浅结密栅微米电极的电镀加工方法
【专利摘要】本发明公开了一种浅结密栅微米电极的电镀加工方法，采用电镀加工方法可以实现比丝网印刷技术更细、更浅电极的加工，这种加工方法需要对电池片进行导电种子层沉积和光刻图形化电镀模具，这种方法开发线宽和厚度更小、导电性能更佳、成本更低。
【专利说明】
浅结密栅微米电极的电镀加工方法
技术领域
[0001]本发明涉及太阳能电池加工技术领域，特别涉及一种浅结密栅微米电极的电镀加工方法。
【背景技术】
[0002]目前硅太阳能电池正面的栅线电极加工主要依赖丝网印刷技术，这种方法具有技术成熟的特点，但是也存在一系列的缺点:银浆消耗量大，成本支出大；电极线的宽度和厚度进一步减小困难;电极导电性能受到银浆颗粒的限制，开发线宽和厚度更小、导电性能更佳、成本更低的电极加工方法具有重要的意义。
[0003]
【发明内容】
[0004]为了克服上述缺陷，本发明提供了一种开发线宽和厚度更小、导电性能更佳、成本更低的浅结密栅微米电极的电镀加工方法。
[0005]本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是:一种浅结密栅微米电极的电镀加工方法，包括以下步骤:
1)在太阳能电池片表面光刻制作刻蚀掩膜，采用AZ、KMPR等光刻胶，厚度2?50微米厚，紫外光波段1、g或者H线；
2)等离子体去除残留层:频率选用微波段(如2.4GHz)，或者射频段(如13.56MHz)，气体采用氧气02或者四氟化碳CF4，气体流量5?200sccm，功率20?300W ；
3)然后放进真空镀膜机中，腔体本体真空度不低于10E—3Pa，通入氩气，流量5-1OOsccm，然后进行溅射镀膜，镀膜厚度50?100纳米；
4)放入电镀液中，进行电镀，例如直流电镀，电流密度0.1-3dA/cm2，镀层厚度5?100微米；
5)把样品放入去胶溶剂中，待光刻胶去除干净后，即可得到电镀栅线电极的太阳能电池片。
[0006]本发明的有益效果是:本发明的浅结密栅微米电极的电镀加工方法可以实现比丝网印刷技术更细、更浅电极的加工，这种加工方法需要对电池片进行导电种子层沉积和光刻图形化电镀模具，这种方法开发线宽和厚度更小、导电性能更佳、成本更低。
[0007]
【附图说明】
[0008]图1为本发明方法的流程简易示意图。
[0009]
【具体实施方式】
[0010]为了加深对本发明的理解，下面将结合实施例和附图对本发明作进一步详述，该实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。
[0011]图1示出了本发明一种浅结密栅微米电极的电镀加工方法，的一种实施方式，包括以下步骤:
1)在太阳能电池片表面光刻制作刻蚀掩膜，采用AZ、KMPR等光刻胶，厚度2?50微米厚，紫外光波段1、g或者H线；
2)等离子体去除残留层:频率选用微波段(如2.4GHz)，或者射频段(如13.56MHz)，气体采用氧气02或者四氟化碳CF4，气体流量5?200sccm，功率20?300W ；
3)然后放进真空镀膜机中，腔体本体真空度不低于10E—3Pa，通入氩气，流量5-1OOsccm，然后进行溅射镀膜，镀膜厚度50?100纳米；
4)放入电镀液中，进行电镀，例如直流电镀，电流密度0.1-3dA/cm2，镀层厚度5?100微米；
5)把样品放入去胶溶剂中，待光刻胶去除干净后，即可得到电镀栅线电极的太阳能电池片。
【主权项】
1.一种浅结密栅微米电极的电镀加工方法，其特征在于:包括以下步骤: 1)在太阳能电池片表面光刻制作刻蚀掩膜，采用AZ、KMPR等光刻胶，厚度2?50微米厚，紫外光波段1、g或者H线； 2)等离子体去除残留层:频率选用微波段，或者射频段，气体采用氧气02或者四氟化碳CF4，气体流量5?200sccm，功率20?300W ； 3)然后放进真空镀膜机中，腔体本体真空度不低于10E—3Pa，通入氩气，流量5-lOOsccm，然后进行溅射镀膜，镀膜厚度50?100纳米； 4)放入电镀液中，进行电镀，电流密度0.1?3dA/cm2，镀层厚度5?100微米； 5)把样品放入去胶溶剂中，待光刻胶去除干净后，即可得到电镀栅线电极的太阳能电池片。
【文档编号】H01L31/0224GK105845751SQ201610189185
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年3月30日
【发明人】朱学林, 季益群
【申请人】江苏欧达丰新能源科技发展有限公司