0041]
[0042] 式中，k是MEMS桥的弹性刚度，Ah是MEMS桥向上的高度误差，ε〇是空气的相对介电 常数，Wc是中屯、导体宽度，Wb是桥宽度；
[0043] (7c)根据步骤(6b)中MEMS桥向上的高度误差值，因 MEMS桥"down"工作状态下理想 的工作电压为V/，所W第i个MEMS桥"down"工作状态下工作电压的调整量如下：
[0044]
[0045] 式中，k是MEMS桥的弹性刚度，h是MEMS桥的理想高度，Δ h是MEMS桥向上的高度误 差，ε〇是空气的相对介电常数，wc是中屯、导体宽度，Wb是桥宽度。
[0046] 所述步骤(8)当相移量测量值Δ φ?小于或等于标准值Δ φο时，计算第i个MEMS桥 的等效电路参数：
[0047] (8a)将步骤(3)中的相移量测量值与步骤（2)的标准值比较，当相移量测量值Δ Φ?小于标准值A Φο时，可得MEMS桥有向下的高度误差，当相移量测量值Δ Φ?等于标准值 Δ Φο时，MEMS桥没有误差，工作电压不需要调整；
[0048] (8b)计算第i个MEMS桥的等效电路参数，MEMS桥未加载时，传输线上单位长度的等 效电容值Ct公式为：
[0049]
[0050] 式中，Er是介质层的相对介电常数，C是光速，Zo是传输线的特征阻抗；
[0051 ] MEMS桥未加载时，传输线上单位长度的等效电感值k公式为：
[0化2]
[0053] 式中，Ct是传输线上单位长度的等效电容值，Zo是传输线的特征阻抗。
[0054] 所述步骤(9)利用单个MEMS桥的机电禪合模型，反推计算第i个MEMS桥向下的高度 误差值：
[0055] (9a)利用单个MEMS桥的机电禪合模型，W及步骤(3)第i个MEMS桥相移量的测量值 可反推计算出"up"工作状态下可变电容值Cui( Δ h)，该禪合模型如下：
[0化6]
[0057]式中，S是相邻MEMS桥间距值，ω是工作频率，Ct是传输线上单位长度的等效电容 值，U是传输线上单位长度的等效电感值，Cd是"down"工作状态下可变电容值，Cui( Ah)是 "up"工作状态下可变电容值"；Δ φι是第i个MEMS桥相移量的测量值；
[0化引（9b)根据步骤(9a)计算的"啡"工作状态下可变电容值Cui( Ah),利用"啡"工作状 态下可变电容值与MEMS桥高度误差的关系式，可W反推得到第i个MEMS桥向下的高度误差 Ah,该关系式如下：
[0化9]
[0060]式中，Wc是中屯、导体宽度，wb是桥宽度，h是MEMS桥距介质层的理想高度，td是介质 层厚度，ε〇是空气的相对介电常数，Er是介质层的相对介电常数，L是MEMS桥长，A h是MEMS桥 向下的高度误差。
[0061 ]所述步骤(10)利用工作电压对MEMS桥高度的控制关系式，根据MEMS桥向下的高度 误差值，计算第i个MEMS桥"叫"工作状态下工作电压的调整量根据步骤(7a)中工作电压对 MEMS桥高度的控制关系式，利用步骤(9b )MEMS桥向下的高度误差值，因 MEMS桥"啡"工作状 态下的理想工作电压为零，故计算第i个MEMS桥"up"工作状态下工作电压的调整量如下：
[0062]
[0063] 式中，k是MEMS桥的弹性刚度，Ah是MEMS桥向下的高度误差，ε〇是空气的相对介电 常数，Wc是中屯、导体宽度，Wb是桥宽度。
[0064] 本发明与现有技术相比，具有W下特点：
[0065] 1.本发明利用分布式MEMS移相器中关键结构参数MEMS桥高度和电参数相移量之 间禪合关系的禪合模型，可直接分析在工作过程中分布式MEMS移相器受内部载荷环境和外 界载荷环境的影响，导致MEMS桥高度偏移对相移量的影响，解决了目前不能直接得到结构 参数和电参数的问题。
[0066] 2.利用分布式MEMS移相器机电禪合模型，当测量出分布式MEMS移相器相移量时， 可定量得到MEMS桥高度的误差，利用工作电压对MEMS桥高度的控制关系式，可快速给出合 理的工作电压调整量，有效降低了分布式MEMS移相器在实际工况下环境载荷对其电性能的 影响。
【附图说明】
