一种离子束流采集装置的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种离子束流采集装置，包括)：接束杯(1)、前挡光板(2)、气冷装置(3)、侧挡光板(4)、永久磁铁(5)和束流缝隙(6)。其中离子束流通过束流缝隙(6)在永久磁铁(5)的聚焦作用下进入接束杯(1)中进行测量。前挡光板(2)和侧挡光板(4)挡住束流缝隙(6)之外的离子束，防止离子束直接轰击接束杯(1)，气冷装(3)置对接束杯(1)进行冷却。
【专利说明】
一种离子束流采集装置
技术领域
[0001]本发明涉及一种半导体领域工艺设备的测量装置，尤其涉及一种精确测量的方式，该装置是离子注入机中注入、工艺测试不可缺少的装置，该装置是低能大束流离子注入装备中的关键装置之一。
【背景技术】
[0002]随着半导体工艺的发展，束流的稳定性及测量的精准度对于离子注入系统愈发重要，对注入产品的质量、效率和离子注入机的产业化有着很大的影响。束流采集装置在离子注入过程中起到至关重要的作用，束流采集装置是在注入工艺实现之前的前道测量系统，不论在任何时候只要硅片注入首先必须先进行束流的采集、测量。在经过精确的离子剂量校准之后才可以进行后期的工艺注入。束流采集装置在离子注入机中的重要性显而易见。
【发明内容】
[0003]本发明公开了一种离子束流采集装置，主要用于离子注入机系统，离子束流采集装置所采集束流的精准度对离子注入工艺的稳定性，和注入系统的工作效率起到至关重要的作用。
[0004]本发明通过以下技术方案实现:
[0005]离子束流采集装置，包括:接束杯(I)、前挡光板(2)、气冷装置(3)、侧挡光板(4)、永久磁铁(5)和束流缝隙(6)。其特征在于:离子束流通过束流缝隙(6)在永久磁铁(5)的聚焦作用下进入接束杯(I)中进行测量。前挡光板(2)和侧挡光板(4)挡住束流缝隙(6)之外的离子束，防止离子束直接轰击接束杯(1)，气冷装(3)置对接束杯(I)进行冷却。
【具体实施方式】
[0006]1、包括:接束杯(I)、前挡光板(2)、气冷装置(3)、侧挡光板(4)、永久磁铁(5)和束流缝隙(6)。
[0007]2、离子束流采集过程为:离子束流通过束流缝隙(6)首先要经过永久磁铁聚焦后进入接束杯(I)，使得经过聚焦后的离子束流测量更加精准、稳定，保障后期剂量控制的稳定性。
[0008]3、永久磁铁(5)，聚焦作用，使得经过聚焦后的离子束流测量更加精准、稳定，保障后期剂量控制的稳定性。
[0009]4、前挡光板(2)和侧挡光板(4)，挡住束流缝隙(6)之外的离子束，防止离子束直接轰击接束杯(I)。
[0010]5、气冷装(3)，控制接束杯⑴的温度。
[0011]本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本发明专利的侵犯，将承担相应的法律责任。
【附图说明】
[0012]图1离子束流采集装置机械结构总装图
【主权项】
1.离子束流采集装置，包括:接束杯(I)、前挡光板(2)、气冷装置(3)、侧挡光板(4)、永久磁铁(5)和束流缝隙(6)。其特征在于:离子束流通过束流缝隙(6)在永久磁铁(5)的聚焦作用下进入接束杯(I)中进行测量。前挡光板(2)和侧挡光板(4)挡住束流缝隙(6)之外的离子束，防止离子束直接轰击接束杯(1)，气冷装(3)置对接束杯(I)进行冷却。2.如权利要求1所示的一种离子束流采集装置，永久磁铁(5)其特征在于:离子束流通过束流缝隙(6)首先要经过永久磁铁聚焦后进入接束杯(I)，使得经过聚焦后的离子束流测量更加精准、稳定，保障后期剂量控制的稳定性。3.如权利要求1所示的一种离子束流采集装置，前挡光板⑵和侧挡光板⑷其特征在于:挡住束流缝隙(6)之外的离子束，防止离子束直接轰击接束杯(I)。4.如权利要求1所示的一种离子束流采集装置，气冷装(3)其特征在于:控制接束杯(I)的温度。
【文档编号】H01J37/02GK105895480SQ201410581873
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2014年10月27日
【发明人】李幸夫
【申请人】北京中科信电子装备有限公司