在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法
【专利摘要】一种在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，包括如下步骤：在导线上形成第一绝缘薄膜；通过蚀刻工艺在第一绝缘薄膜中形成第一接触孔，第一接触孔贯穿第一绝缘薄膜；在第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜，第二绝缘薄膜填入第一接触孔中；通过蚀刻工艺在第二绝缘薄膜中形成第二接触孔，第二接触孔贯穿第二绝缘薄膜；以及在第二绝缘薄膜上形成导电连接层，导电连接层填入第二接触孔中并与导线接触导通。该制作方法，可以有效地避免底切(undercut)问题，且制作工艺简单，易于实现。
【专利说明】
在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法
技术领域
[0001] 本发明设及显示技术领域，具体地设及一种在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方 法。
【背景技术】
[0002] 随着显示技术的发展，液晶显示面板化iquid Crystal Display,LCD)因其轻便、 低福射等优点使用越来越普遍。液晶显示面板包括对置的彩色滤光片基板(CF基板)和薄膜 晶体管阵列基板(TFT阵列基板)W及夹置在两者之间的液晶层。
[0003] 如图1所示，在TFT制造工艺中，往往要求蚀刻过后的图形或过孔断面有一定的坡 度角，运样有利于下一层薄膜沉积时能够很好的覆盖。而目前TFT制造工艺中，在两层或多 层非金属膜中制作接触孔时，通常采取一次蚀刻同时蚀刻两层或多层非金属膜层的制程。 在图1中，在两层绝缘膜11、12中，通过一次干蚀刻工艺制作形成有接触孔(图未标），该接触 孔具有一定的坡度角，运样下一层薄膜13在沉积时能够很好的覆盖该接触孔。
[0004] 如图2所示，当叠加在一起的不同非金属层蚀刻速率相差过大，典型的如下层绝缘 膜11比上层绝缘膜12蚀刻速率快较多时，蚀刻过后会出现底切(undercut)现象，下一层薄 膜13在沉积时无法很好的覆盖接触孔，严重的导致下一层薄膜13在爬坡位置断裂(如图中 所示）。
[0005] 现有解决底切(undercut)现象的方式为调整蚀刻制程参数，调整诸如气体配比、 制程功率、环境压力等等，使对不同绝缘膜层的蚀刻速率尽量接近。但该方法需设计大量实 验，费时费力，而且在薄膜间蚀刻率差异过于巨大的情况下，依靠调整蚀刻制程参数的方法 无法很好的解决底切(undercut)现象。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的是提供一种在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法，可W有效地避 免底切(undercut)问题，且制作工艺简单，易于实现。
[0007] 本发明第一实施例提供的解决其技术问题的技术方案如下：
[000引一种在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，包括如下步骤：
[0009] 在导线上形成第一绝缘薄膜，导线由导电材料制成；
[0010] 通过蚀刻工艺在第一绝缘薄膜中形成第一接触孔，第一接触孔贯穿第一绝缘薄 膜，W露出导线；
[0011] 在第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜，第二绝缘薄膜填入第一接触孔中；
[0012] 通过蚀刻工艺在第二绝缘薄膜中形成第二接触孔，第二接触孔贯穿第二绝缘薄 膜，W露出导线，其中第二接触孔的尺寸小于第一接触孔，使得在对第二绝缘薄膜进行蚀刻 形成第二接触孔的过程中不会蚀刻到第一绝缘薄膜;W及
[0013] 在第二绝缘薄膜上形成导电连接层，导电连接层填入第二接触孔中并与导线接触 导通。
