覆晶式led灯具的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED照明领域，尤其涉及覆晶式LED灯具。
【背景技术】
[0002]现有普通LED灯丝的支架材料为金属材料等，背面不投光，所以要实现全周发光(360°发光)，需双面点胶、封胶，且生产工艺复杂、受热性不好。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是:针对现有技术中实现LED灯全周发光的技术较为复杂，提供一种覆晶式LED灯具，可实现全周发光，且结构简单。
[0004]为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为:一种覆晶式LED灯具，包括一基板、多组覆晶式LED芯片和荧光粉胶层，所述覆晶式LED芯片安装在所述基板上，所述荧光粉胶层覆盖在覆晶式LED芯片上，基板为透明的玻璃板，在基板表面设有印刷的金属电路，覆晶式LED芯片通过其电极与所述金属电路电性连接。
[0005]进一步地，所述基板为高硼酸含量为12%?22%的玻璃板，所述覆晶式LED芯片的电极材质为金。
[0006]进一步地，所述金属电路为纯银电路。
[0007]进一步地，所述覆晶式LED芯片的电极通过锡膏与所述金属电路电性连接。
[0008]进一步地，所述基板为长条形，多组所述覆晶式LED芯片沿基板的长度方向均匀排布并通过所述金属电路串联，基板上位于长度方向的两末端设有金属引脚，所述金属引脚与金属电路电性连接。
[0009]本实用新型的有益效果在于:采用透明的玻璃做基板，在玻璃板上印刷金属电路，覆晶式LED芯片安装在玻璃基板上与金属电路电性相连，不需要焊线，覆晶式LED芯片产生的光线可以同时向荧光粉胶层方向和玻璃板方向发出，构成360°发光的效果；且覆晶式LED芯片产生的温度可通过玻璃基板向下传导出去，这样能够降低荧光粉胶层的温度，延缓荧光粉胶层的衰老和形变，防止荧光粉胶层形变后水汽进入胶中被荧光粉吸收导致荧光粉失效。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型实施例的覆晶式LED灯具的主视图。
[0011]图2为本实用新型实施例的覆晶式LED灯具的侧向剖面图。
[0012]标号说明:
[0013]10、基板；11、金属电路；12、金属引脚；20、覆晶式LED芯片；30、荧光粉胶层。
【具体实施方式】
[0014]为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
[0015]本实用新型最关键的构思在于:采用玻璃板作为覆晶式LED芯片的基板，可同时起到透光和传递热量的效果。
[0016]请参阅图1和图2，一种覆晶式LED灯具，包括一基板10、多组覆晶式LED芯片20和荧光粉胶层30，覆晶式LED芯片20安装在基板10上，荧光粉胶层30覆盖在覆晶式LED芯片20上，基板10为透明的玻璃板，在基板10表面设有印刷的金属电路11，覆晶式LED芯片20通过其电极与金属电路11电性连接。
[0017]从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于:采用透明的玻璃做基板，在玻璃板上印刷金属电路，覆晶式LED芯片安装在玻璃基板上与金属电路电性相连，不需要焊线，覆晶式LED芯片产生的光线可以同时向荧光粉胶层方向和玻璃板方向发出，构成360°发光的效果；且覆晶式LED芯片产生的温度可通过玻璃基板向下传导出去，这样能够降低荧光粉胶层的温度，延缓荧光粉胶层的衰老和形变，防止荧光粉胶层形变后水汽进入胶中被荧光粉吸收导致荧光粉失效。
[0018]具体地，本申请中的覆晶式LED芯片包括但不限于申请号为201420082716.6的专利中所公开的覆晶式LED芯片的结构。
[0019]进一步地，基板10为高硼酸含量为12%?22%的玻璃板，所述覆晶式LED芯片20的电极材质为金。
[0020]由上述描述可知，通过设置高硼酸含量为12%?22%的玻璃板，可达到最优的透光率和耐热度，且在玻璃板受热时，会产生黑体辐射，最佳温度为85°C?150°C，最佳辐射点为94°C。高硼酸含量12%?22%的二氧化硅玻璃按照黑体辐射轨迹的温度设定与覆晶式LED芯片反装在焊盘上的金电极通过锡膏焊接形成的金锡合金层混合石墨烯低温玻璃粉后，会在摄氏85°C?150°C之间形成热辐射，最佳中心辐射温度为94°C，这样可以将覆晶式LED芯片有源层产生的无效复合形成的热量通过这层界面辐射出去一部分，这样维持LED结温在高效能电流注入密度的工作温度内，使得覆晶式LED芯片稳定工作在30mA的电流下，工作结温不高于110°C，10000小时光衰低于5%，使得硼硅玻璃覆晶LED全周光产品可以可靠的应用于灯具中。
