一种小外形芯片封装结构的制作方法

文档序号:9975811阅读:513来源:国知局
一种小外形芯片封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及芯片封装领域,更具体地说,涉及一种小外形芯片封装结构。
【背景技术】
[0002]“封装技术”是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。对于芯片而言,封装十分重要,一方面因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电性能下降:另一方面,封装后的芯片更便于安装和运输。封装技术的好坏直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB (印制电路板)的设计和制造,因此它是至关重要的。
[0003]现有技术中,有一种双芯片封装体,包括一引线框架,所述号I线框架表面并列设置MOS晶体管芯片和集成电路控制芯片,所述MOS晶体管芯片与所述引线框架之间通过焊料粘接在一起,所述焊料靠近所述MOS晶体管芯片一侧的表面为一预制的平面,以防止MOS晶体管芯片发生倾斜,所述集成电路控制芯片与所述引线框架之间通过导电银浆层粘接在一起。其不足之处在于,该装置中的MOS晶体管芯片的厚度要大于集成电路控制芯片的厚度,而封装完成后的塑封体上表面要求高出芯片上表面一定的高度,才能对芯片起到安放、固定、密封保护的作用,因此以MOS晶体管的厚度计算,导致塑封体的厚度较厚,从散热性能考虑,不利于引线框架上芯片的散热,容易导致芯片故障,电路短路,最终影响集成电路的使用寿命。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种小外形芯片封装结构,使得封装完成后塑封体的厚度更薄,更加利于芯片的散热。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种小外形芯片封装结构,包括引线框架、封闭引线框架的塑封体以及并列设置在塑封体与引线框架之间的基岛和集成电路控制芯片;所述基岛上放置有晶体管,基岛的两侧分别设置有管脚,所述塑封体上设有用于安装基岛的第一安装槽、两个用于安装所述管脚的第二安装槽以及用于安装集成电路控制芯片的第三安装槽,第二安装槽分别位于在第一安装槽两侧;所述引线框架上安装晶体管和引脚的位置设有一凹槽,凹槽内填充有用于固定粘接所述晶体管和管脚的焊料,所述基岛上的晶体管通过焊料与所述引线框架焊接固定;所述集成电路控制芯片通过导电银浆层与所述引线框架粘接固定;所述基岛的下表面与所述集成电路控制芯片的下表面位于同一平面内。
[0006]本实用新型所述的小外形芯片封装结构,其中,所述管脚包括引脚部和封装部,封装部的宽度大于或等于引脚部的宽度。
[0007]本实用新型所述的小外形芯片封装结构,其中,所述封装部与引脚部的连接处设有凹部。
[0008]本实用新型所述的小外形芯片封装结构,其中,所述封装部的宽度为0.6mm-0.7mm0
[0009]本实用新型所述的小外形芯片封装结构,其中,所述晶体管和管脚部分嵌入焊料中。
[0010]本实用新型所述的小外形芯片封装结构,其中,所述集成电路控制芯片部分嵌入导电银浆层中。
[0011]本实用新型所述的小外形芯片封装结构,其中,所述焊料采用铁镍合金。
[0012]实施本实用新型的小外形芯片封装结构,具有以下有益效果:
[0013](I)通过在引线框架上设置凹槽,将粘接晶体管和引脚用的焊料焊进凹槽中,降低了晶体管与基岛在竖直方向的高度,使得基岛的下表面与集成电路控制芯片的下表面位于同一平面内,以集成电路控制芯片的下表面高度计算,加上塑封体下表面要求高出芯片上表面的高度,得到的塑封体的厚度更薄,更加利于芯片散热,避免局部过热影响电路工作,保证晶体管和集成电路控制芯片的下表面位于同一平面,使得塑封体更好地保护晶体管和集成电路控制芯片,更好地缓冲外界对芯片的冲击。
[0014](2)由于合理的加大了封装部的宽度,加大了封装部与塑封体之间的接触面积,相互作用力得到增强,可以达到有效的防管脚脱落的效果。
[0015](3)另外,由于在封装部和引脚部的连接处设置一个凹部,使得该凹部位于塑封体内,形成一个倒勾的效果,可以进一步增强管脚与塑封体之间的相互作用力,进一步达到防管脚脱落的效果。
【附图说明】
[0016]下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明,附图中:
[0017]图1是本实用新型较佳实施例的小外形芯片封装结构的结构示意图;
[0018]图2是本实用新型较佳实施例的小外形芯片封装结构中基岛与管脚的结构示意图;
[0019]其中,1、引线框架;2、塑封体;3、基岛;4、晶体管;5、管脚;51、引脚部;52、封装部;53、凹部;6、集成电路控制芯片;7、焊料;8、导电银浆层。
【具体实施方式】
[0020]下面,结合附图以及【具体实施方式】,对本实用新型做进一步描述:
