到的点的显示面积均等。
[0112]例如，如图18的粗实线所示，在使用G的子像素显示G的子像素的一点的数据的情况下(G像素上的Gdata的情况下)，使G的子像素的亮度略微下降，使周围的G的其他的子像素的亮度略微提高(从而发光或亮灯)。更具体而言，将中心的G的子像素的原始数据设定为G (m，η)，将L的值设定在例如O至0.2的范围内，将周围的G的四个子像素的亮度设为LXG(m，η)，并将中心的G的子像素的亮度设定为(I — L)XG(m，n)。也可以改变奇数行和偶数行之间的L的值(从而根据像素的高度调整该值)。
[0113]另外，如图18的粗虚线所示，在R或B的子像素(在此为R的子像素)上显示G的子像素的一点的数据的情况下(R/B像素上的Gdata的情况下)，将周围的G的子像素的亮度略微提高(从而发光或亮灯)。更具体而言，当将R的子像素中G的原始数据设定为例如G(m，η)以及J+K = 0.5时，则左右侧的G的子像素的亮度为JXG(m，η)，上侧和下侧的G的子像素的亮度为KXG(m，η)。也可以改变奇数行和偶数行的J和K的值(从而根据像素的高度调整该值)。
[0114]因此，在显示G的子像素的一点的数据的情况下，将周围的G的子像素的亮度略微提尚从而使人眼感觉到的点的显不面积均等，由此提尚显不品质。
[0115]图19是显示R或B(在此是R)的子像素的一点的数据时的渲染方法的一例。当识别为数据显示时，即使显示数据是子像素的一点的数据，也能够有意地进行误差扩散处理从而使在使用R或B的子像素显示R或B的子像素的一点的数据的情况和使用G的子像素显示数据的情况中人眼感觉到的点的显示面积均等。
[0116]例如，如图19的粗实线所示，在R的子像素内显示R的子像素的一点的数据的情况下(R像素上的Rdata的情况下)，将R的子像素的亮度略微降低，并将上侧和下侧的G的子像素的亮度略微提高(从而发光或亮灯)。更具体而言，将R的子像素的原始数据设定为R(m，n)，并将L的值设定在例如O至0.1的范围内，将上侧和下侧的G的两个子像素的亮度设定为LXG(m，η)。然后，根据L的值，降低R的子像素的亮度，由此总亮度与原始数据的亮度大致相等。也可以对左侧和右侧的G的子像素进行误差扩散处理，但是在奇数行和偶数行具有不同高度的情况下，减小取决于场所的识别区域的差异的对上侧和下侧的G的子像素进行的扩散可能是优选的。
[0117]另外，如图19的虚线所示，在G的子像素(被夹在上侧和下侧的R的子像素之间的G的子像素)上显示R的子像素的一点的数据的情况下(在上方和下方的R之间的G像素上的Rdata的情况下)，将G的子像素的亮度降低，并将上侧和下侧的R的子像素的亮度略微提高(从而发光或亮灯)。更具体而言，将G的子像素的原始数据设定为G(m，η)，例如，将K设定为大约0.5，将L的值设定在O到0.1的范围内，将上侧和下侧的R的子像素的亮度设定为KXG (m，η)，并将中央的G的子像素的亮度设定为LXG (m，η)，对中央的G的子像素也进行误差扩散处理。根据L的值，减小R的子像素的亮度，因此总亮度与原始数据的亮度大致相等。
[0118]因此，在显示R或B的子像素的一点的数据的情况下，将R或B的上侧和下侧的G的子像素的亮度略微提高，或者将G的子像素的上侧和下侧的R或B的子像素的亮度略微提尚，由此使人眼感觉到的点的显不面积均等并提尚显不品质。
[0119]图20是显示R或Β(在此为R)的子像素的一点的数据时的渲染方法的另一例。
[0120]例如，如图20的粗实线所示，在G的子像素(被夹在左侧和右侧的R的子像素之间的G的子像素)内显示R的子像素的一点的数据的情况下(在左侧和右侧的R之间的G像素上的Rdata的情况下)，将G的子像素的亮度降低，并将左侧和右侧的R的子像素的亮度略微提高(从而发光或亮灯)。更具体而言，如果例如将G的子像素的原始数据设定为G (m，η)，将K设定为大约0.5以及将L的值设定在O至0.1的范围内，则左侧和右侧的R的子像素的亮度为KXG(m，n)，同时中央的G的子像素的亮度为LXG(m，η)，并且对中央的G的子像素也进行误差扩散处理。然后根据L的值减小R的子像素的亮度，使得总亮度与原始数据的亮度大致相等。
