一种硫化亚锡薄膜太阳能电池的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种硫化亚锡薄膜太阳能电池的结构。
【背景技术】
[0002]薄膜太阳能电池因其具有工艺简单，生产成本低等优点，一直是科研工作者的研宄热点。最近报道了一种硫化亚锡太阳能电池及其制备方法(申请号:201210205606X)，其结构为，在玻璃基片上制备P电极与N电极，P电极与N电极呈插指状，P电极上完全覆盖有P型硫化亚锡薄膜，所述的P型硫化亚锡薄膜与N电极非接触，P型硫化亚锡薄膜、N电极表面、P型硫化亚锡薄膜和N电极之外的间隙完全覆盖有硫化锌薄膜。这种太阳能电池的主要优点:一方面，增加了太阳能电池的光吸收面积；另一方面，因减少透明导电层的制作从而降低了生产成本；但也有其致命的缺点，P型硫化亚锡薄膜和N型硫化锌薄膜呈插指状结构直接接触，极大地增加了 P型硫化亚锡薄膜和N型硫化锌薄膜的接触面积，由于P型硫化亚锡薄膜和N型硫化锌薄膜表面缺陷态的存在，使得光生载流子大量迅速地复合，从而引起光电流的迅速衰减，致使太阳能电池的光电转换效率迅速降低，本实用新型的目的就是为了解决这一难题，实现既能充分发挥原有电池的优点，又能弥补其不足，从而达到进一步提高太阳能电池光电转换效率的目的。
【发明内容】
[0003]为了解决上述太阳能电池光电转换效率迅速降低的问题，本实用新型提供一种硫化亚锡薄膜太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池具有玻璃衬底，在玻璃衬底上制备有P (磷)电极和N (氮)电极，P电极和N电极呈插指状，P电极上完全覆盖有P型硫化亚锡薄膜，P型硫化亚锡薄膜上完全覆盖有本征氧化锌薄膜，本征氧化锌薄膜与N电极不直接接触，本征氧化锌薄膜表面、N电极表面、本征氧化锌薄膜和N电极之外的间隙完全覆盖有N型硫化锌薄膜，N型硫化锌薄膜上制备有抗反射的氟化镁薄膜。此结构的优点在于，一方面，增加了太阳能电池的光吸收面积，节省了因透明导电层的制备而带来的生产成本；另一方面，利用本征氧化锌的钝化作用，有效减少P型硫化亚锡薄膜和N型硫化锌薄膜的表面缺陷态密度，从而减少光生载流子的复合几率，极大地增加了光电流，提高了太阳能电池的光电转换效率。
【附图说明】
[0004]附图1是本实用新型的层结构示意图。
[0005]附图1标号说明:
[0006]I一玻璃衬底；
[0007]2—P 电极；
[0008]3—N 电极；
[0009]4—P型硫化亚锡薄膜；
[0010]5—本征氧化锌薄膜；
[0011]6—N型硫化锌薄膜；
[0012]7一氟化儀薄膜。
【具体实施方式】
[0013]本实用新型按附图1各层结构，包括:玻璃沉底1，在玻璃衬底I上制备有P电极2和N电极3，P电极2和N电极3呈插指状，P电极2上完全覆盖有P型硫化亚锡薄膜4，P型硫化亚锡薄膜4上完全覆盖有本征氧化锌薄膜5，本征氧化锌薄膜5与N电极3不直接接触，本征氧化锌薄膜5表面、N电极3表面、本征氧化锌薄膜5和N电极3之外的间隙完全覆盖有N型硫化锌薄膜6，N型硫化锌薄膜6上制备有抗反射的氟化镁薄膜7。本实施例中，P电极或N电极的电极材料选用金属Ag (银)或Mo (钼)。P电极2的栅线宽度为500-650 μ m，N电极3的栅线宽度为100-300 μ m，P电极2和N电极3之间的电极间距为l_2mm，P电极2和N电极3的厚度为1-1.5 μ m，P型硫化亚锡薄膜4厚度为1-3 μ m，本征氧化锌薄膜5厚度为0.5-1 μπι, N型硫化锌薄膜6厚度为1.5-4 μm，氟化镁薄膜7厚度为0.5-1 μm。
[0014]以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种硫化亚锡薄膜太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池具有玻璃衬底，所述玻璃衬底上制备有P电极和N电极，所述P电极和N电极呈插指状，所述P电极上完全覆盖有P型硫化亚锡薄膜，所述P型硫化亚锡薄膜上完全覆盖有本征氧化锌薄膜，所述本征氧化锌薄膜与N电极不直接接触，N型硫化锌薄膜完全覆盖所述的本征氧化锌薄膜表面、N电极表面、以及本征氧化锌薄膜和N电极之外的间隙，所述N型硫化锌薄膜上制备有氟化镁薄膜。
【专利摘要】本实用新型公开了一种硫化亚锡薄膜太阳能电池，所述太阳能电池具有玻璃衬底，在玻璃衬底上制备有P电极和N电极，P电极和N电极呈插指状，P电极上完全覆盖有P型硫化亚锡薄膜，P型硫化亚锡薄膜上完全覆盖有本征氧化锌薄膜，本征氧化锌薄膜与N电极不直接接触，本征氧化锌薄膜表面、N电极表面、本征氧化锌薄膜和N电极之外的间隙完全覆盖有N型硫化锌薄膜，N型硫化锌薄膜上制备有抗反射的氟化镁薄膜。此结构的优点在于，一方面，增加了太阳能电池的光吸收面积；另一方面，利用本征氧化锌的钝化作用，有效减少P型硫化亚锡薄膜和N型硫化锌薄膜的表面缺陷态密度，减少载流子的复合几率，增大光电流，提高太阳能电池的光电转换效率。
【IPC分类】H01L31/0445, H01L31/0352, H01L31/0224
【公开号】CN204668323
【申请号】CN201520436776
【发明人】罗云荣, 陈慧敏, 陈春玲
【申请人】湖南师范大学
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年6月24日