二通孔13a连接。如图1所示，所述第三测试端14c包括第三电压测试端F1’和第三电流测试端SI’，分别用于施加电压和电流;所述第四测试端14d包括第四电压测试端F2’和第四电流测试端S2’，分别用于施加电压和电流。
[0043]具体地，如图2所示，所述第一通孔12a上连接有依次连接于各金属层之间的通孔，形成第一堆叠孔12，图2中仅显示第三通孔12b及顶层的第五通孔12c，所述第三通孔12b及所述第五通孔12c之间的其他通孔均省略，且所述第一堆叠孔12中通孔的数量与金属层的数量匹配。所述第五通孔12c的上端连接第五测试端14e，如图1所示，所述第五测试端14e包括第五电压测试端F1”和第五电流测试端SI”，分别用于施加电压和电流。
[0044]具体地，如图2所示，所述第二通孔13a上连接有依次连接于各金属层之间的通孔，形成第二堆叠孔13，图2中仅显示第四通孔13b及顶层的第六通孔13c，所述第四通孔13b及所述第六通孔13c之间的其他通孔均省略，且所述第二堆叠孔13中通孔的数量与金属层的数量匹配。所述第六通孔13c的上端连接第六测试端14f，如图1所示，所述第六测试端14f包括第六电压测试端F2”和第六电流测试端S2”，分别用于施加电压和电流。
[0045]如图1所示，为了便于显示，在本实施例中，各测试端在垂直方向上的投影位于不同的位置。在实际使用时，为了减小所述电迀移测试结构I所占的面积，各测试端与所述金属线11平行设置。
[0046]所述电迀移测试结构I的工作原理如下:
[0047]如图3所示，采用所述第一测试端14a及所述第二测试端14b实现金属线电迀移测试:
[0048]在所述第一电流测试端SI及所述第二电流测试端S2上施加电流，检测所述第一电压测试端Fl及所述第二电压测试端F2上的电压，以此实现对金属线的电迀移测试。或者，在所述第一电压测试端Fl及所述第二电压测试端F2上施加电压，检测所述第一电流测试端SI及所述第二电流测试端S2上的电压，以此实现对所述金属线11的电迀移测试。此时，所述第一堆叠孔12及所述第二堆叠孔13对所述金属线11散热，以此提高测试的准确性。
[0049]如图4所示，采用所述第三测试端14c及所述第四测试端14d实现单通孔电迀移测试:
[0050]在所述第三电流测试端SI’及所述第四电流测试端S2’上施加电流，检测所述第三电压测试端Fl，及所述第四电压测试端F2，上的电压，以此实现对单通孔的电迀移测试。或者，在所述第三电压测试端F1’及所述第四电压测试端F2 ’上施加电压，检测所述第三电流测试端SI’及所述第四电流测试端S2’上的电压，以此实现对单通孔的电迀移测试。此时，所述第三通孔12b至所述第五通孔12c及所述第四通孔13b至所述第六通孔13c进行散热，以此提尚测试的准确性。
[0051]如图5所示，采用所述第五测试端14e及所述第六测试端Hf实现堆叠孔电迀移测试:
[0052]在所述第五电流测试端SI”及所述第六电流测试端S2”上施加电流，检测所述第五电压测试端F1”及所述第六电压测试端F2”上的电压，以此实现对堆叠孔的电迀移测试。或者，在所述第五电压测试端F1”及所述第六电压测试端F2”上施加电压，检测所述第五电流测试端SI”及所述第六电流测试端S2”上的电压，以此实现对堆叠孔的电迀移测试。此时，所述第一测试端14a?所述第四测试端14d进行散热，以此提高测试的准确性。
[0053]如上所述，本实用新型的电迀移测试结构，具有以下有益效果:
[0054]1、本实用新型的电迀移测试结构将现有技术中的多种电迀移测试结构整合，不会多占用晶圆上的宝贵面积，也不会增加测试结构的制作成本。
[0055]2、本实用新型的电迀移测试结构使相同面积上测试结构的种类增加，提高了晶圆的利用率;同时测试结构的种类增加导致用于测试的晶圆数量减少，降低了测试成本。
[0056]3、本实用新型的电迀移测试结构能对金属线、单个通孔、堆叠孔等不同对象进行电迀移测试，有效保证半导体结构的质量和可靠性，大大提高了半导体器件的良品率。
[0057]4、本实用新型的电迀移测试结构在进行一种对象的电迀移测试时，其他不流经电流的部分能作为散热通道，提高了测试的准确性。
[0058]综上所述，本实用新型提供一种电迀移测试结构，包括:位于第一金属层的金属线，所述金属线的两端分别通过第一通孔及第二通孔连接至第二金属层，所述第一通孔及所述第二通孔的两端分别连接位于所述第一金属层及所述第二金属层中的测试端。本实用新型的电迀移测试结构将现有技术中的多种电迀移测试结构整合，不会多占用晶圆上的宝贵面积，也不会增加测试结构的制作成本;使相同面积上测试结构的种类增加，提高了晶圆的利用率;同时测试结构的种类增加导致用于测试的晶圆数量减少，降低了测试成本;还能对金属线、单个通孔、堆叠孔等不同对象进行电迀移测试，有效保证半导体结构的质量和可靠性，大大提高了半导体器件的良品率;在进行一种对象的电迀移测试时，其他不流经电流的部分能作为散热通道，提高了测试的准确性。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0059]上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种电迀移测试结构，其特征在于，所述电迀移测试结构至少包括: 位于第一金属层的金属线，所述金属线的两端分别通过第一通孔及第二通孔连接至第二金属层，所述第一通孔及所述第二通孔的两端分别连接位于所述第一金属层及所述第二金属层中的测试端。2.根据权利要求1所述的电迀移测试结构，其特征在于:还包括设置于所述第二金属层上的多个依次连接于各金属层之间的通孔，分别与所述第一通孔及所述第二通孔形成堆叠孔，最上层通孔连接位于最上层金属层中的测试端。3.根据权利要求1或2所述的电迀移测试结构，其特征在于:所述测试端包括电压测试端和电流测试端。4.根据权利要求1或2所述的电迀移测试结构，其特征在于:各测试端与所述金属线平行设置。5.根据权利要求1所述的电迀移测试结构，其特征在于:所述金属线的材质为Cu或Al。6.根据权利要求1所述的电迀移测试结构，其特征在于:所述金属线的宽度不大于待测晶圆的最小线宽。
【专利摘要】本实用新型提供一种电迁移测试结构，包括：位于第一金属层的金属线，所述金属线的两端分别通过第一通孔及第二通孔连接至第二金属层，所述第一通孔及所述第二通孔的两端分别连接位于所述第一金属层及所述第二金属层中的测试端。本实用新型的电迁移测试结构不会多占用晶圆上的宝贵面积，也不会增加测试结构的制作成本，提高了晶圆的利用率，降低了测试成本，有效保证半导体结构的质量和可靠性，大大提高了半导体器件的良品率，此外，还提供散热通道，提高了测试的准确性。
【IPC分类】H01L21/66
【公开号】CN205376473
【申请号】CN201620065682
【发明人】陈芳
【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司, 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2016年1月22日