一种led倒装晶片及led倒装晶片组的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED倒装晶片。
【背景技术】
[0002]目前有一种LED倒装晶片如图1所示，包括N层1、P层2、N极连接层3、电极4、第三绝缘层5、蓝宝石衬底6。P层2设在N层I的底面，在N层I与P层2之间具有第一绝缘层，防止N层I与P层2短路，N层I的两端均凸出P层1，且N层I 一端的凸出长度大于N层I另一端的凸出长度；N极连接层3连接在N层的底面；在P层2的底面上连接有电极，在N极连接层3的底面设有电极。在电极4与N层I和P层2之间设有所述的第三绝缘层5，第三绝缘层5优选二氧化硅绝缘层；所述的蓝宝石衬底6设在N层I上。
[0003]如图2所示，如需要在基板9上固晶，首先需要在基板9上对于电极的位置点锡膏10，然后将上述LED倒装晶片压装到基板9上，让电极与锡膏对应，在压装LED倒装晶片时，如果锡膏用量过少，则固晶不牢固、不可靠，如果锡膏用量过大，如图3所示，会导致锡膏从LED倒装晶片的边缘爬升到端部致使P极与N极导通而会产生短路的现象。
【发明内容】
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种LED倒装晶片及LED倒装晶片组。
[0005]解决上述技术问题的技术方案是:一种LED倒装晶片，包括N层、设在N层上的P层及分别与N层底部和P层底部连接的电极；在N层与P层之间形成有第一绝缘层，N层与P层之间形成有台阶，在与台阶相对的一端设有覆盖P层端面和N层端面的第二绝缘层。
[0006]一种LED倒装晶片组，由二个以上的LED倒装晶片组成；LED倒装晶片包括N层、设在N层上的P层及分别与N层底部和P层底部连接的电极；在N层与P层之间形成有第一绝缘层，N层与P层之间形成有台阶，在与台阶相对的一端设有覆盖P层端面和N层端面的第二绝缘层；相邻LED倒装晶片之间形成有贯通N层和P层的蚀刻槽，在蚀刻槽内填充有第二绝缘层。
[0007]进一步的，P层位于N层的下方，在与台阶相对的一端，P层与N层的端面平齐，在与台阶相同的一端，N层凸出P层；在与台阶相同的一端的N层端面上覆盖有第二绝缘层。
[0008]进一步的，与N层连接的电极与N层之间设有N极连接层；在电极与N层和P层之间设有第三绝缘层，在N层上设有蓝宝石衬底；第二绝缘层与第三绝缘层连为一体。
[0009]本实用新型的有益效果是:由于设置了第二绝缘层，这样，即使在固晶过程中出现锡膏爬升的现象，也不会让N层与P层连通短路。由于通过蚀刻的工艺形成了蚀刻槽，这样，既能使其中一端的N层与P层的端面平齐，又能在蚀刻槽内填充第二绝缘层，然后经切割形成LED倒装晶片，在LED倒装晶片的端部形成第二绝缘层，因此，制造方便，成本低。
【附图说明】
[0010]图1为【背景技术】中LED倒装晶片的结构示意图。
[0011]图2为【背景技术】中LED倒装晶片固晶的结构示意图。
[0012]图3为【背景技术】中LED倒装晶片固晶时锡膏出现爬升现象的结构示意图。
[0013]图4为本实用新型LED倒装晶片的示意图。
[0014]图5为LED倒装晶片组的示意图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进行进一步详细说明。
[0016]实施例1。
[0017]如图4所示，LED倒装晶片包括N层1、P层2、N极连接层3、电极4、第三绝缘层5、蓝宝石衬底6。P层2设在N层I的底面，在N层I与P层2之间具有第一绝缘层，防止N层I与P层2短路，N层I的一端均凸出P层I在N层与P层之间形成台阶，在与台阶相对的一端，P层2与N层I的端面平齐；N极连接层3连接在N层的底面；在P层2的底面上连接有电极，在N极连接层3的底面设有电极。在电极4与N层I和P层2之间设有所述的第三绝缘层5，第三绝缘层5优选二氧化硅绝缘层；所述的蓝宝石衬底6设在N层I上。在与台阶相对的一端设有覆盖P层2端面和N层I端面的第二绝缘层7，第二绝缘层7优选二氧化硅绝缘层，第二绝缘层7与第三绝缘层5为一体。
[0018]本实施方式的LED倒装晶片，在固晶过程中，点在基板9上的锡膏10即使出现锡膏爬升的现象，也不会让N层与P层连通短路。
