当逻辑、电路、和/或代码。本地振荡发生器(LOGEN) 570包括可以被操作为生成一个或多个频率的一个或多个振荡信号的适当逻辑、电路、接口和/或代码。该LOGEN 570可以被操作为生成数字信号和/或模拟信号。以此方式，该LOGEN 570可以被操作为生成一个或多个时钟信号和/或正弦信号。例如，基于来自处理器560和/或基带处理模块540的一个或多个控制信号可确定振荡信号的特征，诸如频率和占空比等。
[0043]在操作中，处理器560可以基于期望来接收信号所根据的无线标准来配置无线通信设备500的各个组件。可以经由RF天线510接收无线信号并且通过接收器520对无线信号进行放大和下转换。基带处理模块540可以执行噪声估计和/或噪声消除、解码和/或基带信号的解调。以此方式，可以适当地恢复和利用所接收的信号中的信息。例如，信息可以是呈现给无线通信设备的用户的音频和/或视频、将要存储在存储器550中的数据、和/或影响和/或支持无线通信设备500的操作的信息。基带处理模块540可以根据各种无线标准对将由发送器530发送的音频、视频和/或控制信号进行调制、编码以及执行其他处理。
[0044]本领域技术人员应当认识到，此处所描述的各种说明性的方框、模块、元件、组件、以及方法可被实现为电子硬件、计算机软件、或者两者的组合。为了说明硬件与软件的可互换性，上面已在它们的功能性方面概括地描述了各种说明性方框、模块、元件、组件和方法。这种功能性是实施为硬件还是软件取决于具体的应用和对整个系统施加的设计约束。技术人员可以针对各个具体应用以不同的方式实施所描述的功能。在完全没有背离本技术的范围的前提下，可以对各种组件和方框进行不同的布置(例如，以不同的顺序进行布置或者以不同的方式划分)。
[0045]如在本文中使用的，具有术语“和”或“或”来分开项中的任一项的一些列项之后的“中的至少一个”将列表作为整体来修饰，而不是修饰列表中的各成员(例如，各项)。短语“中的至少一个”并不要求选择各个列出项中的至少一个；而是，该短语允许包括项中任一项中的至少一个、和/或项的任一组合中的至少一个、和/或各个项中的至少一个。例如，短语“A、B和C中的至少一个”或者“A、B或C中的至少一个”均指只有A、只有B或者只有C 'A、B和C的任一组合；和/或各个A、B和C中的至少一个。
[0046]诸如“一方面”等短语并不暗示为该方面对本技术必不可少或者该方面应用于本技术的所有构造。与一方面相关的公开内容可以应用于所有构造或者一个或多个构造。一方面可以提供本公开内容的一个或者多个示例。诸如“方面”之类的短语指的是一个或者多个方面，反之亦然。诸如“实施方式”之类的短语并不暗示该实施方式对本技术是必需的或者将该实施方式应用于本技术的所有构造。与实施方式相关的公开内容可以应用于所有实施方式，或者一个或多个实施方式。一个实施方式可以提供本公开内容的一个或多个实施例。诸如“实施方式”之类的短语可以指一个或者多个实施方式，反之亦然。诸如“构造”之类的短语并不暗示该构造对本技术来说是必需的或者将该构造应用于本技术的所有构造。与构造相关的公开内容可以应用于所有的构造，或者一种或多种构造。一种构造可以提供本公开内容的一个或者多个示例。诸如“构造”之类的短语可以指一个或多个构造，反之亦然。
[0047]此处使用的词“示例性”意指“用作示例、示例或者图示”。在本文中作为“示例性”或作为“示例”进行描述的任何实施方式不应被解释为优先于或优于其他实施方式。此外，在某种程度上对于在说明书或者权利要求书中使用的术语“包括(include) ”、“具有”等来说，这些术语旨在与术语“包括(comprise)在权利要求书中作为衔接词而采用解释“包括”时类似的方式而包括。
[0048]与整个本公开内容描述的本领域技术人员已知的或后来变为已知的各个方面的元件等同的所有结构和功能通过参考而明确的并入本文并旨在由权利要求书所包含。此夕卜，此外，本文所公开内容并不旨在奉献给公众，无论这样的公开是否在权利要求中明确记载。没有权利要求要素是在35USC§ 112、第六款的规定下予以解释，除非该权利要求要素是使用短语“用于…的装置(means for) ”来明确地记载，或在方法权利要求的情况下，该元素是使用短语“用于…的步骤”来记载。