[0121]因此，在G的子像素内显示R或B的子像素的一点的数据的情况下，将G的子像素的亮度降低，并将G的子像素的左侧和右侧的R或B的子像素的亮度略微提高，由此使人眼感觉到的点的显不面积均等并提尚显不品质。
[0122]图21是显示R或B(在此为R)的子像素的一点的数据时的渲染的另一例。这可使颜色或多或少偏离原始数据，但在数据显示时优先考虑点识别率的提高。
[0123]例如，在如图21的粗实线所示，在B的子像素内显示R的子像素的一点的数据的情况下(B像素上的Rdata的情况下)，将斜向周边的R的四个子像素的亮度略微提高(从而发光或亮灯)。更具体而言，当将R的子像素的原始数据设定为R(m，n)且将L的值设定为例如大约0.25时，斜向周边的R的四个子像素的亮度为LXR(m，η)。另外，为了进一步提高可视性，对R的子像素之间的G的子像素(在横向或纵向上的R的两个子像素之间夹着的G的子像素)进行误差扩散处理。该情况下，进行极少量(例如，小于或等于5%)的误差扩散处理，并相应地降低斜向周边的R的四个子像素的亮度，从而使总亮度与原始数据的亮度大致相等。
[0124]如上所述，在B(或R)的子像素内显示R(或B)的子像素的一点的数据的情况下，将斜向周边的R(或B)的四个子像素的亮度略微提高、或者将被斜向周边的R(或B)的四个子像素包围的G的子像素的壳度略微提尚，从而使人眼感觉到的点的显不面积均等并提尚显不品质O
[0125]为了进行上述的渲染方法，需要对显示图像进行误差扩散处理，并区分和识别显示图像的哪个部分对应于角部、边界、点等特异点。例如，如图22所示，在使用MXN(在此为5X5)的矩阵进行图像处理的情况下，对于中心的子像素，根据假设5X5的亮度分布图案的组分类表来进行识别。由此，在中心的子像素被识别为角部、边界、点等特异点的情况下，基于与各特异点相对应的误差扩散处理表，处理中心的子像素及其周围的子像素的数据。然后，将处理的数据保存在显示的图像用的线路存储器中。在该方法中，与MX2行相对应的线路存储器允许在依次扫描的同时输出显示的图像，因此不再需要图像处理用的单独的专用的帧存储器。即，能够用非常小型的电路系统实现上述的渲染方法。
[0126]在存在有与子像素数相对应的RGB的原始数据的情况下，可基于上述的任一算法进行误差扩散处理，当原始数据数少于子像素数时，需要再配置图像数据。例如，在子像素数是原始数据数的两倍并且以与波形瓦排列相同的比率转换分辨率的情况下，如图23所示，针对一原始数据配置G/B的子像素或R/G的子像素。虽然例如自然画等的高分辨率图像可按照原样显示，但在对数据进行显示的情况下以与上述的算法相同的方法进行误差扩散处理，以抑制彩色边缘的影响。在子像素数不能被原始数据数整除的情况下，可进行再配置，使得原始数据的亮度信号的分布可最佳地反映在G的子像素中。
[0127](第一实施例)
[0128]接下来，参照图24至图40对根据第一实施例的像素阵列和电气光学装置进行说明。
[0129]尽管在如上所述的实施方式中特别说明了电气光学装置(有机EL显示装置)中的像素排列结构，但本实施例对有机EL显示装置的制造方法进行说明，该有机EL显示装置包括具有如上所述的像素排列结构的像素阵列。图24、图26、图28和图30是具有图14中所示的像素排列结构的一个像素的俯视图，而图25、图27、图29和图31是为了与图24、图26、图28、图30相对应地说明而特别抽出一个子像素中所示的TFT部、保持电容部以及发光元件的剖视图。
