一种薄膜太阳能电池背电极的制备方法

文档序号:9868422阅读:265来源:国知局
一种薄膜太阳能电池背电极的制备方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及一种薄膜太阳能电池背电极的制备方法。
【背景技术】
[0002]丝网印刷技术已广泛应用于晶硅太阳能电池电极的制备,在太阳能电池的正电极、背电极及背电场的制作过程发挥了很重要的作用,丝网印刷制备晶硅电池电极的工艺现在已经相当成熟,已经成为其主流工艺方式,随着丝网印刷技术的发展,其应用范围也越来越广泛。
[0003]目前薄膜电池背电极一般都是通过磁控溅射方法制备的,其工艺步骤包括磨边、一次清洗、激光一、二次清洗、预热、沉积、冷却一、激光二、PVD、激光三、扫边、退火、冷却二、反压修复、芯片测试、芯片清洗、焊接汇流条,由于使用真空设备为主,造价高、前期投入大,且原材料比较贵、利用率比较低,电池的生产成本比较高;制备完成的背电极还需进行激光刻划,分割成一个个子电池的背电极,工艺复杂。

【发明内容】

[0004]本发明其目的就在于提供一种薄膜太阳能电池背电极的制备方法,采用丝网印刷制备背电极工艺替代薄膜电池生产使用的磁控溅射及激光三工艺,具有简化工艺流程、减少设备投入、降低生产成本的特点,且丝网印刷还可使透光的线宽大小根据需要设计,电池的外观结构也可根据需求设计,适用范围更广。
[0005]实现上述目的而采取的技术方案,包括磨边、一次清洗、激光一、二次清洗、预热、沉积、冷却一、激光二步骤,还包括步骤
1)阻挡层丝网印刷,所述激光二步骤完成后的芯片被传送至阻挡层丝网印刷机处,先通过CCD及机械运动参考激光一进行芯片的定位,定位精度控制在20μπι,定位完成后使用自动夹具固定芯片的位置,然后把模板固定在芯片表面进行阻挡层的印刷,线条位于激光二刻线旁靠近芯片负极侧,与Pl刻线线间距为200-270um,所述与Pl刻线线间距为两线内侧距离,线条的宽度为ΙΟΟμπι、直线度小于20μηι、平行度小于30μηι、膜层的厚度为10-30μηι,以减小死区面积及减小成本的情况下保证背电极良好的导电性能;
2)烘干固化阻挡层,加热温度小于200°C;
3)背电极印刷,芯片阻挡层烘干固化完成后,传送至背电极丝网印刷机处,通过CCD及机械运动参考激光一进行芯片的定位,定位精度控制在20μπι,定位完成后使用自动夹具固定芯片的位置,然后把模板固定在芯片表面进行背电极的印刷,因为需要防止背电极进入阻挡层分割线内,所以背电极分割线要完全覆盖阻挡层分割线,初步工艺要求阻挡层分割线外边缘与背电极分割线内边缘相距不小于50μπι、线条的宽度为200-300μπι、直线度小于20μπι、平行度小于30μπι、膜层的厚度为10-30μπι,以减小成本的情况下保证背电极良好的导电f生會K;
4)烘干固化背电极,加热温度小于200°C; 5)扫边;
6)冷却二;
7)反压修复;
8)芯片测试;
9)芯片清洗;
10)焊接汇流条。
[0006]有益效果
与现有技术相比本发明具有以下优点。
[0007]本发明采用丝网印刷制备背电极工艺替代薄膜电池生产使用的磁控溅射及激光三工艺。丝网印刷替代磁控溅射及激光三可简化工艺流程、减少设备投入,进而降低生产成本;丝网印刷还可使透光的线宽大小根据需要设计、电池的外观结构也可根据需求设计。
【附图说明】
[0008]下面结合附图对本发明作进一步详述。
[0009]图1为本方法工艺步骤流程示意图。
【具体实施方式】
[0010]—种薄膜太阳能电池背电极的制备方法,包括磨边、一次清洗、激光一、二次清洗、预热、沉积、冷却一、激光二步骤,如图1所示,还包括步骤
1)阻挡层丝网印刷,所述激光二步骤完成后的芯片被传送至阻挡层丝网印刷机处,先通过CCD及机械运动参考激光一进行芯片的定位,定位精度控制在20μπι,定位完成后使用自动夹具固定芯片的位置,然后把模板固定在芯片表面进行阻挡层的印刷,线条位于激光二刻线旁靠近芯片负极侧,与Pl刻线线间距为200-270um,所述与Pl刻线线间距为两线内侧距离,线条的宽度为ΙΟΟμπι、直线度小于20μηι、平行度小于30μηι、膜层的厚度为10-30μηι,以减小死区面积及减小成本的情况下保证背电极良好的导电性能;