[0014] 本发明第二实施例提供的解决其技术问题的技术方案如下：
[0015] -种在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，包括如下步骤：
[0016] 在导线上形成第一绝缘薄膜，导线由导电材料制成；
[0017] 通过蚀刻工艺在第一绝缘薄膜上形成第一接触孔，第一接触孔贯穿第一绝缘薄 膜，W露出导线；
[0018] 在第一绝缘薄膜上形成由导电材料制成的蚀刻阻挡层，蚀刻阻挡层填入第一接触 孔中并与导线接触导通；
[0019] 在第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜，第二绝缘薄膜覆盖蚀刻阻挡层；
[0020] 通过蚀刻工艺在第二绝缘薄膜中形成第二接触孔，第二接触孔贯穿第二绝缘薄 膜，W露出蚀刻阻挡层，其中蚀刻阻挡层具有阻隔作用，使得在对第二绝缘薄膜进行蚀刻形 成第二接触孔的过程中不会蚀刻到第一绝缘薄膜;W及
[0021] 在第二绝缘薄膜上形成导电连接层，导电连接层填入第二接触孔中并与蚀刻阻挡 层接触导通。
[0022] 本发明较佳实施例中，导线为TFT阵列基板上的栅源漏极金属层中的栅极或源极 或漏极。
[0023] 本发明较佳实施例中，第一绝缘薄膜为TFT阵列基板上的栅极绝缘层，第二绝缘薄 膜为TFT阵列基板上的纯化绝缘层。
[0024] 本发明较佳实施例中，第一绝缘薄膜为TFT阵列基板上的第一纯化绝缘层，第二绝 缘薄膜为TFT阵列基板上的第二纯化绝缘层。
[0025] 本发明较佳实施例中，导电连接层为TFT阵列基板上的像素电极层。
[0026] 本发明较佳实施例中，蚀刻阻挡层由金属或透明导电金属氧化物制成。
[0027] 本发明较佳实施例中，第一接触孔的尺寸小于导线的宽度。
[0028] 本发明较佳实施例中，在第一绝缘薄膜中形成第一接触孔的蚀刻工艺具体包括： 在第一绝缘薄膜上涂覆光阻;对光阻进行曝光和显影，在将要制作第一接触孔的位置去除 光阻，而其他位置保留光阻;在光阻的遮罩下对第一绝缘薄膜进行蚀刻W形成第一接触孔； 去除第一绝缘薄膜上的光阻。
[0029] 本发明较佳实施例中，在第二绝缘薄膜中形成第二接触孔的蚀刻工艺具体包括： 在第二绝缘薄膜上涂覆光阻;对光阻进行曝光和显影，在将要制作第二接触孔的位置去除 光阻，而其他位置保留光阻;在光阻的遮罩下对第二绝缘薄膜进行蚀刻W形成第二接触孔； 去除第二绝缘薄膜上的光阻。
[0030] 在本发明第一实施例中，通过蚀刻工艺先在第一绝缘薄膜中形成第一接触孔，然 后在蚀刻第二绝缘薄膜形成第二接触孔的过程中，第二接触孔的尺寸小于第一接触孔，因 此不会蚀刻到第一绝缘薄膜，避免了多层绝缘薄膜因蚀刻速率的不同而导致的底切 (undercut)问题，提高产品品质及良率；同时不需要调整蚀刻制程参数，可W节省时间、人 力、成本，制作工艺简单，易于实现。
[0031 ]在本发明第二实施例中，通过蚀刻工艺先在第一绝缘薄膜中形成第一接触孔，然 后在第一绝缘薄膜上形成由导电材料制成的蚀刻阻挡层，蚀刻阻挡层填入第一接触孔中并 与导线接触导通，再在第二绝缘薄膜中形成第二接触孔。由于蚀刻阻挡层的阻隔作用，在对 第二绝缘薄膜进行蚀刻形成第二接触孔的过程中不会蚀刻到第一绝缘薄膜，避免了多层绝 缘薄膜因蚀刻速率的不同而导致的底切(undercut)问题，提高产品品质及良率；同时不需 要调整蚀刻制程参数，可W节省时间、人力、成本，制作工艺简单，易于实现。
【附图说明】
[0032] 图1为在多层绝缘薄膜上开接触孔达到预定效果的示意图。
[0033] 图2为在多层绝缘薄膜上开接触孔出现底切现象的示意图。
[0034] 图3为本发明第一实施例中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤流 程图。
[0035] 图4A至图4E为图3中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤示意图。