[0049]提供以上描述以使得本领域技术人员能够实践本文所述的多个方面。对于本领域的技术人员来说，这些方面的各种修改将是显而易见，并且本文中所定义的基本原理可应用于其他方面。因此，权利要求并不旨在局限于本文中示出的方面，而是符合与语言权利要求一致的整个范围，其中，对单数形式的元件的引用并不旨在指“一个和仅一个”，除非明确说明如此，否则是指“一个或多个”。除非另有明确说明，否则术语“一些”指的是一个或多个。男性代名词(例如，他的)包括女性和中性(例如，她的和它的)，反之亦然。仅为方便起见，使用标题和副标题(如果有的话)，而且并不限制本公开内容。
【主权项】
1.一种用于高压操作的横向双扩散金属氧化物半导体LDMOS块体finFET器件，其特征在于，所述器件包括: 形成在基板材料上的第一阱区和两个或更多第二阱区以及包括基板材料的一个或多个非阱区，其中，所述一个或多个非阱区被配置为将所述两个或更多第二阱区中的阱区分开； 源极结构，设置在被部分地形成在所述第一阱区上的第一鳍片上； 漏极结构，设置在被形成在所述两个或更多第二阱区中的最后一个上的第二鳍片上；以及 一个或多个虚设区，形成在所述一个或多个非阱区上，其中，所述虚设区被配置为提供包括用于电荷载流子的垂直流动路径的附加耗尽区流动路径以支持所述高压操作。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述LDMOS块体finFET器件包括NLDMOS块体finFET器件，所述基板材料包括P型硅，所述第一阱区包括P阱区，所述两个或更多第二阱区包括η阱区，并且所述电荷载流子包括电子。3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述LDMOS块体finFET器件包括PLDMOS块体finFET器件，所述基板材料包括硅中的深η阱，所述第一阱区包括η阱区，所述两个或更多第二阱区包括P阱区，并且所述电荷载流子包括空穴。4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述一个或多个虚设区中的每个包括形成在所述一个或多个非阱区中的一个上的虚设鳍片，其中，所述一个或多个虚设区中的每个能被配置为允许所述用于电荷载流子的垂直流动路径穿过所述虚设鳍片。5.一种通信设备，其特征在于，包括:发送器电路，包括射频RF功率放大器，其中，所述RF功率放大器包括用于高压操作的横向双扩散金属氧化物半导体LDMOS块体finFET器件，每个LDMOS块体finFET器件包括:形成在基板材料上的第一阱区和两个或更多第二阱区以及包括基板材料的一个或多个非阱区，其中，所述一个或多个非阱区被配置为将所述两个或多个第二阱区中的阱区分开； 源极结构，设置在被部分地形成在所述第一阱区上的第一鳍片上； 漏极结构，设置在被形成在所述两个或更多第二阱区中的最后一个上的第二鳍片上；以及 一个或多个虚设区，形成在所述一个或多个非阱区上，其中，所述虚设区被配置为提供包括用于电荷载流子的垂直流动路径的附加耗尽区流动路径以支持所述高压操作。6.根据权利要求5所述的通信设备，其特征在于，所述一个或多个虚设区中的每个包括形成在所述一个或多个非阱区中的一个上的虚设鳍片，并且其中，所述一个或多个虚设区中的每个能被配置为允许所述用于电荷载流子的垂直流动路径穿过所述虚设鳍片。
【专利摘要】本实用新型涉及LDMOS块体FINFET器件和通信设备。用于高压操作的横向双扩散MOS(LDMOS)块体finFET器件包括形成在基板材料上的第一阱区和两个或更多第二阱区以及包括基板材料的一个或多个非阱区。非阱区被配置为将第二阱区中的阱区分开。源极结构设置在第一鳍片上，该第一鳍片部分形成在第一阱区上。漏极结构设置在第二鳍片上，第二鳍片形成在第二阱区的最后一个上。一个或多个虚设区形成在一个或多个非阱区上。虚设区被配置为提供包括用于电荷载流子的垂直流动路径的附加耗尽区流动路径以支持高压操作。
【IPC分类】H01L29/78, H01L29/06, H01L21/336
【公开号】CN204792801
【申请号】CN201520379079
【发明人】肖姆·苏伦德兰·波诺斯, 伊藤明
【申请人】美国博通公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年6月3日
【公告号】EP2953168A1, US20150357462