2)烘干固化阻挡层,加热温度小于200°C;
3)背电极印刷,芯片阻挡层烘干固化完成后,传送至背电极丝网印刷机处,通过CCD及机械运动参考激光一进行芯片的定位,定位精度控制在20μπι,定位完成后使用自动夹具固定芯片的位置,然后把模板固定在芯片表面进行背电极的印刷,因为需要防止背电极进入阻挡层分割线内,所以背电极分割线要完全覆盖阻挡层分割线,初步工艺要求阻挡层分割线外边缘与背电极分割线内边缘相距不小于50μπι、线条的宽度为200-300μπι、直线度小于20μπι、平行度小于30μπι、膜层的厚度为10-30μπι,以减小成本的情况下保证背电极良好的导电f生會K;
4)烘干固化背电极,加热温度小于200°C;
5)扫边;
6)冷却二;
7)反压修复;
8)芯片测试;
9)芯片清洗; 10)焊接汇流条。
[0011]所述薄膜电池表面采用丝网印刷的技术印制阻挡层及背电极,使用的浆料为UninwelI公司的太阳能浆料系列,印制阻挡层使用的CF-88XX系列ΙΤ0/ΑΖ0浆料,印制背电极使用的SC-666-XX系列低温固化导电银浆。
【主权项】
1.一种薄膜太阳能电池背电极的制备方法,包括磨边、一次清洗、激光一、二次清洗、预热、沉积、冷却一、激光二步骤,其特征在于,还包括步骤 阻挡层丝网印刷,所述激光二步骤完成后的芯片被传送至阻挡层丝网印刷机处,先通过CCD及机械运动参考激光一进行芯片的定位,定位精度控制在20μπι,定位完成后使用自动夹具固定芯片的位置,然后把模板固定在芯片表面进行阻挡层的印刷,线条位于激光二刻线旁靠近芯片负极侧,与Pl刻线线间距为200-270um,所述与Pl刻线线间距为两线内侧距离,线条的宽度为ΙΟΟμπι、直线度小于20μηι、平行度小于30μηι、膜层的厚度为10-30μηι,以减小死区面积及减小成本的情况下保证背电极良好的导电性能; 烘干固化阻挡层,加热温度小于200°C; 背电极印刷,芯片阻挡层烘干固化完成后,传送至背电极丝网印刷机处,通过CCD及机械运动参考激光一进行芯片的定位,定位精度控制在20μπι,定位完成后使用自动夹具固定芯片的位置,然后把模板固定在芯片表面进行背电极的印刷,因为需要防止背电极进入阻挡层分割线内,所以背电极分割线要完全覆盖阻挡层分割线,初步工艺要求阻挡层分割线外边缘与背电极分割线内边缘相距不小于50μπι、线条的宽度为200-300μπι、直线度小于20μm、平行度小于30μπι、膜层的厚度为10-30μπι,以减小成本的情况下保证背电极良好的导电性會K; 烘干固化背电极,加热温度小于200°C ; 扫边; 冷却二; 反压修复; 芯片测试; 芯片清洗; 焊接汇流条。2.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池背电极的制备方法,其特征在于,所述薄膜电池表面采用丝网印刷的技术印制阻挡层及背电极,使用的浆料为Uninwell公司的太阳能浆料系列,印制阻挡层使用的CF-88XX系列ΙΤ0/ΑΖ0浆料,印制背电极使用的SC-666-XX系列低温固化导电银浆。
【专利摘要】一种薄膜太阳能电池背电极的制备方法,包括磨边、一次清洗、激光一、二次清洗、预热、沉积、冷却一、激光二步骤,还包括步骤阻挡层丝网印刷,把模板固定在芯片表面进行阻挡层的印刷;烘干固化阻挡层;背电极印刷,芯片阻挡层烘干固化完成后,把模板固定在芯片表面进行背电极的印刷;烘干固化背电极;扫边;冷却二;反压修复;芯片测试;芯片清洗;焊接汇流条。采用丝网印刷制备背电极工艺替代薄膜电池生产使用的磁控溅射及激光三工艺,具有简化工艺流程、减少设备投入、降低生产成本的特点,且丝网印刷还可使透光的线宽大小根据需要设计,电池的外观结构也可根据需求设计,适用范围更广。
【IPC分类】H01L31/18
【公开号】CN105633216
【申请号】CN201610167626
【发明人】王宏杰, 魏小涛, 周志虎
【申请人】江西共青城汉能薄膜太阳能有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年3月23日
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