实用新型还可利用不同的介质层数实现导体的阻抗变化，这样可以有效减小耦合区域的导体的线宽，线长以及线间距，达到缩小尺寸的作用。
[0012]该滤波器是由一对长度和结构均不相同的导体构成馈电贴片(即两条馈电线)，通过频率选择性耦合分别抑制三次谐波和五次谐波；位于左边馈电结构末端区域与右边的馈电结构中间区域形成源负载耦合，源负载耦合在通带左边产生一个传输零点，调节这个传输零点的位置，可以使通带达到一个更好的选择性。
[0013]与现有技术相比，本实用新型具有以下优点:
[0014]1、采用LTCC多层工艺，有效减小了滤波器尺寸。
[0015]2、利用频率可选择性耦合方法通过耦合馈电的方式抑制了三次谐波和五次谐波，得到了很宽的阻带，带外抑制很好。
[0016]3、馈电线之间引入源负载耦合，产生了一个传输零点，使得通带的选择性得到了极大的提升。
【附图说明】
[0017]图1是本实用新型的立体结构分层示意图；
[0018]图2是本实用新型的第一导体层俯视示意图；
[0019]图3是本实用新型的第二导体层俯视示意图；
[0020]图4是本实用新型的第三导体层俯视示意图；
[0021]图5是本实用新型的第四导体层俯视示意图；
[0022]图6是本实用新型的第五导体层俯视示意图；
[0023]图7是本实用新型的第六导体层俯视示意图；
[0024]图8是本实用新型的第七导体层俯视示意图；
[0025]图9是本实用新型的第八导体层俯视示意图；
[0026]图10是本实用新型的第九导体层俯视示意图；
[0027]图11是本实用新型的第十导体层俯视示意图；
[0028]图12是本实用新型LTCC滤波器实施例的频率响应特性曲线图。
【具体实施方式】
[0029]为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍。下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
[0030]如图1所示，本实用新型实施例提供了一种基于频率选择性耦合的三次五次谐波抑制的LTCC滤波器，其特征在于整个滤波器为LTCC多层结构，由九层介质基板、十层导体层和八个金属通孔组成；两个四分之一波长短路线谐振器分别由位于五个不同导体层的微带线通过金属通孔连接在一起，呈左右对称结构分布；两条馈电线位于同一导体层，呈非对称结构分布；每一层介质基板由下而上顺次层叠，第一层导体层位于第九介质板9上表面，第二导体层位于第九介质板9和第八介质板8之间，第三导体层位于第八介质板8与第七介质板7之间，第四导体层位于第七介质板7与第六介质板6之间，第五导体层位于第六介质板6与第五介质板5之间，第六导体层位于第五介质板5与第四介质板4之间，第七导体层位于第四介质板4与第三介质板3之间，第八导体层位于第三介质板3与第二介质板2之间，第九导体层位于第二介质板2与第一介质板I之间，第十导体层位于第一介质板I下表面。
[0031]如图2所不，第一导体层为金属地板10。
[0032]如图3所示，第二导体层是两个四分之一波长谐振器始端，第二导体层呈镜像对称，第一通孔11有两个，两个四分之一波长谐振器的开路端911均各自设有第一通孔11的孔端901、902，第一通孔11将第二导体层的电路与第五层电路连接起来。
[0033]如图4所示，第三导体层为地板，上面相应位置上有两个开孔801供两个第一通孔11通过且第一通孔11和第三导体层之间没有物理接触；第三导体层左右两边各有一个缺口，缺口位置分别正对于第三导体层的下层电路即第四导体层的输入输出端口。
[0034]如图5所示，第四导体层为两条馈电线部分，各由结构和长度均不相同的馈电贴片组成，左边馈电线结构由左边馈电线始端701向左边馈电线终端702延伸，在左边馈电线的中端引出一个馈电端口 703，右边馈电线结构包括右边馈电线始端704和右边馈电线末端即另一馈电端口 705。通过频率选择性耦合分别抑制三次谐波和五次谐波；位于左边馈电结构末端区域即左边馈电线终端702与右边的馈电结构中间区域706形成源负载耦合，源负载耦合在通带左边产生一个传输零点，调节这个传输零点的位置，可以使通带达到一个更好的选择性。
[0035]如图6所示，第五导体层包括所述两个四分之一波长谐振器中分别与第四导体层的馈电贴片耦合的第一耦合区域611和第二耦合区域612，第一耦合区域611和第二耦合区域612镜像对称，第二通孔12为两个，第一耦合区域611和第二耦合区域612的始端均各自设有与相应第二通孔12 —端连接的孔端601、603，第一耦合区域611和第二耦合区域612的末端均各自设有与相应的第一通孔11连接的孔端602、604，即第一通孔11将第五导体层电路与第二导体层电路连接起来，第二通孔12将第五导体层电路与第七导体层电路连接起来。
[0036]如图7所示，第六导体层是地板，第六导体层上开有供两个第二通孔12穿过且不与第二通孔12相互接触的两个开孔501。
[0037]如图8所示，第七导体层包括两个四分之一波长谐振器中的第三耦合区域411和第四耦合区域412，第三耦合区域411和第四耦合区域412镜像对称，两个第二通孔12的另一端均相应地与第三耦合区域411 一端的孔401和第四耦合区域412 —端的孔403连接，即第二通孔12将第七导体层电路与第五层导体层电路连接起来，第三通孔13有两个，第三耦合区域411另一端的孔402和第四耦合区域412另一端的孔404相应地与第三通孔13的一端连接，即第三通孔13将第七导体层电路与第九导体层电路连接起来。
[0038]如图9所示，第八导体层是地板，第八导体层上相应开有供两个第三通孔13穿过且不与第三通孔13接触的两个开孔301 ;第八导体层上还设有所述两个四分之一波长谐振器短路端的两个接地孔(311、312)，第四通孔14有两个，所述两个接地孔(311、312)均各自通过第四通孔14 一端与第九导体层的电路相连接。
[0039]如图10所示，第九导体层是两个四分之一波长谐振器短路端所在的层，同时也是两个四分之一波长谐振器的第五耦合区域211和第六耦合区域212所在的层，第九导体层呈镜像对称，第五耦合区域211和第六耦合区域212均有一端作为与第四通孔14另一端连接的孔端(201、203)，即第四通孔14将第九导体层电路与第八导体层的地板相连接构成两个四分之一波长谐振器短路端；第五耦合区域211的另一端和第六耦合区域212的另一端相应地为与第三通孔13另一端连接的孔端(202、204)，第十导体层是地板16。
[0040]如图10所示，第十导体层是地板16。
[0041]本实施例中，通带中心频率由四分之一波长谐振器长度决定，通带左边零点的位置主要由源负载耦合强度决定，通带右边的第一个零点主要由四分之一波长短路端的磁耦合决定，通带右边第二个零点主要由馈电线与谐振器的耦合决定，通过调节上述所指出的谐振器长度，源负载耦合和馈电线与谐振器的耦合，本实施例获得了所需的通带和阻带特性。
[0042]下面对一个实施例的各项参数描述如下:
[0043]如图3~11 所示，LI 为 2.85mm，L2 为 3.4mm, L3 为 3.8mm，L4 为 3.8mm，L5 为0.35mm, L6 为 3.8