆盖像素电极26的部分的端部露出。在第四例中，在形成有光致抗蚀剂60b的状态下，照射氮离子或者氢离子等的粒子线61。此处，在第四例照射的粒子线比在第三例照射的粒子线的粒子浓度高，对被照射的部分造成破坏而使得空穴迀移率降低。因而，空穴传输层的中央部27e的空穴迀移率变得比空穴传输层的中间部27f的空穴迀移率高。此夕卜，除了离子之外，粒子线61还可以是电子等，也可以取代粒子线61的照射而照射红外线或者紫外线等光线。
[0071]在第四例中制作的空穴传输层27与在第三例中制作的空穴传输层27同样，具有与图7所示的第二实施方式和图9所示的第四实施方式对应的结构。S卩，空穴传输层27设置成遍及多个像素电极26上，空穴传输层的中央部27e的空穴迀移率比空穴传输层的中间部27f的空穴迀移率高。
[0072]在以上的说明中，设为了像素电极26是有机发光二极管的阳极，对置电极41是有机发光二极管的阴极。但是，也可以将像素电极26设为有机发光二极管的阴极，将对置电极41设为有机发光二极管的阳极。在该情况下，成为在像素电极26上形成电子传输层(电子注入层，或者电子注入层和电子传输层)。然后，在电子传输层上形成发光层，在发光层上形成空穴传输层。成为在空穴传输层上形成对置电极41。在这样的结构的情况下，在多个像素电极26上分别彼此分离地形成电子传输层。向相邻像素的泄漏电流大多在通过有机层中形成于像素电极26侧的层时产生，所以即使在多个像素电极26上分别彼此分离地形成电子传输层的情况下，也可防止泄漏电流的产生。因而，可防止像素的非意图的发光。
[0073]作为本发明的实施方式而以上述的有机EL显示装置1为基础，本领域技术人员可适当进行设计变更而实施的所有有机EL显示装置也只要包含本发明的要旨，就属于本发明的范围。另外，有机EL显示装置以外的显示装置，例如作为发光层采用了量子点元件的量子点显示装置等也属于本发明的范围。
[0074]应该了解到，在本发明的思想范畴中，若为本领域技术人员，则可想到各种变更例和修正例，这些变更例和修正例也属于本发明的范围。例如，对于前述的各实施方式，本领域技术人员适当地进行了构成要素的追加、削除或者设计变更、或者进行了工序的追加、省略或者条件变更而得到的技术，也只要具备本发明的要旨，就包含于本发明的范围。
[0075]另外，应该认识到，对于在本实施方式中通过已经叙述的技术方案带来的其他的作用效果，根据本说明的记载而显而易见、或者本领域技术人员可适当想到的作用效果，当然也可由本发明得到。
[0076]已经描述的内容应该被看作本发明的某种实施方式，应该了解到可以对其进行各种变更，附件中的权利要求包含在保持发明的主旨和范围的基础上的所有变更。
【主权项】
1.一种显示装置，包含: 多个像素电极，其在绝缘表面上彼此分离地设置； 第一层，其设置于所述多个像素电极上，包含多个第一载流子传输层或者多个第一载流子注入层； 像素分离膜，其设置于所述第一层上，在俯视观察时与所述多个像素电极分别重叠的区域具有开口部； 发光层，其被设置成覆盖所述开口部； 第二层，其设置于所述发光层上，包含第二载流子传输层或者第二载流子注入层；以及 对置电极，其设置于所述第二层上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中， 所述第一层被设置成在所述多个像素电极的各个像素电极之间分离。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中， 所述第一层遍及所述多个像素电极地连续设置。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中， 在俯视观察时与所述像素分离膜重叠的所述第一层的载流子迀移率比俯视观察时从所述像素分离膜露出的所述第一层的载流子迀移率低。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中， 所述发光层以与所述多个像素的各个像素对应的方式彼此独立地形成。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中， 俯视观察时所述发光层遍及所述多个像素电极地连续形成。7.一种显示装置，包含: 多个像素电极，其在绝缘表面上彼此分离地设置； 多个第一层，其与所述多个像素电极分别对应且彼此分离地设置，包含多个第一载流子传输层或者多个第一载流子注入层； 发光层，其设置于所述多个第一层上；以及 第二层，其设置于所述发光层上，包含第二载流子传输层或者第二载流子注入层；以及 对置电极，其设置于所述第二层上。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中， 俯视观察时与所述多个像素电极中的一个像素电极不重叠的所述第一层的载流子迀移率比俯视观察时与所述多个像素电极中的一个像素电极重叠的所述第一层的载流子迀移率低。9.一种显示装置，其特征在于，具有: 多个像素电极，其在绝缘表面上彼此分离地设置； 第一层，其遍及所述多个像素电极上地连续设置，包含第一载流子传输层或者第一载流子注入层； 发光层，其设置于所述第一层上； 第二层，其设置于所述发光层上，包含第二载流子传输层或者第二载流子注入层；以及 对置电极，其设置于所述第二层上， 所述第一层具有俯视观察时设置于所述多个像素电极的相邻的2个像素电极之间的中间部分，所述中间部分的载流子迀移率比所述第一层中设置于所述像素电极上的部分的载流子迀移率低。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中， 所述发光层以与所述多个像素的各个像素对应的方式彼此独立地形成。11.根据权利要求9所述的显示装置，其中， 俯视观察时所述发光层遍及所述多个像素电极地连续形成。
【专利摘要】显示装置的特征在于，具有：多个像素电极，其在绝缘表面彼此分离地设置；第一层，其设置于所述多个像素电极上，包含多个第一载流子传输层或者多个第一载流子注入层；像素分离膜，其设置于所述第一层上，在俯视观察时与所述多个像素电极分别重叠的区域具有开口部；发光层，其被设置成覆盖所述开口部；第二层，其设置于所述发光层上，包含第二载流子传输层或者第二载流子注入层；以及对置电极，其设置于所述第二层上。
【IPC分类】H01L27/32
【公开号】CN105448955
【申请号】CN201510605216
【发明人】佐藤敏浩, 安川浩司, 军司雅和
【申请人】株式会社日本显示器
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年9月21日
【公告号】US20160087019