[0019]在本实施方式中，作为对上述LED倒装晶片的改进，在与台阶相同的一端的N层端面上也可覆盖第二绝缘层。
[0020]实施例2。
[0021]如图5所示，LED倒装晶片组由二个以上的LED倒装晶片100组成。
[0022]相邻LED倒装晶片100之间形成有贯通N层和P层的蚀刻槽11，在蚀刻槽11内填充有第二绝缘层。经蚀刻槽11切割后，形成如图4所示的LED倒装晶片。
[0023]如图4所示，LED倒装晶片包括N层1、P层2、N极连接层3、电极4、第三绝缘层5、蓝宝石衬底6。P层2设在N层I的底面，在N层I与P层2之间具有第一绝缘层，防止N层I与P层2短路，N层I的一端均凸出P层I在N层与P层之间形成台阶，在与台阶相对的一端，P层2与N层I的端面平齐；N极连接层3连接在N层的底面；在P层2的底面上连接有电极，在N极连接层3的底面设有电极。在电极4与N层I和P层2之间设有所述的第三绝缘层5，第三绝缘层5优选二氧化硅绝缘层；所述的蓝宝石衬底6设在N层I上。在与台阶相对的一端设有覆盖P层2端面和N层I端面的第二绝缘层7，第二绝缘层7优选二氧化硅绝缘层，第二绝缘层7与第三绝缘层5为一体。
[0024]本实施方式的LED倒装晶片，在固晶过程中，点在基板9上的锡膏10即使出现锡膏爬升的现象，也不会让N层与P层连通短路。由于通过蚀刻的工艺形成了蚀刻槽，这样，既能使其中一端的N层与P层的端面平齐，又能在蚀刻槽内填充第二绝缘层，然后经切割形成LED倒装晶片，在LED倒装晶片的端部形成第二绝缘层，因此，制造方便，成本低。
【主权项】
1.一种LED倒装晶片，包括N层、设在N层上的P层及分别与N层底部和P层底部连接的电极；在N层与P层之间形成有第一绝缘层，N层与P层之间形成有台阶，其特征在于:在与台阶相对的一端设有覆盖P层端面和N层端面的第二绝缘层。
2.根据权利要求1所述的LED倒装晶片，其特征在于:P层位于N层的下方，在与台阶相对的一端，P层与N层的端面平齐，在与台阶相同的一端，N层凸出P层。
3.根据权利要求2所述的LED倒装晶片，其特征在于:在与台阶相同的一端的N层端面上覆盖有第二绝缘层。
4.根据权利要求2所述的LED倒装晶片，其特征在于:与N层连接的电极与N层之间设有N极连接层。
5.根据权利要求1所述的LED倒装晶片，其特征在于:在电极与N层和P层之间设有第三绝缘层，在N层上设有蓝宝石衬底。
6.根据权利要求5所述的LED倒装晶片，其特征在于:第二绝缘层与第三绝缘层连为一体。
7.—种LED倒装晶片组，由二个以上的LED倒装晶片组成；LED倒装晶片包括N层、设在N层上的P层及分别与N层底部和P层底部连接的电极；在N层与P层之间形成有第一绝缘层，N层与P层之间形成有台阶，在与台阶相对的一端设有覆盖P层端面和N层端面的第二绝缘层；其特征在于:相邻LED倒装晶片之间形成有贯通N层和P层的蚀刻槽，在蚀刻槽内填充有第二绝缘层。
8.根据权利要求7所述的LED倒装晶片组，其特征在于:P层位于N层的下方，在与台阶相对的一端，P层与N层的端面平齐，在与台阶相同的一端，N层凸出P层；在与台阶相同的一端的N层端面上覆盖有第二绝缘层。
9.根据权利要求8所述的LED倒装晶片组，其特征在于:与N层连接的电极与N层之间设有N极连接层；在电极与N层和P层之间设有第三绝缘层，在N层上设有蓝宝石衬底；第二绝缘层与第三绝缘层连为一体。
【专利摘要】本实用新型公开了一种LED倒装晶片及LED倒装晶片组，LED倒装晶片包括N层、设在N层上的P层及分别与N层底部和P层底部连接的电极；在N层与P层之间形成有第一绝缘层，N层与P层之间形成有台阶，在与台阶相对的一端设有覆盖P层端面和N层端面的第二绝缘层。LED倒装晶片组由二个以上的LED倒装晶片组成，相邻LED倒装晶片之间形成有贯通N层和P层的蚀刻槽，在蚀刻槽内填充有第二绝缘层。本实用新型的结构，即使在固晶过程中出现锡膏爬升的现象，也不会让N层与P层连通短路。
【IPC分类】H01L33-48
【公开号】CN204315628
【申请号】CN201420853537
【发明人】熊毅, 曾荣昌, 杜金晟, 王跃飞, 李坤锥
【申请人】广州市鸿利光电股份有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年12月30日