[0021]如图1-2所示,一种小外形芯片封装结构,包括引线框架1、封闭引线框架I的塑封体2以及并列设置在塑封体2与引线框架I之间的基岛3和集成电路控制芯片6 ;所述基岛3上放置有晶体管4,基岛3的两侧分别设置有管脚5,所述塑封体2上设有用于安装基岛3的第一安装槽、两个用于安装所述管脚5的第二安装槽以及用于安装集成电路控制芯片6的第三安装槽,第二安装槽分别位于在第一安装槽两侧;所述引线框架I上安装晶体管4和管脚5的位置设有一凹槽,凹槽内填充有用于固定粘接所述晶体管4和管脚5的焊料7,所述基岛3上的晶体管4通过焊料7与所述引线框架I焊接固定;所述集成电路控制芯片6通过导电银浆层8与所述引线框架I粘接固定;所述基岛3的下表面与所述集成电路控制芯片6的下表面位于同一平面内。
[0022]通过在引线框架I上设置凹槽,将粘接晶体管4和管脚5用的焊料7焊进凹槽中,降低了晶体管4与基岛3在竖直方向的高度,使得基岛3的下表面与集成电路控制芯片6的下表面位于同一平面内,以集成电路控制芯片6的下表面高度计算,加上塑封体2下表面要求高出芯片上表面的高度,得到的塑封体2的厚度更薄,更加利于芯片散热,避免局部过热影响电路工作,保证晶体管和集成电路控制芯片的下表面位于同一平面,使得塑封体更好地保护晶体管和集成电路控制芯片,更好地缓冲外界对芯片的冲击。
[0023]所述管脚5包括引脚部51和封装部52,封装部52的宽度大于或等于引脚部51的宽度。所述封装部52与引脚部51的连接处设有凹部53。所述封装部52的宽度为0.6mm-0.7mm,优选地,封装部52的宽度为0.65mm。由于合理的加大了封装部52的宽度,加大了封装部52与塑封体2之间的接触面积,相互作用力得到增强,可以达到有效的防管脚5脱落的效果。另外,由于在封装部52和引脚部51的连接处设置一个凹部53,使得该凹部53位于塑封体2内,形成一个倒勾的效果,可以进一步增强管脚5与塑封体2之间的相互作用力,进一步达到防管脚脱落的效果。
[0024]所述晶体管4和管脚部5分嵌入焊料7中。所述集成电路控制芯片6部分嵌入导电银浆层8中。由于焊料包裹住晶体管和管脚剩余的上半部分,增大了晶体管的强度,缓冲由于塑封体内引线框架和包封材料的热膨胀系数不同产生的挤压应力对晶体管的挤压。所述焊料采用铁镍合金。铁和镍的导热性能较好,晶体管发热产生的热量更加容易经焊料传递出去,进一步提高了散热性能。
[0025]对本领域的技术人员来说,可根据以上描述的技术方案以及构思,做出其它各种相应的改变以及形变,而所有的这些改变以及形变都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。
【主权项】
1.一种小外形芯片封装结构,其特征在于,包括引线框架、封闭引线框架的塑封体以及并列设置在塑封体与引线框架之间的基岛和集成电路控制芯片;所述基岛上放置有晶体管,基岛的两侧分别设置有管脚,所述塑封体上设有用于安装基岛的第一安装槽、两个用于安装所述管脚的第二安装槽以及用于安装集成电路控制芯片的第三安装槽,第二安装槽分别位于在第一安装槽两侧;所述引线框架上安装晶体管和引脚的位置设有一凹槽,凹槽内填充有用于固定所述晶体管和管脚的焊料,所述基岛上的晶体管通过焊料与所述引线框架焊接固定;所述集成电路控制芯片通过导电银浆层与所述引线框架粘接固定;所述基岛的下表面与所述集成电路控制芯片的下表面位于同一平面内。2.根据权利要求1所述的小外形芯片封装结构,其特征在于,所述管脚包括引脚部和封装部,封装部的宽度大于或等于引脚部的宽度。3.根据权利要求2所述的小外形芯片封装结构,其特征在于,所述封装部与引脚部的连接处设有凹部。4.根据权利要求2或3所述的小外形芯片封装结构,其特征在于,所述封装部的宽度为0.6mm-0.7mm05.根据权利要求1所述的小外形芯片封装结构,其特征在于,所述晶体管和管脚部分嵌入焊料中。6.根据权利要求1所述的小外形芯片封装结构,其特征在于,所述集成电路控制芯片部分嵌入导电银浆层中。7.根据权利要求1所述的小外形芯片封装结构,其特征在于,所述焊料采用铁镍合金。
【专利摘要】本实用新型公开了一种小外形芯片封装结构,包括引线框架、封闭引线框架的塑封体以及并列设置在塑封体与引线框架之间的基岛和集成电路控制芯片;基岛上放置有晶体管,基岛的两侧分别设置有管脚,塑封体上设有用于安装基岛的第一安装槽、两个用于安装管脚的第二安装槽以及用于安装集成电路控制芯片的第三安装槽,第二安装槽分别位于在第一安装槽两侧;引线框架上安装晶体管和引脚的位置设有一凹槽,凹槽内填充有用于固定粘接晶体管和管脚的焊料;集成电路控制芯片通过导电银浆层与引线框架粘接固定;基岛的下表面与集成电路控制芯片的下表面位于同一平面内。通过引线框架上设置有凹槽,减少了塑封体的厚度,提高散热性能。
【IPC分类】H01L23/367, H01L23/31, H01L23/495
【公开号】CN204885151
【申请号】CN201520719346
【发明人】陈国斌
【申请人】广东合科泰实业有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年9月16日
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