mW/ cm2;所述p-A-SiC缓冲层厚度为：5nm~15nm;
[0051] 所述量子阱结构的上下两层由能隙为2. 1-2. 3eV的非晶SiC/能隙为1. 8-2.leV 的纳米晶SiC构成时，2. 1-2. 3eV的非晶SiC相关工艺参数为：衬底温度150°C~300°C， 氢稀释比SiH4/H2S0. 2~5,反应腔室气压为0. 3mbar~2.Ombar，射频功率密度为10mW/ cm2~350mW/cm2;所述纳米晶-SiC相关工艺参数为：衬底温度150°C~300°C，氢稀释比 SiH4/H# 0. 01~1，反应腔室气压为0. 3mbar~2.Ombar，射频功率密度为10mW/cm2~ 350mW/cm2〇
[0052] 所述量子阱结构的上下两层由能隙为非晶Si(l. 7eV)/纳米晶Si(l. 7eV到1. 2eV) 构成时：所述非晶硅采用13. 56-40. 68MHzPECVD方法在温度为160 - 200°C的条件下沉积 i-A-Si薄膜，氢稀释比SiH/仏为0. 2~5,反应腔室气压为0. 3~2.Ombar，射频功率密度 为10~350mW/cm2。所述纳米晶硅，采用13. 56-40. 68MHzPECVD方法在温度为160 - 200°C 的条件下沉积nc-Si薄膜，氢稀释比SiH4/H2S0. 02~1，反应腔室气压为0. 3~2.Ombar， 射频功率密度为10~350mW/cm2。
[0053] 所述非晶Sil-xGex(0 彡X彡 1，1. 7eV到 1. 2eV) / 非晶Sil-xGex(0 彡X彡 1， 1.5eV到1.2eV)组成的量子阱结构，所述高能隙的非晶Sil-XGex(0彡X彡l，1.7eV到 1. 2eV)采用13. 56-40. 68MHzPECVD方法在温度为160 - 200°C的条件下沉积高能隙的非晶 Sil-xGex薄膜，氢稀释比SiH4+GeH4/H$ 0. 2~5,反应腔室气压为0. 3~2.Ombar，射频功 率密度为10~350mW/cm2。所述低能隙的非晶Sil-xGex(0彡X彡1，1. 5eV到1. 2eV)，采 用13. 56-40. 68MHzPECVD方法在温度为160 - 200°C的条件下沉积nc-Si薄膜，氢稀释比 SiH4+GeH4/H2S0. 02~3,反应腔室气压为0. 3~2.Ombar，射频功率密度为10~350mW/ cm2〇
[0054] 所述纳米晶Si(l. 2eV到1. 7eV)/纳米晶Si(l.leV到1. 5eV)组成的量子阱结构， 所述高能隙纳米晶Si(1. 2eV到1. 7eV)采用13. 56-40. 68MHzPECVD方法在温度为160 -200°C的条件下沉积，氢稀释比SiH4/H2S0. 05~1，反应腔室气压为0. 3~2.Ombar，射频功 率密度为10~350mW/cm2。所述低能隙的纳米晶Si(1.leV到1. 5eV)，采用13. 56-40. 68MHz PECVD方法在温度为160 - 200°C的条件下沉积，氢稀释比SiH/仏为0. 01~0. 5,反应腔室 气压为0. 3~2.Ombar，射频功率密度为10~350mW/cm2。
[0055] 所述纳米晶Si(1.leV到1. 5eV)/微晶Si(1.leV)组成的量子阱结构，所述纳米晶 Si(1.leV到1. 5eV)采用13. 56-40. 68MHzPECVD方法在温度为160 - 200°C的条件下沉积， 氢稀释比SiH4/H2S0. 01~0. 5,反应腔室气压为0. 3~2.Ombar，射频功率密度为10~ 350mW/cm2。所述微晶Si(1.leV)采用 13. 56-40. 68MHzPECVD方法在温度为 160 - 200°C的 条件下沉积，氢稀释比SiH4/H2S0. 01~0. 05,反应腔室气压为0. 3~2.Ombar，射频功率 密度为10~350mW/cm2。
[0056] 所述p-型SiC，非晶，纳米晶，微晶娃，SihGe,薄膜，采用硼摻杂制备，相关工艺参 数为：采用13. 56MHz-40. 68MHzPECVD方法，衬底温度150°C~300°C，体体积 流量比为〇. 01~2. 0,反应腔室气压为0. 3mbar~3.Ombar，射频功率密度为10mW/cm2~ 350mW/cm2;p型掺杂层厚度为2~30nm。
