一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及太阳能电池生产技术领域，特别是设及娃异质结太阳能电池及其界面 处理方法。
【背景技术】
[0002] 娃异质结太阳能电池是一种利用晶体娃基板和非晶娃薄膜工艺制成的混合型电 池，具有转换效率高、工艺流程简单、溫度系数低等优势，受到人们的广泛关注。现有娃异质 结太阳能电池的生产工艺包括:清洗、制绒、对氨化非晶娃i(ia-Si:H)膜层和氨化非晶娃P (pa-Si:H)膜层W及氨化非晶娃n(na-Si:H)膜层进行沉积、对透明导电氧化物薄膜进行沉 积、栅极电极丝网印刷、退火等。
[0003] 氨等离子体处理技术是娃异质结太阳能电池的重要制备工艺之一，常用于氨化非 晶娃i(ia-Si:H)膜层表面的处理，可W减少表面未饱和的娃悬挂键等缺陷态，降低界面的 复合，提高界面的纯化效果，提升电池的性能。
[0004] 在沉积氨化非晶娃i膜层、氨化非晶娃P膜层、氨化非晶娃η膜层时，为了避免交叉 污染，一般需要将此Ξ层膜层在Ξ个不同腔室进行沉积，在娃片的一面上沉积完氨化非晶 娃i膜层后的样品会在该腔室中进行氨等离子体处理，然后传送到氨化非晶娃Ρ膜层沉积腔 室或氨化非晶娃η膜层沉积腔室进行沉积，运样处理的好处是提高氨化非晶娃i膜层的纯化 效果，保证氨化非晶娃i膜层与氨化非晶娃P膜层之间的界面W及氨化非晶娃i膜层与氨化 非晶娃η膜层之间的界面性能。但是传送腔室与真空送样室直接连通，传送过程中会伴随有 尘埃、杂质、湿气等污染物进入传送腔室，导致氨化非晶娃i膜层在传送过程中再次产生新 的沾污，从而降低氨化非晶娃i膜层与氨化非晶娃P膜层之间的界面W及氨化非晶娃i膜层 与氨化非晶娃η膜层之间的界面性能，进而降低电池性能。
[0005] 因此，如何避免氨化非晶娃i膜层在沉积传送过程中再次产生沾污，保证氨化非晶 娃i膜层与氨化非晶娃P膜层之间的界面W及氨化非晶娃i膜层与氨化非晶娃η膜层之间的 界面性能，显得十分重要。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的是提供一种娃异质结太阳能电池的界面处理方法，清除氨化非晶娃 i膜层在沉积传送过程中再次产生的沾污，保证氨化非晶娃i膜层与氨化非晶娃Ρ膜层之间 的界面W及氨化非晶娃i膜层与氨化非晶娃η膜层之间的界面性能，提高电池性能。
[0007] 本发明实施例提供了一种娃异质结太阳能电池的界面处理方法，包括：
[000引S1、在氨化非晶娃i膜层的沉积腔室中沉积氨化非晶娃i膜层；
[0009] S2、进行下述任一或任意组合的步骤：
[0010] A对传送到氨化非晶娃η膜层的沉积腔室中的氨化非晶娃i膜层进行氨等离子体界 面处理，在氨化非晶娃i膜层上沉积氨化非晶娃η膜层；
[0011] Β对传送到氨化非晶娃Ρ膜层的沉积腔室中的氨化非晶娃i膜层进行氨等离子体界 面处理，在氨化非晶娃i膜层上沉积氨化非晶娃P膜层。
[0012] 较优的，执行步骤S1后，在氨化非晶娃i膜层的沉积腔室中对氨化非晶娃i膜层进 行氨等离子体界面处理。
[0013] 较优的，氨等离子体界面处理的参数设置为:功率密度为0.01至0.5瓦/平方厘米 (W/cm2)，压强为0.1至10托(Torr)，处理时间为20至500秒。更优的，氨等离子体界面处理的 参数设置为：功率密度为0.03至0.2瓦/平方厘米(W/cm 2)，压强为1至5托(Torr)，处理时间 为50至300秒。
[0014] 较优的，氨等离子体界面处理为氨等离子体界面断辉处理或氨等离子体界面不断 辉处理。
[0015] 本发明实施例还提供了一种娃异质结太阳能电池，娃异质结太阳能电池的界面处 理采用上述任意的方法进行处理。
[0016] 在本发明实施例的技术方案中，改进了娃异质结太阳能电池的界面处理方法，在 沉积氨化非晶娃η膜层或氨化非晶娃P膜层前，对传送到其沉积腔室的氨化非晶娃i膜层进 行氨等离子体界面处理，清除氨化非晶娃i膜层在沉积传送过程中再次产生的沾污，保证氨 化非晶娃i膜层膜层与氨化非晶娃P膜层之间的界面W及氨化非晶娃i膜层膜层与氨化非晶 娃η膜层之间的界面性能，提高电池性能。
【附图说明】
[0017] 图1为本发明一实施例的娃异质结太阳能电池的界面处理方法。
【具体实施方式】
[0018] 为了清除氨化非晶娃i膜层在沉积传送过程中再次产生的沾污，保证氨化非晶娃i 膜层与氨化非晶娃P膜层之间的界面W及氨化非晶娃i膜层与氨化非晶娃η膜层之间的界面 性能，提高电池性能，本发明提供一种新的娃异质结太阳能电池的界面处理方法。为使本发 明的目的、技术方案和优点更加清楚，W下举实施例对本发明作进一步详细说明。
[0019] 如图1所示，本发明一实施例提供了一种娃异质结太阳能电池的界面处理方法，包 括：
[0020] S1、在氨化非晶娃i膜层的沉积腔室中沉积氨化非晶娃i膜层；
[0021] S2、进行下述任一或任意组合的步骤：
[0022] A对传送到氨化非晶娃η膜层的沉积腔室中的氨化非晶娃i膜层进行氨等离子体界 面处理，在氨化非晶娃i膜层上沉积氨化非晶娃η膜层；
[0023] Β对传送到氨化非晶娃Ρ膜层的沉积腔室中的氨化非晶娃i膜层进行氨等离子体界 面处理，在氨化非晶娃i膜层上沉积氨化非晶娃P膜层。
[0024] 在氨化非晶娃η膜层的沉积腔室和/或氨化非晶娃P膜层的沉积腔室进行沉积前， 对传入氨化非晶娃i膜层的进行氨等离子体处理，一方面进一步饱和氨化非晶娃i膜层表面 的娃悬挂键，降低缺陷态，起到纯化作用，另一方面起到清洗氨化非晶娃i膜层表面沾污的 作用，可有效去除传送过程中吸附于氨化非晶娃i膜层表面的尘埃、杂质、湿气等污染物，实 现对界面有效的清洗和纯化，饱和界面的悬挂键，降低表面态，减小界面复合，改善界面性 能，提高电池性能。
[0025] 较优的，执行步骤SI后，在氨化非晶娃i膜层的沉积腔室中对氨化非晶娃i膜层进 行氨等离子体界面处理。
[0026] 较优的，氨等离子体界面处理的参数