[0067] 图1是本发明一种基于相移量机电禪合的分布式MEMS移相器工作电压的调整方法 的流程图；
[0068] 图2是分布式MEMS移相器"up"工作状态下部分结构示意图；
[0069] 图3是分布式MEMS移相器"down"工作状态下部分结构示意图；
[0070] 图4是分布式MEMS移相器剖面示意图。
【具体实施方式】
[0071 ]下面结合附图及实施例对本发明做进一步说明。
[0072] 参照图1，本发明为一种基于相移量机电禪合的分布式MEMS移相器工作电压的调 整方法，具体步骤如下：
[0073] 步骤1，确定分布式MEMS移相器的结构参数和电磁工作参数。
[0074] 分布式MEMS移相器结构参数如图2所示，包括共面波导传输线、MEMS桥和介质层的 长度、宽度和厚度，相邻两个桥的间距，MEMS桥距介质层的高度。分布式MEMS移相器的材料 属性，包括介质层的相对介电常数。分布式MEMS移相器的电磁工作参数，包括分布式MEMS移 相器的电磁工作频率ω。
[0075] 步骤2,确定分布式MEMS移相器的工作电压标准值Vo和相移量标准值Δ φο。
[0076] 步骤3,测量分布式MEMS移相器第i个(1 ^ i ^M)MEMS桥产生的相移量Δ φι。
[0077] 对分布式MEMS移相器施加 2Vo的工作电压，测量分布式MEMS移相器此工作状态下， Μ个MEMS桥中第i个(1 y <M)MEMS桥产生的相移量Δ φ?。
[007引步骤4，比较相移量测量值Δ Φ i与标准值Δ Φ 0。
[0079] 如果测量值大于标准值，则继续步骤5,否则转至步骤8。
[0080] 步骤5,当相移量测量值Δ φ?大于标准值Δ φο时，计算第i个MEMS桥的等效电路参 数。
[0081] (5a)将步骤3中的相移量测量值与步骤2的标准值比较，当相移量测量值Δ Φ i大 于标准值Δ Φ 0时，可得MEMS桥有向上的高度误差；
[0082] 巧b)计算第i个MEMS桥的等效电路参数，MEMS桥未加载时，传输线上单位长度的等 效电容值Ct公式为：
[0083]
[0084] 式中，Er是介质层的相对介电常数，C是光速，Zo是传输线的特征阻抗；
[0085] MEMS桥未加载时，传输线上单位长度的等效电感值k公式为：
[0086]
[0087] 式中，Ct是传输线上单位长度的等效电容值，Zo是传输线的特征阻抗。
[0088] 步骤6,利用单个MEMS桥的机电禪合模型，反推计算第i个MEMS桥向上的高度误差 值。
[0089] (6a)利用单个MEMS桥的机电禪合模型，W及步骤3第i个MEMS桥相移量的测量值可 反推计算出"up"工作状态下可变电容值Cui( Δ h)，该禪合模型如下：
[0090]
[0091] 式中，S是相邻MEMS桥间距值，ω是工作频率，Ct是传输线上单位长度的等效电容 值，Lt是传输线上单位长度的等效电感值，Cd是"down"工作状态下可变电容值，Cui( Ah)是 "up"工作状态下可变电容值；Δ φι是第i个MEMS桥相移量的测量值；
[0092] (6b)根据步骤(6a)计算的"up"工作状态下可变电容值Cui( Ah),利用"up"工作状 态下可变电容值与MEMS桥高度误差的关系式，可W反推得到第i个MEMS桥向上的高度误差 Ah,该关系式如下：
[0093]
[0094] 式中，wc是中屯、导体宽度，wb是桥宽度，h是MEMS桥距介质层的理想高度，td是介质 层厚度，ε〇是空气的相对介电常数，Er是介质层的相对介电常数，L是MEMS桥长，A h是MEMS桥 向上的局度误差。
[0095] 步骤7，根据MEMS桥向上的高度误差值，分别计算第i个1615桥"啡"和"down"两个 工作状态下工作电压的调整量。
[0096] (7a)工作电压对MEMS桥高度的控制关系式如下所示：
[0097]
[009引式中，k是MEMS桥的弹性刚度，h是MEMS桥的理想高度，ε0是空气的相对介电常数，W。 是中屯、导体宽度，Wb是桥宽度；
[0099] (7b)根据步骤(6b)中MEMS桥向上的高度误差值，因 MEMS桥"啡"工作状态下的理想 工作电压为零，故计算第i个MEMS桥"up"工