[0036] 图5为本发明第二实施例中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤流 程图。
[0037] 图6A至图6F为图5中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤示意图。
【具体实施方式】
[0038] 为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术方式及功效，W下结合 附图及较佳实施例，对本发明的【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。
[0039] 【第一实施例】
[0040] 本实施例提出一种在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法。
[0041] 图3为本发明第一实施例中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤流 程图，该制作方法包括如下步骤：
[0042] Sll:在导线10上形成第一绝缘薄膜21，导线10由导电材料制成；
[0043] Sl 2:通过蚀刻工艺在第一绝缘薄膜21中形成第一接触孔THl 1，第一接触孔THl 1贯 穿第一绝缘薄膜21，W露出导线10;
[0044] S13:在第一绝缘薄膜21上形成第二绝缘薄膜22,第二绝缘薄膜22填入第一接触孔 THll 中；
[0045] S14:通过蚀刻工艺在第二绝缘薄膜22中形成第二接触孔TH12,第二接触孔TH12贯 穿第二绝缘薄膜22, W露出导线10,其中第二接触孔TH12的尺寸小于第一接触孔TH11，使得 在对第二绝缘薄膜22进行蚀刻形成第二接触孔TH12的过程中不会蚀刻到第一绝缘薄膜21;
[0046] S15:在第二绝缘薄膜22上形成导电连接层23,导电连接层23填入第二接触孔TH12 中并与导线10接触导通。
[0047] 图4A至图4E为本实施例中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤示 意图，W下结合图4A至图4E，对本实施例中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法进行详 细说明如下。
[0048] 如图4A所示，在导线10上形成第一绝缘薄膜21，导线10由导电材料制成。针对液晶 面板而言，TFT阵列基板通常包括衬底基板和制作形成在该衬底基板上的各膜层结构如栅 极金属层、栅极绝缘层、半导体层、源漏极金属层、第一纯化绝缘层、第二纯化绝缘层、公共 电极、像素电极层等。本实施例中，导线10具体可W是金属导线如TFT阵列基板上的栅源漏 极金属层中的栅极或源极或漏极;第一绝缘薄膜21具体可W是TFT阵列基板上的一个绝缘 层如第一纯化绝缘层，第一绝缘薄膜21例如为由氧化娃(SiOx)、氮化娃(SiNx)或氮氧化娃 (SiOxNy )等绝缘材料制作形成。
[0049] 如图4B所示，通过蚀刻工艺在第一绝缘薄膜21中形成第一接触孔THll，第一接触 孔THll贯穿第一绝缘薄膜21，W露出导线10。在蚀刻第一绝缘薄膜21形成第一接触孔THll 的过程中，由于只蚀刻第一绝缘薄膜21运单一膜层，蚀刻速率均匀，因此可在第一绝缘薄膜 21中形成具有正向锥面角的第一接触孔THll，在第一次开接触孔后，膜层剖面具有如图4B 的结构。优选地，第一接触孔THll的尺寸小于导线10的宽度，保证第一接触孔THll全部位于 导线10上方。
[0050] 具体地，在第一绝缘薄膜21中形成第一接触孔THll的蚀刻工艺具体包括：
[0051] 在第一绝缘薄膜21上涂覆光阻（图未示）；
[0052] 对该光阻进行曝光和显影，在将要制作第一接触孔THll的位置去除该光阻，而其 他位置保留该光阻；
[0053] 在该光阻的遮罩下对第一绝缘薄膜21进行蚀刻W形成第一接触孔THll;
