磁芯和滤波装置的制造方法
【技术领域】
[〇〇〇1] 本实用新型涉及滤波装置领域，特别是涉及磁芯和滤波装置。
【背景技术】
[0002]电子电器及仪表设备，都有抗电磁干扰方面的要求，电磁干扰(ElectromagneticInterference，EMI)是干扰电缆信号并降低信号完好性的电子噪音。电子电器，尤其是会产生高频干扰的电子电器，一般会设计一个滤除电磁干扰的滤波装置，它可将电子电器或仪表设备工作时产生的电磁干扰过滤去除，以免串入公共电路对其它电器产生干扰；也可避免公共电路中背景电磁干扰串入电器本身，以使自己能够正常工作。
[0003] 传统的滤波装置中会包括EE型滤波磁芯，如图1所示，包括两个E型滤波磁芯，且两个E型滤波磁芯相对设置，但是EE型滤波磁芯12的磁路结构是敞开式的，空间散磁现象比较严重，磁屏蔽效果不好，影响了它的滤除电磁干扰的效果。
【实用新型内容】
[0004] 基于此，有必要针对空间散磁比较严重，磁屏蔽效果不好的问题，提供一种磁芯。
[0005]—种磁芯，包括用于增加电感线圈磁路中的磁感应强度的第一 E型磁芯和第二E型磁芯，所述磁芯还包括屏蔽盖，所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯的磁芯底板相对于磁芯底板上的三柱向外延伸形成平台；所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯的三柱相对设置，其中至少两柱相互接触连接；所述屏蔽盖与所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯的磁芯底板的平台抵接，形成腔体结构。
[0006] 在其中一个实施例中，所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯的磁芯底板远离三柱的一侧分别与所述屏蔽盖两端抵接，形成腔体结构。
[0007] 在其中一个实施例中，所述屏蔽盖夹在所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯的磁芯底板的平台之间，形成腔体结构。
[0008] 在其中一个实施例中，所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯结构相同；所述第一 E型磁芯的三柱分别为一体成型于所述第一 E型磁芯的磁芯底板上分布的第一边柱、中柱和第二边柱；
[0009] 所述第一边柱、中柱、第二边柱均与所述磁芯底板垂直，且所述第一边柱、中柱、第二边柱均位于所述磁芯底板的第一侧边缘使所述磁芯底板的第二边缘形成平台。
[0010] 在其中一个实施例中，所述第一 E型磁芯的第一边柱、中柱、第二边柱分别于与第二E型磁芯的第一边柱、中柱、第二边柱直接接触连接为一体。
[0011] 在其中一个实施例中，所述第一 E型磁芯的第一边柱、第二边柱分别于与第二E型磁芯的第一边柱、第二边柱直接接触连接为一体，所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯的中柱至少一个中柱设有气隙。
[0012] 在其中一个实施例中，所述第一 E型磁芯、第二E型磁芯和屏蔽盖为锰锌铁氧体磁芯、镍锌铁氧体磁芯、金属粉芯中的一种。
[0013]在其中一个实施例中，所述第一 E型磁芯、第二 E型磁芯与屏蔽盖的连接方式为粘接或焊接中的一种。
[0014]此外，还提供一种滤波装置，包括电路板、线包，所述滤波装置还包括磁芯，所述线包套在所述磁芯的第一 E型磁芯、第二 E型磁芯的中柱上，所述第一 E型磁芯、第二 E型磁芯的三柱分别对应接触；所述磁芯安装在电路板上，所述磁芯屏蔽盖相对的一面与所述电路板接触连接。
[0015]一种滤波装置，包括电路板、第一线包和第二线包，所述滤波装置还包括磁芯，所述第一线包套在所述磁芯的第一E型磁芯、第二 E型磁芯的第一边柱上；所述第二线包套在所述磁芯的第一 E型磁芯、第二 E型磁芯的第二边柱上；所述第一 E型磁芯、第二 E型磁芯相对设置，中柱留有气隙；所述磁芯安装在电路板上，所述磁芯屏蔽盖相对的一面与所述电路板接触连接。
[0016]上述磁芯，由于设有屏蔽盖，结构紧凑，封闭性好，当磁芯线圈上有电流通过时，产出磁通量，在空间上就会形成电磁场，当设有屏蔽盖时，屏蔽盖就阻挡了绝大部分的电磁场向外空间辐射，进而实现了电磁屏蔽，滤除了电磁干扰。
【附图说明】
[0017]图1为传统EE磁芯结构图；
[0018]图2为本实用新型第一 E型磁芯结构图；
[0019]图3为本实用新型一实施例磁芯结构图(a)立体图(b)爆炸图；
[0020]图4为本实用新型一实施例磁芯结构图；
[0021]图5为本实用新型一实施例磁芯结构图。
【具体实施方式】
[0022]为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
[0023]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0024]如图2所不的为一实施例的EE磁芯中的第一 E型磁芯结构图，第一 E型磁芯10包括磁芯底板100、第一边柱110、第二边柱120及中柱130，第一边柱110、第二边柱120及中柱130 —体成型于第一 E型磁芯10的磁芯底板100上，且垂直于磁芯底板100。第一 E型磁芯10的磁芯底板100相对于位于磁芯底板100上方的三柱(110、120、130)向外延伸形成平台；第一边柱110、中柱130、第二边柱120均位于磁芯底板100的第一侧边缘101使磁芯底板100的第二侧边缘102形成平台。
[0025]如图3(a)所示的为一实施例中的EE型磁芯结构立体图，如图3 (b)所示的为图3 (a)的EE型磁芯结构爆炸图，图中EE型磁芯包括第一 E型磁芯10、第二 E型磁芯20及屏蔽盖30 ;第一 E型磁芯10与第二 E型磁芯20的结构、尺寸相同。结合图3(a)、(b)，第一 E型磁芯10的第一边柱110、第二边柱120及中柱130分别与第二 E型磁芯20的第一边柱210、第二边柱220及中柱230对应接触连接。第一 E型磁芯10有一个向外延伸的平台，SP位于磁芯底板100的第二侧102。第二 E型磁芯20有一个向外延伸的平台，即位于磁芯底板200的第二侧202。屏蔽盖30的两端分别与第一 E型磁芯10、第二 E型磁芯20的平台连接，即第一 E型磁芯10磁芯底板100远离三柱的一侧、第二 E型磁芯20的磁芯底板200远离三柱的一侧分别与屏蔽盖30两端抵接，形成腔体结构。在本实施例中屏蔽盖30的大小与第一 E型磁芯10、第二 E型磁芯20相对设置后第一边柱110、第二边柱120、中柱130所在平面的大小相同。
[0026]如图4所示的为一实施例磁芯结构图，其中屏蔽盖30夹在第一 E型磁芯10的平台及第二 E型磁芯20平台之间，也形成一个腔体结构。
[0027]由于屏蔽盖30，使得整个EE型磁芯的磁路呈