一种薄型化rgbw四合一发光二极管结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型关于一种发光二极体结构，尤指一种薄型化RGBW四合一发光二极管结构，其可自体混出均匀光色，实现小型化薄型化，可缩小点和点的间距，更有利于混光。此外其具有独立电极，可透过控制系统作出更精确的色彩控制。
【背景技术】
[0002]利用发光二极管(light-emitting d1de, LED)，产生与太阳光色相似之白光，以大幅取代传统日光灯等白光照明，是本世纪照明光源科技领域积极研发的目标，因为与传统光源相比，LED白光的产生具有零汞污染、耗电量低、发光效率高等多方面的优点。目前全球推动单芯片白光LED的技术主要有两种方式:第一种是以发光波长小于400nm的紫外光发光二极管(UV-LED)的芯片当作激发光源激发红、绿、蓝(RGB)三种不同光色的荧光剂(phosphor)来混合形成白光；第二种是以蓝光发光二极管的芯片激发黄光焚光剂而产生白光。
[0003]然而单独以前述以发光波长小于400nm的紫外光发光二极管(UV-LED)的芯片当作激发光源激发红、绿、蓝(RGB)三种不同光色的荧光剂(phosphor)来混合形成白光方式混合产生出来的白光，通常不会完全均匀。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的一目的，旨在提供一种薄型化RGBW四合一发光二极管结构，其可自体混出均匀光色，实现小型化薄型化，可缩小点和点的间距，更有利于混光。此外其具有独立电极，可透过控制系统作出更精确的色彩控制。
[0005]为达上述的目的，本实用新型的薄型化RGBW四合一发光二极管结构，包括:
[0006]第一发光芯片，提供波长400nm?500nm的蓝光光源；
[0007]第二发光芯片，提供波长500nm?600nm的绿光光源；
[0008]第三发光芯片，提供波长600nm?700nm的红光光源；
[0009]第四发光芯片，提供二波长光(蓝色光+黄色光)或三波长光(蓝色光+绿色光+红色光)混合而成的白光光源；
[0010]支架结构，供以容装该第一发光芯片、该第二发光芯片、该第三发光芯片与该第四发光芯片，并具有一混光区供该第一发光芯片、该第二发光芯片、该第三发光芯片与该第四发光芯片出光并混光后形成白光点光源出光效果，该支架结构具备有多数容置部及多数独立电极分别供该第一发光芯片、该第二发光芯片、该第三发光芯片与该第四发光芯片打线连接设置；
[0011]芯片胶体，供充填所述容置部以包覆该第一发光芯片、该第二发光芯片、该第三发光芯片与该第四发光芯片；
[0012]及一覆盖胶体，封装充填于该混光区内而设置于该芯片胶体与该芯片胶体上。
[0013]进一步，该芯片胶体中可掺杂荧光粉，使荧光粉形成于发光芯片的表面而完全包覆发光芯片，以达到光能转换的效果，提供不同波长的出光，提升演色性的表现。
[0014]进一步，该芯片胶体可掺杂扩散剂，使出光更加均匀而无被荧光粉遮蔽的忧虑。为达到均匀混光的目的，该覆盖胶体掺杂一扩散剂，使不同波长的光线均匀混合后，形成白色的点光源。
[0015]通过本实用新型的薄型化RGBW四合一发光二极管结构，在红绿蓝芯片(RGB)之间增加贴合白光芯片(W)，其可自体混出均匀光色，实现小型化薄型化，可缩小点和点的间距，更有利于混光。此外其具有独立电极，可透过控制系统作出更精确的色彩控制。
【附图说明】
[0016]下面结合附图对本实用新型做进一步的说明:
[0017]图1为本实用新型之薄型化RGBW四合一发光二极体结构之侧面剖视图。
[0018]图中:
[0019]第一发光芯片I
[0020]第二发光芯片2
[0021]第三发光芯片3
[0022]第四发光芯片4
[0023]支架结构5
[0024]第一容置部51
[0025]第二容置部52
[0026]第三容置部53
[0027]第四容置部54
[0028]间隔部55
[0029]独立电极550
[0030]混光区56
[0031]芯片胶体6
[0032]覆盖胶体7。
【具体实施方式】
[0033]以下将对本实用新型的薄型化RGBW四合一发光二极管结构作进一步的详细描述。
[0034]下面将参照附图对本实用新型进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型而仍然实现本实用新型的有益效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。
[0035]为使本实用新型的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
[0036]请参看图一所示，本实用新型提供一种薄型化RGBW四合一发光二极管结构，其包括:
[0037]第一发光芯片I，提供波长400nm?500nm的蓝光光源；
[0038]第二发光芯片2，提供波长500nm?600nm的绿光光源；
[0039]第三发光芯片3，提供波长600nm?700nm的红光光源；
[0040]第四发光芯片4，提供二波长光(蓝色光+黄色光)或三波长光(蓝色光+绿色光+红色光)混合而成的白光光源；