[0130]首先，如图24和图25所示，在玻璃等制成的透明基板(玻璃基板101)上使用化学气相沉积(CVD)法等沉积例如氮化硅膜等来形成基底绝缘膜102。接下来，使用公知的低温多晶硅TFT制造技术来形成TFT部及保持电容部。更具体而言，使用CVD法等来沉积非晶硅，通过准分子激光退火(ELA)使非晶硅结晶从而形成多晶硅层103。在图24中，为确保Ml开关TFT 108a,M2驱动TFT 108b、以及Cl保持电容109的位置，用点划线表示像素的边界，用实线表示阳极电极111，用虚线表示R发光区域117、G发光区域118、以及B发光区域119。在此，为了确保用作电压到电流转换放大器的M2驱动TFT 108b的充分的沟道长度以抑制输出电流的波动，并且为了能够实现Ml开关TFT 108a的漏极和数据线107a(图28)之间的连接、Ml开关TFT 108a的源极和Cl保持电容109之间的连接、Cl保持电容109和电力供给线107b (图28)之间的连接、M2驱动TFT 108b的源极和电力供给线107b之间的连接、以及M2驱动TFT 108b的漏极和各子像素的阳极电极111之间的连接，如图所示地使多晶硅层103迂回。为了在每行获得Y轴对称结构，改变上侧和下侧的Ml开关TFT、M2驱动TFT、以及Cl保持电容的形状。
[0131]接下来，如图26和图27所示，在多晶硅层103上使用CVD法等沉积例如氧化硅膜来形成栅极绝缘膜104，并通过溅射技术进一步沉积例如钼(Mo)、铌(Nb)、钨(W)或它们的合金作为第一金属层105来形成栅极电极105a和保持电容电极105b。在第一实施例中，在与栅极电极105a同一层中形成沿栅极电极105a的方向延伸的电力供给线105c，从而连接通过下述的第二金属层107 (图29)形成的各电力供给线107b。第一金属层105也可以使用从包括例如Mo、W、Nb、Moff, MoNb, Al、Nd、T1、Cu、Cu合金、Al合金、Ag和Ag合金的组中选择的一种物质形成单层，或使用从包括作为低电阻物质的Mo、Cu、Al或Ag的两层或更多层的结构的组中选择的层叠结构来形成，以减小互连电阻。在此，为了增大各子像素中的保持电容并使各子像素中的Ml开关TFT的漏极和保持电容电极105b之间的连接容易，将第一金属层105形成为具有如图所示的形状。接下来，对在栅极电极形成之前掺杂有高浓度杂质层(P+层103c)的多晶娃层103，使用栅极电极105a作为掩膜，实施附加的杂质掺杂，以形成夹有本征层Q层103a)的低浓度杂质层(P —层103B)，由此在TFT部中形成轻掺杂漏极(LDD)结构。
[0132]接下来，如图28和图29所示，使用CVD法等沉积例如氧化硅膜等来形成层间绝缘膜106。对层间绝缘膜106和栅极绝缘膜104进行各向异性蚀刻，从而使得用于连接到多晶硅层103的接触孔和用于连接到电力供给线105c的接触孔开口。接下来，使用溅射技术，沉积例如由Ti/Al/Ti等铝合金制成的第二金属层107，并进行图案化以形成源极/漏极电极、数据线107a、电力供给线107b、第一接触部107c (涂黑的矩形部分)。在此，电力供给线107b形成为直线状并经由第一接触部107c连接到预定的电力供给线105c。使B的电力供给线107b的宽度加宽成大于R和G的电力供给线107b的宽度。数据线107a具有以在每行中配置于子像素的右侧或左侧的方式迂回的形状。由此实现数据线107a和Ml开关TFT108a的漏极之间的连接、Ml开关TFT 108a的源极和保持电容电极105b以及M2驱动TFT108b的栅极之间的连接、以及M2驱动TFT 108b的源极和电力供给线107b之间的连接。
[0133]接下来，如图30和图31所示，沉积感光性的有机材料以形成平坦化膜110。将曝光条件最佳化以调整锥角，从而使用于连接到M2驱动TFT 108b的漏极的接触孔(由标记有X的粗实线包围的部分)打开。在其上使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr或它们的化合物的金属沉积反射膜，之后在其上沉积ΙΤΟ、ΙΖ0, ZnO, In2O3等的透明膜，