[0057] 所述n-型SiC，非晶，纳米晶，微晶娃，SihGex薄膜，采用磷摻杂制备，相关工艺 参数为：衬底温度150°C~300°C，0. 5 - 2%PH3/H2与SiH4气体体积流量比为0. 01~2. 0， 反应腔室气压为0. 3mbar~2.Ombar，射频功率密度为10mW/cm2~350mW/cm2;n型惨杂层 厚度范围2nm~30nm;
[0058] (6)采用532nm波长激光器划刻镀膜后的玻璃基片，便于TCO背电极作为导线连接 子电池；
[0059] (7)制备TCO背电极；
[0060] (8)采用532nm波长激光器划刻硅基薄膜和TCO背电极，形成单个的子电池；
[0061] (9)对电池边缘进行激光划线处理；
[0062] (10)对电池进行电路连接及封装。
[0063] 实施例3 :
[0064] 图2是具有量子阱结构的非晶/微晶双结硅基薄膜太阳能电池结构示意图；其量 子阱结构由以下材料匹配组合形成，非晶Si(1. 7eV) /纳米晶Si(1. 7eV到1. 2eV)，纳米晶 Si(1.2eV到 1.7eV)/纳米晶Si(l.leV到 1.5eV)和非晶Si(1.7eV)/纳米晶Si(1.7eV到 1. 2eV)，纳米晶Si(l. 2eV到1. 5eV)/微晶Si(l.leV);并按能级递降的顺序制备多结具有 量子阱结构的薄膜太阳能电池。通常高能隙材料的厚度为l-l〇nm，低能隙材料的厚度为 10-100nm，量子阱的结构周期为5-20。为了降低量子阱的电阻，其量子阱的结构中的薄膜 材料进行适当的磷（P)和硼（B)的掺杂，掺杂浓度应小于pin结中的n层和p层的掺杂浓 度。
[0065] 如图5所示，所所述具有量子阱结构的双结硅基薄膜太阳能电池的制造方法，其 工艺过程如下：
[0066] (1)对玻璃基板进行清洗；
[0067] (2)在基板上制备TCO前电极；
[0068] (3)米用355nm波长激光器将TCO前电极分割形成子电池的电极；
[0069] (4)对划刻后的玻璃基板再次进行清洗；
[0070] (5)在具有导电膜的玻璃基片上，采用等离子体增强化学气相沉积工艺制备非 晶，纳米晶薄膜；
[0071] 所述非晶硅采用13. 56-40. 68MHzPECVD方法在温度为160 - 200°C的条件下沉积 i-A-Si薄膜，氢稀释比SiH/仏为0. 2~5,反应腔室气压为0. 3~2.Ombar，射频功率密度 为10~350mW/cm2。所述纳米晶硅，采用13. 56-40. 68MHzPECVD方法在温度为160 - 200°C 的条件下沉积nc-Si薄膜，氢稀释比SiH4/H2S0. 02~1，反应腔室气压为0. 3~2.Ombar， 射频功率密度为10~350mW/cm2。
[0072] 所述纳米晶Si(1.2eV到1.7eV)/纳米晶Si(l.leV到1.5eV)组成的量子阱结 构，其特征是，所述高能隙纳米晶Si(1. 2eV到1. 7eV)采用13. 56-40. 68MHzPECVD方法在 温度为160 - 200°C的条件下沉积，氢稀释比SiH4/H$ 0. 05~1，反应腔室气压为0. 3~ 2. Ombar，射频功率密度为10~350mW/cm2。所述低能隙的纳米晶Si(1.leV到1. 5eV)，采 用13. 56-40. 68MHzPECVD方法在温度为160 - 200°C的条件下沉积，氢稀释比SiH4/H2S 0. 01~0. 5,反应腔室气压为0. 3~2.Ombar，射频功率密度为10~350mW/cm2。
[0073] 所述纳米晶Si(1.leV到1. 5eV)/微晶Si(1.leV)组成的量子阱结构，其特征是， 所述纳米晶Si(1. 2eV到1. 7eV)采用13. 56-40. 68MHzPECVD方法在温度为160 - 200°C 的条件下沉积，氢稀释比SiH4/H2S0. 01~0. 5,反应腔室气压为0. 3~2.Ombar，射频功 率密度为10~350mW/cm2。所述微晶Si(1.leV)，采用13. 56-40. 68MHzPECVD方法在温 度为160 - 200°C的条件下沉积，氢稀释比SiH4/H2S0. 01~0. 05,反应腔室气压为0. 3~ 2.Ombar，射频功率密度为10~350mW/cm2。
[0074]所述p_型非晶，纳米晶薄膜，采用硼摻杂制备，相关工艺参数