[0054] 去除第一绝缘薄膜21上的该光阻。
[0055] 如图4C所示，在第一绝缘薄膜21上形成第二绝缘薄膜22,第二绝缘薄膜22填入第 一接触孔THll中。第二绝缘薄膜22具体可W是TFT阵列基板上的一个绝缘层如第二纯化绝 缘层，第二绝缘薄膜22例如为由氧化娃(SiOx)、氮化娃(SiNx)或氮氧化娃(SiOxNy)等绝缘材 料制作形成。
[0056] 如图4D所示，通过蚀刻工艺在第二绝缘薄膜22中形成第二接触孔TH12,第二接触 孔TH12贯穿第二绝缘薄膜22, W露出导线10,其中第二接触孔TH12的尺寸小于第一接触孔 THll，使得在对第二绝缘薄膜22进行蚀刻形成第二接触孔TH12的过程中不会蚀刻到第一绝 缘薄膜21。在蚀刻第二绝缘薄膜22形成第二接触孔TH12的过程中，第二接触孔TH12的尺寸 小于第一接触孔THll，因此不会蚀刻到第一绝缘薄膜21，由于只蚀刻第二绝缘薄膜22运单 一膜层，蚀刻速率均匀，因此可在第二绝缘薄膜22中形成具有正向锥面角的第二接触孔 TH12,在第二次开接触孔后，膜层剖面具有如图4D的结构。在第二绝缘薄膜22中形成第二接 触孔TH12的蚀刻工艺与在第一绝缘薄膜21中形成第一接触孔THll的蚀刻工艺相同。
[0057] 如图4E所示，在第二绝缘薄膜22上形成导电连接层23,导电连接层23填入第二接 触孔TH12中并与导线10接触导通。本实施例中，导电连接层23为由导电材料制成的导电膜 层，导电连接层23可W是金属或透明导电金属氧化物如ITO(氧化铜锡）。导电连接层23具体 可W是TFT阵列基板上的像素电极层。通过将导电连接层23填入第二接触孔TH12中，实现上 方的导电膜层（即导电连接层23)与下方的金属或透明导电金属氧化物（即导线10)的导电 连接，如图4E。导电连接层23的制作可W是通过磁控瓣射(sputter)或热蒸发等方法在第二 绝缘薄膜22上沉积形成一层导电膜层，然后再对该导电膜层进行蚀刻图案化W在第二绝缘 薄膜22上形成导电连接层23,同时导电连接层23填入第二接触孔TH12中与第一绝缘薄膜21 下方的导线10接触，W实现导电连接层23与导线10的导电连接。
[005引本实施例提供的在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法，通过蚀刻工艺先在第一 绝缘薄膜21中形成第一接触孔THll，然后在蚀刻第二绝缘薄膜22形成第二接触孔TH12的过 程中，第二接触孔TH12的尺寸小于第一接触孔THll，因此不会蚀刻到第一绝缘薄膜21，避免 了多层绝缘薄膜因蚀刻速率的不同而导致的底切(undercut)问题，提高产品品质及良率； 同时不需要调整蚀刻制程参数，可W节省时间、人力、成本，制作工艺简单，易于实现。
[0化9]【第二实施例】
[0060] 本实施例提出一种在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法。
[0061] 图5为本实施例中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤流程图，该 制作方法包括如下步骤：
[0062] S21:在导线10上形成第一绝缘薄膜21，导线10由导电材料制成；
[0063] S22:通过蚀刻工艺在第一绝缘薄膜21中形成第一接触孔TH21，第一接触孔T肥1贯 穿第一绝缘薄膜21，W露出导线10;
[0064] S23:在第一绝缘薄膜21上形成由导电材料制成的蚀刻阻挡层30,蚀刻阻挡层30填 入第一接触孔TH21中并与导线10接触导通；
[0065] S24:在第一绝缘薄膜21上形成第二绝缘薄膜22，第二绝缘薄膜22覆盖蚀刻阻挡层 30；
[0066] S25:通过蚀刻工艺在第二绝缘薄膜22中形成第二接触孔TH22,第二接触孔T肥2贯 穿第二绝缘薄膜22, W露出蚀刻阻挡层30,其中由于蚀刻阻挡层30的阻隔作用，使得在对第 二绝缘薄膜22进行蚀刻形成第二接触孔T肥2的过程中不会蚀刻到第一绝缘薄膜21;