[0021]进一步地，金属电路11为纯银电路。
[0022]由上述描述可知，通过设置纯银电路可使电路具有最佳的导电效果。
[0023]进一步地，覆晶式LED芯片20的电极通过锡膏与金属电路11电性连接。
[0024]进一步地，基板10为长条形，多组覆晶式LED芯片20沿基板10的长度方向均匀排布并通过金属电路11串联，基板10上位于长度方向的两末端设有金属引脚12，金属引脚12与金属电路11电性连接。
[0025]请参照图1和图2，本实用新型的实施例为一种覆晶式LED灯具，包括一长条形的基板10、多组覆晶式LED芯片20和荧光粉胶层30，基板10为高硼酸含量为13%?21%的透明的玻璃板，基板10表面印刷有纯银的金属电路11，金属电路11的延伸方向与基板10的长度方向一致，金属电路11上具有多个断点，多组覆晶式LED芯片20沿基板10的长度方向均匀安装，每组覆晶式LED芯片20位于金属电路11的两个断点之间，其正负电极通过锡膏固定在两个断点上从而使覆晶式LED芯片之间形成串联连接，基板10上位于长度方向的两末端设有金属引脚12，金属引脚12与金属电路11的两末端电性连接，荧光粉胶层30覆盖在覆晶式LED芯片20上。
[0026]综上所述，本实用新型提供的覆晶式LED灯具的基板和覆晶式LED芯片之间不需要焊线连接，覆晶式LED芯片产生的光线可以同时向荧光粉胶层方向和玻璃板方向发出构成360°发光的效果；且覆晶式LED芯片产生的温度可通过玻璃基板向下传导出去，降低荧光粉胶层的温度，延缓荧光粉胶层的衰老和形变，防止荧光粉胶层形变后水汽进入胶中被荧光粉吸收导致荧光粉失效；高硼酸含量为12%?22%的玻璃板可达到最优的透光率和耐热度；纯银制成的电路具有最佳的导电效果。
[0027]以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种覆晶式LED灯具，包括一基板、多组覆晶式LED芯片和荧光粉胶层，所述覆晶式LED芯片安装在所述基板上，所述荧光粉胶层覆盖在覆晶式LED芯片上，其特征在于，基板为透明的、高硼酸含量为12%?22%的玻璃板，在基板表面设有印刷的金属电路，覆晶式LED芯片通过其电极与所述金属电路电性连接； 覆晶式LED芯片包括衬底和由衬底的正面向上依次层叠地设有第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、导电层、反射层、蚀刻的第一电极孔和多个围绕在第一电极孔周围的第二电极孔，第一电极孔由反射层贯穿至发光层并暴露出第一导电型半导体层，第二电极孔贯穿反射层并暴露出导电层，第一电极孔的孔壁上涂覆绝缘层，第一电极孔内设有第一电极，第一电极的一端位于反射层的正面、另一端与第一导电型半导体层电性接触；第二电极孔内设有第二电极，第二电极的一端位于反射层的正面、另一端与导电层电性接触。
2.根据权利要求1所述的覆晶式LED灯具，其特征在于，所述覆晶式LED芯片的电极材质为金。
3.根据权利要求1所述的覆晶式LED灯具，其特征在于，所述金属电路为纯银电路。
4.根据权利要求1所述的覆晶式LED灯具，其特征在于，所述覆晶式LED芯片的电极通过锡膏与所述金属电路电性连接。
5.根据权利要求1所述的覆晶式LED灯具，其特征在于，所述基板为长条形，多组所述覆晶式LED芯片沿基板的长度方向均匀排布并通过所述金属电路串联，基板上位于长度方向的两末端设有金属引脚，所述金属引脚与金属电路电性连接。
【专利摘要】本实用新型公开了一种覆晶式LED灯具，包括一基板、多组覆晶式LED芯片和荧光粉胶层，所述覆晶式LED芯片安装在所述基板上，所述荧光粉胶层覆盖在覆晶式LED芯片上，基板为透明的玻璃板，在基板表面设有印刷的金属电路，覆晶式LED芯片通过其电极与所述金属电路电性连接。本实用新型的有益效果在于：覆晶式LED芯片与金属电路的电性相连不需要焊线，覆晶式LED芯片产生的光线可以同时向荧光粉胶层方向和玻璃板方向发出，构成360°发光的效果；且覆晶式LED芯片产生的温度可通过玻璃基板向下传导出去，够降低荧光粉胶层的温度，延缓荧光粉胶层的衰老和形变，防止荧光粉胶层形变后水汽进入胶中被荧光粉吸收导致荧光粉失效。
【IPC分类】H01L25-075, H01L33-48, H01L33-50, H01L33-62, H01L33-64
【公开号】CN204441280
【申请号】CN201420464641
【发明人】刘镇
【申请人】刘镇
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年8月15日