一种高密度引线框架的产品运送盒的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体封装设备领域，特别涉及一种高密度引线框架的产品运送盒。
【背景技术】
[0002]产品运送盒在芯片封装工序中起着安全转运产品的作用，其材质主要是6000系列的铝合金，硬度较大，电导率高，尤其适合转运ESD敏感器件(比如MOS管、精密电阻、精密传感器等)。
[0003]目前业界普遍使用宽度为73.0mm的高密度引线框架，产品运送盒内槽宽度为73.6mm±0.25mm,该产品运送盒尺寸从理论上讲对于73.0mm的引线框架来说运动配合间隙已足够，但产品运送盒是放置于焊线机下料部的，当引线框架从焊线机轨道转送至产品运送盒内的时不可避免地会遇到设备组件配合间隙误差问题，如:
[0004]1、设备下料部本身的机械误差；
[0005]2、产品运送盒与下料部间隙配合误差；
[0006]3、由于产品运送盒制造工艺过程中因热胀冷缩而造成的产品实际尺寸误差。
[0007]由于上述因素影响，73.6mm±0.25mm的产品运送盒尺寸就显得比较局促，生产过程中时常发生下料部卡料现象。根据相关统计，目前采用标准73.6mm±0.25mm的产品运送盒每台设备24小时的平均卡料次数为0.3次。这意味着，100台机器同时工作的情况下，每天因产品运送盒尺寸问题造成的卡料在30次左右。
【实用新型内容】
[0008]本实用新型的目的在于提供一种避免卡料的用于运送高密度引线框架的产品运送盒，包括矩形盒体，所述盒体的前端敞开，所述盒体左右侧壁内部自上向下均匀设置有对称的槽齿，所述上下槽齿之间形成容纳高密度引线框架的内槽，其特征在于，所述槽齿的厚度为3.6mm，所述上下槽齿之间的距离(即所述内槽的高度)为1.2mm，所述对称设置的槽齿端头之间的距离为66.6mm，所述盒体左右内壁之间的距离(即所述内槽的宽度)为74.2mm。
[0009]与现有技术相比，本实用新型的有益效果:本实用新型提供一种高密度引线框架的产品运送盒，所述盒体左右侧壁内部自上向下均匀设置有对称的槽齿，所述上下槽齿之间形成容纳高密度引线框架的内槽，所述槽齿的厚度为3.6mm，所述上下槽齿之间的距离(即所述内槽的高度)为1.2mm，所述对称设置的槽齿端头之间的距离为66.6mm，所述盒体内壁之间的距离(即所述内槽的宽度)为74.2mm。相比于传统标配的内槽宽度为73.6mm的产品运送盒，本实用新型可大幅度减小宽度为72mm的高密度引线框架装料过程中的卡料现象，对比与传统标配的内槽宽度为73.6mm的产品运送盒平均每台机器24小时卡料0.3次的事故率，本实用新型提供的内槽宽度为74.2mm的产品运送盒卡料事故率几乎为O。
[0010]【附图说明】:
[0011]图1为本实用新型提供的运送引线框架的产品运送盒的截面图。
[0012]图中标记:1-盒体,2-槽齿，3-内槽。
【具体实施方式】
[0013]下面结合具体实施例对本实用新型作进一步的详细描述。但不应将此理解为本实用新型上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本【实用新型内容】所实现的技术均属于本实用新型的范围。
[0014]实施例1:如图1所示，本实施例提供一种避免卡料的用于运送引线框架的产品运送盒，包括矩形盒体，所述盒体的前端敞开，所述盒体左右侧壁内部自上向下均匀设置有对称的槽齿，所述上下槽齿之间形成容纳高密度引线框架的内槽，其特征在于，所述槽齿的厚度为3.6mm,所述上下槽齿之间的距离(即所述内槽的高度)为1.2mm，所述对称设置的槽齿端头之间的距离为66.6mm，所述盒体内壁之间的距离(即所述内槽的宽度)为74.2mm。
【主权项】
1.一种高密度引线框架的产品运送盒，包括矩形盒体，所述盒体的前端敞开，所述盒体左右侧壁内部自上向下均匀设置有对称的槽齿，所述上下槽齿之间形成容纳高密度引线框架的内槽，其特征在于，所述槽齿的厚度为3.6mm,所述上下槽齿之间的距离为1.2mm，所述对称设置的槽齿端头之间的距离为66.6mm，所述盒体左右内壁之间的距离为74.2mm。
【专利摘要】本实用新型涉及半导体封装设备领域，特别涉及一种高密度引线框架的产品运送盒。包括矩形盒体，所述盒体左右侧壁内部自上向下均匀设置有对称的槽齿，所述上下槽齿之间形成容纳高密度引线框架的内槽，所述盒体内壁之间的距离（即所述内槽的宽度）为74.2mm。相比于传统标配的内槽宽度为73.6mm的产品运送盒，本实用新型可大幅度减小宽度为72mm的高密度引线框架装料过程中的卡料现象，对比与传统标配的内槽宽度为73.6mm的产品运送盒平均每台机器24小时卡料0.3次的事故率，本实用新型提供的内槽宽度为74.2mm的产品运送盒卡料事故率几乎为0。
【IPC分类】H01L21-673
【公开号】CN204315545
【申请号】CN201520047435
【发明人】邓海涛, 胡晶, 王利华
【申请人】成都先进功率半导体股份有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年1月23日