[0067] S26:在第二绝缘薄膜22上形成导电连接层23,导电连接层23填入第二接触孔TH22 中并与蚀刻阻挡层30接触导通。
[0068] 图6A至图6F为本实施例中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤示 意图，W下结合图6A至图6F，对本实施例中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法进行详 细说明如下。
[0069] 如图6A所示，在导线10上形成第一绝缘薄膜21，导线10由导电材料制成。本实施例 中，导线10由金属或者透明导电金属氧化物如ITO(氧化铜锡)制成。W液晶面板为例，导线 10具体可W是金属导线如TFT阵列基板上的栅源漏极金属层中的栅极或源极或漏极，第一 绝缘薄膜21具体可W是TFT阵列基板上的一个绝缘层如第一纯化绝缘层，第一绝缘薄膜21 例如为由氧化娃(SiOx)、氮化娃(SiNx)或氮氧化娃(SiOxNy)等绝缘材料制作形成。
[0070] 如图6B所示，通过蚀刻工艺在第一绝缘薄膜21中形成第一接触孔TH21，第一接触 孔TH21贯穿第一绝缘薄膜21，W露出导线10。在蚀刻第一绝缘薄膜21形成第一接触孔THl 1 的过程中，由于只蚀刻第一绝缘薄膜21运单一膜层，蚀刻速率均匀，因此可在第一绝缘薄膜 21中形成具有正向锥面角的第一接触孔TH21，在第一次开接触孔后，膜层剖面具有如图6B 的结构。优选地，第一接触孔TH21的尺寸小于导线10的宽度，保证第一接触孔TH21全部位于 导线10上方。
[0071] 如图6C所示，在第一绝缘薄膜21上形成由导电材料制成的蚀刻阻挡层30,蚀刻阻 挡层30填入第一接触孔TH21中并与导线10接触导通。蚀刻阻挡层30由金属或透明导电金属 氧化物如口 〇(氧化铜锡)制成;例如，蚀刻阻挡层30可W是侣，厚度为2000A~3000A;蚀刻 阻挡层30也可W是IT0,厚度为400A~600A。蚀刻阻挡层30的制作可W是通过磁控瓣射 (sputter)或热蒸发等方法在第一绝缘薄膜21上沉积形成一层导电膜层，然后再对该导电 膜层进行蚀刻图案化W在第一绝缘薄膜21上形成蚀刻阻挡层30,同时蚀刻阻挡层30填入第 一接触孔TH21中与第一绝缘薄膜21下方的导线10接触导通。
[0072] 如图6D所示，在第一绝缘薄膜21上形成第二绝缘薄膜22,第二绝缘薄膜22覆盖蚀 刻阻挡层30。第二绝缘薄膜22具体可W是TFT阵列基板上的一个绝缘层如第二纯化绝缘层。 第二绝缘薄膜22例如为由氧化娃(SiOx)、氮化娃(SiNx)或氮氧化娃（SiOxNy)等绝缘材料制 作成的绝缘层。
[0073] 如图6E所示，通过蚀刻工艺在第二绝缘薄膜22中形成第二接触孔TH22,第二接触 孔TH22贯穿第二绝缘薄膜22, W露出蚀刻阻挡层30,其中由于蚀刻阻挡层30的阻隔作用，使 得在对第二绝缘薄膜22进行蚀刻形成第二接触孔TH22的过程中不会蚀刻到第一绝缘薄膜 21。在蚀刻第二绝缘薄膜22形成第二接触孔TH22的过程中，蚀刻阻挡层30在第一绝缘薄膜 21与第二绝缘薄膜22之间起到阻隔作用，因此不会蚀刻到第一绝缘薄膜21，由于只蚀刻第 二绝缘薄膜22运单一膜层，蚀刻速率均匀，因此可在第二绝缘薄膜22中形成具有正向锥面 角的第二接触孔TH22，在第二次开接触孔后，膜层剖面具有如图6E的结构。
[0074] 本实施例中，在蚀刻第二绝缘薄膜22形成第二接触孔TH22的过程中，蚀刻阻挡层 30起到保护第一绝缘薄膜21的作用，由于不用担屯、会蚀刻到第一绝缘薄膜21，本实施例相 较于第一实施例，第二接触孔T肥2的孔径可W更大，蚀刻工艺也更为简单。