[0041]支架结构5，供以容装该第一发光芯片1、该第二发光芯片2、该第三发光芯片3与该第四发光芯片4，使该第一发光芯片1、该第二发光芯片2、该第三发光芯片3与该第四发光芯片4出光并混光后形成白光点光源出光效果。该支架结构5包含:一第一容置部51，为下窄上宽的杯状结构，供以设置该第一发光芯片I ;一第二容置部52，为下窄上宽的杯状结构，供以设置该第二发光芯片2;—第三容置部53，为下窄上宽的杯状结构，供以设置该第三发光芯片3 ;—第四容置部54，为下窄上宽的杯状结构，供以设置该第四发光芯片4 ;间隔部55，位于该第一容置部51、该第二容置部52、该第三容置部53与该第四容置部54之间，其具备有多数独立电极550分别供该第一发光芯片1、该第二发光芯片2、该第三发光芯片3与该第四发光芯片4打线连接设置；及一混光区56，供该第一发光芯片1、该第二发光芯片2、该第三发光芯片3与该第四发光芯片4的出光于该混光区56内混光后形成白光点光源；
[0042]芯片胶体6，供充填该第一容置部51、该第二容置部52、该第三容置部53与该第四容置部54以包覆该第二发光芯片2 ；
[0043]及一覆盖胶体7，封装充填于该混光区56内而设置于该芯片胶体6与该芯片胶体6上。
[0044]有鉴于出光的指向性范围，该第一容置部51、该第二容置部52、该第三容置部53与该第四容置部54的剖面为下窄上宽的梯形。且为了光学的混光及出光效果，该第一容置部51、该第二容置部52、该第三容置部53与该第四容置部54的剖面为下窄上宽的梯形，且该梯形非相邻该间隔部55的一底角为一直角的设置。
[0045]其中，该芯片胶体6可掺杂荧光粉，使荧光粉形成于发光芯片的表面而完全包覆发光芯片，以达到光能转换的效果，提供不同波长的出光，提升演色性的表现。
[0046]其中，该芯片胶体6可掺杂扩散剂，使出光更加均匀而无被荧光粉遮蔽的忧虑。为达到均匀混光的目的，该覆盖胶体7掺杂一扩散剂，使不同波长的光线均匀混合后，形成白色的点光源。
[0047]通过本实用新型的结构，在红绿蓝芯片(RGB)之间增加贴合白光芯片(W)，其可自体混出均匀光色，实现小型化薄型化，可缩小点和点的间距，更有利于混光。此外其具有独立电极550，可透过控制系统作出更精确的色彩控制。
[0048]然而，以上所述者，仅为本实用新型的优选的实施例而已，并非用以限定本实用新型实施的范围，其他转变方式也皆在本案的范畴之中；故此等熟习此技术的技术人员，在不脱离本实用新型的精神与范围下所作的均等变化与修饰，皆应涵盖于本实用新型的专利范围内。
【主权项】
1.一种薄型化RGBW四合一发光二极管结构，其特征在于，包括: 第一发光芯片，提供波长400nm?500nm的蓝光光源； 第二发光芯片，提供波长500nm?600nm的绿光光源； 第三发光芯片，提供波长600nm?700nm的红光光源； 第四发光芯片，提供白光光源； 支架结构，供以容装该第一发光芯片、该第二发光芯片、该第三发光芯片与该第四发光芯片，并具有一混光区供该第一发光芯片、该第二发光芯片、该第三发光芯片与该第四发光芯片出光并混光后形成白光点光源出光效果，该支架结构具备有多数容置部及多数独立电极分别供该第一发光芯片、该第二发光芯片、该第三发光芯片与该第四发光芯片打线连接设置； 芯片胶体，供充填所述容置部以包覆该第一发光芯片、该第二发光芯片、该第三发光芯片与该第四发光芯片； 及一覆盖胶体，封装充填于该混光区内而设置于该芯片胶体与该芯片胶体上。
2.根据权利要求1所述的薄型化RGBW四合一发光二极管结构，其特征在于，第四发光芯片，是提供蓝色光、绿色光与红色光混合而成的白光光源。
3.根据权利要求1所述的薄型化RGBW四合一发光二极管结构，其特征在于，第四发光芯片，是提供蓝色光与黄色光混合而成的白光光源。
4.根据权利要求1所述的薄型化RGBW四合一发光二极管结构，其特征在于，该第一容置部、该第二容置部、该第三容置部与该第四容置部的剖面为下窄上宽的梯形。
5.根据权利要求1所述的薄型化RGBW四合一发光二极管结构，其特征在于，该芯片胶体中掺杂荧光粉，使荧光粉形成于发光芯片的表面而完全包覆发光芯片。
6.根据权利要求5所述的薄型化RGBW四合一发光二极管结构，其特征在于，该芯片胶体的该焚光粉为绿光焚光粉，该绿光焚光粉掺杂形成于该第一发光芯片的表面而完全包覆该第一发光芯片。
7.根据权利要求1?6其中任一项所述的薄型化RGBW四合一发光二极管结构，其特征在于，该芯片胶体掺杂一扩散剂。
8.根据权利要求1?6其中任一项所述的薄型化RGBW四合一发光二极管结构，其特征在于，该覆盖胶体掺杂一扩散剂。
【专利摘要】本实用新型公开了一种薄型化RGBW四合一发光二极管结构，包括：提供蓝光、绿光、红光以及白光的第一发光芯片、第二发光芯片、第三发光芯片与第四发光芯片；支架结构，供以容装该第一发光芯片、该第二发光芯片、该第三发光芯片与该第四发光芯片，并具有一混光区供该第一发光芯片、该第二发光芯片、该第三发光芯片与该第四发光芯片出光并混光后形成白光点光源出光效果，该支架结构具备有多数容置部及多数独立电极分别供该第一发光芯片、该第二发光芯片、该第三发光芯片与该第四发光芯片打线连接设置。本实用新型可自体混出均匀光色，实现小型化薄型化，可缩小点和点的间距，更有利于混光。此外其具有独立电极，可透过控制系统作出更精确的色彩控制。
【IPC分类】H01L33-62, H01L25-13
【公开号】CN204375749
【申请号】CN201420854462
【发明人】李恒彦, 李儒维
【申请人】厦门煜明光电有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年12月30日