[0075] 如图6F所示，在第二绝缘薄膜22上形成导电连接层23,导电连接层23填入第二接 触孔TH22中并与蚀刻阻挡层30接触导通。本实施例中，导电连接层23为由导电材料制成的 导电膜层，导电连接层23可W是金属或透明导电金属氧化物如口 0(氧化铜锡）。导电连接层 23具体可W是TFT阵列基板上的像素电极层。通过将导电连接层23填入第二接触孔T肥2中， 使上方的导电膜层（即导电连接层23)与下方的金属或透明导电氧化物（即导线10)通过蚀 刻阻挡层30实现导电连接，如图6F。导电连接层23的制作可W是通过磁控瓣射(sputter)或 热蒸发等方法在第二绝缘薄膜22上沉积形成一层导电膜层，然后再对该导电膜层进行蚀刻 图案化W在第二绝缘薄膜22上形成导电连接层23,同时导电连接层23填入第二接触孔TH22 中与蚀刻阻挡层30接触导通。
[0076] 本实施例提供的在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法，通过蚀刻工艺先在第一 绝缘薄膜21中形成第一接触孔TH21，然后在第一绝缘薄膜21上形成由导电材料制成的蚀刻 阻挡层30,蚀刻阻挡层30填入第一接触孔TH21中并与导线10接触导通，再在第二绝缘薄膜 22中形成第二接触孔TH22, W及形成导电连接层23,导电连接层23填入第二接触孔TH22中 并与蚀刻阻挡层30接触导通。由于蚀刻阻挡层30的阻隔作用，使得在对第二绝缘薄膜22进 行蚀刻形成第二接触孔TH22的过程中不会蚀刻到第一绝缘薄膜21，避免了多层绝缘薄膜因 蚀刻速率的不同而导致的底切(under cut)问题，提高产品品质及良率；同时不需要调整蚀 刻制程参数，可W节省时间、人力、成本，制作工艺简单，易于实现。
[0077] 在本文中，术语"包括"、"包含"或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，除 了包含所列的那些要素，而且还可包含没有明确列出的其他要素。
[0078] 在本文中，所设及的前、后、上、下等方位词是W附图中零部件位于图中W及零部 件相互之间的位置来定义的，只是为了表达技术方案的清楚及方便。应当理解，所述方位词 的使用不应限制本申请请求保护的范围。
[0079] 在不冲突的情况下，本文中上述实施例及实施例中的特征可W相互结合。
[0080] W上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用W限制本发明，凡在本发明的精神和 原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 在导线（10)上形成第一绝缘薄膜(21)，所述导线（10)由导电材料制成； 通过蚀刻工艺在所述第一绝缘薄膜(21)中形成第一接触孔(TH11)，所述第一接触孔 (TH11)贯穿所述第一绝缘薄膜(21)，以露出所述导线（10); 在所述第一绝缘薄膜(21)上形成第二绝缘薄膜(22)，所述第二绝缘薄膜(22)填入所述 第一接触孔(TH11)中； 通过蚀刻工艺在所述第二绝缘薄膜(22)中形成第二接触孔(TH12)，所述第二接触孔 (TH12)贯穿所述第二绝缘薄膜(22)，以露出所述导线（10)，其中所述第二接触孔(TH12)的 尺寸小于所述第一接触孔(TH11)，使得在对所述第二绝缘薄膜(22)进行蚀刻形成所述第二 接触孔(TH12)的过程中不会蚀刻到所述第一绝缘薄膜(21);以及 在所述第二绝缘薄膜(22)上形成导电连接层(23)，所述导电连接层(23)填入所述第二 接触孔(TH12)中并与所述导线（10)接触导通。2. -种在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 在导线（10)上形成第一绝缘薄膜(21)，所述导线（10)由导电材料制成； 通过蚀刻工艺在所述第一绝缘薄膜(21)上形成第一接触孔(TH21)，所述第一接触孔 (TH21)贯穿所述第一绝缘薄膜(21)，以露出所述导线（10); 在所述第一绝缘薄膜(21)上形成由导电材料制成的蚀刻阻挡层(30)，所述蚀刻阻挡层 (30)填入所述第一接触孔(TH21)中并与所述导线（10)接触导通； 在所述第一绝缘薄膜(21)上形成第二绝缘薄膜(22)，所述第二绝缘薄膜(22)覆盖所述 蚀刻阻挡层(30); 通过蚀刻工艺在所述第二绝缘薄膜(22)中形成第二接触孔(TH22)，所述第二接触孔 (TH22)贯穿所述第二绝缘薄膜（22)，以露出所述蚀刻阻挡层（30)，其中所述蚀刻阻挡层 (30)具有阻隔作用，使得在对所述第二绝缘薄膜(22)进行蚀刻形成所述第二接触孔(TH22) 的过程中不会蚀刻到所述第一绝缘薄膜(21);以及 在所述第二绝缘薄膜(22)上形成导电连接层(23)，所述导电连接层(23)填入所述第二 接触孔(TH22)中并与所述蚀刻阻挡层(30)接触导通。3. 如权利要求1或2所述的在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，所述导 线（10)为TFT阵列基板上的栅源漏极金属层中的栅极或源极或漏极。4. 如权利要求1或2所述的在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，所述第 一绝缘薄膜(21)为TFT阵列基板上的栅极绝缘层，所述第二绝缘薄膜(22)为TFT阵列基板上 的钝化绝缘层。5. 如权利要求1或2所述的在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，所述第 一绝缘薄膜(21)为TFT阵列基板上的第一钝化绝缘层，所述第二绝缘薄膜(22)为TFT阵列基 板上的第二钝化绝缘层。6. 如权利要求1或2所述的在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，所述导 电连接层(23)为TFT阵列基板上的像素电极层。7. 如权利要求2所述的在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，所述蚀刻阻 挡层(30)由金属或透明导电金属氧化物制成。8. 如权利要求1或2所述的在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，所述第 一接触孔(TH11/TH21)的尺寸小于所述导线（10)的宽度。9. 如权利要求1或2所述的在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，在所述 第一绝缘薄膜(21)中形成所述第一接触孔(TH11 /TH21)的蚀刻工艺具体包括： 在所述第一绝缘薄膜(21)上涂覆光阻； 对所述光阻进行曝光和显影，在将要制作所述第一接触孔(TH11/TH21)的位置去除所 述光阻，而其他位置保留所述光阻； 在所述光阻的遮罩下对所述第一绝缘薄膜（21)进行蚀刻以形成所述第一接触孔 (TH11/TH21)； 去除所述第一绝缘薄膜(21)上的所述光阻。10. 如权利要求1或2所述的在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，在所述 第二绝缘薄膜(22)中形成所述第二接触孔(TH12/TH22)的蚀刻工艺具体包括： 在所述第二绝缘薄膜(22)上涂覆光阻； 对所述光阻进行曝光和显影，在将要制作所述第二接触孔(TH12/TH22)的位置去除所 述光阻，而其他位置保留所述光阻； 在所述光阻的遮罩下对所述第二绝缘薄膜（22)进行蚀刻以形成所述第二接触孔 (TH12/TH22)； 去除所述第二绝缘薄膜(22)上的所述光阻。
【文档编号】H01L21/768GK106098614SQ201610670104
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年8月16日 公开号201610670104.2, CN 106098614 A, CN 106098614A, CN 201610670104, CN-A-106098614, CN106098614 A, CN106098614A, CN201610670104, CN201610670104.2
【发明人】孙明剑
【申请人】昆山龙腾光电有限公司