电感器以及频带去除滤波器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及电感器以及频带去除滤波器，其中，端子电极(31、32)形成在共用的基材层(15)上，线圈导体(21～24)形成在多个基材层(11～14)上，俯视时的线圈导体的形成区域具有与第一端子电极(31)重叠的部分，且与第二端子电极(32)不重叠。从第一端子电极(31)到线圈导体的路径长度(层间连接导体(41)的层方向长度)比从第二端子电极(32)到线圈导体的路径长度(层间连接导体(45～48)的层方向长度以及面内连接导体(51)的长度)短。
【专利说明】
电感器以及频带去除滤波器
技术领域
[0001]本实用新型涉及用于各种电子电路的层叠贴片型的电感器以及频带去除滤波器。
【背景技术】
[0002]以往，层叠贴片型的电感器的结构为，将形成有线圈导体图案的绝缘性基材层叠，线圈导体图案的两端与端子电极连接。例如专利文献I中，公开了线圈导体图案设置在比两个端子电极形成位置更靠近贴片的中心侧的位置，被构成为俯视时线圈导体图案和端子电极不重叠的层叠贴片电感器。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献I:日本专利特开2000-182830号公报【实用新型内容】
[0006]实用新型所要解决的技术问题
[0007]专利文献I公开的层叠贴片电感器中，能使在线圈导体图案和端子电极之间产生的寄生电容减小，提高电感器的自谐振频率。
[0008]然而，根据专利文献I所公开的结构，形成线圈导体图案的区域受限，因此有元件的单位尺寸所能得到的电感值减小这样的问题。另外，包含电感器的滤波器也有同样的问题。
[0009]本实用新型的目的在于，提供一种抑制寄生电容，并且能抑制电感值减小的电感器以及频带去除滤波器。
[0010]解决技术问题所采用的技术方案[0011 ]本实用新型的电感器，其特征在于，
[0012]线圈导体、端子电极、以及连接所述线圈导体和所述端子电极的连接导体形成在多个基材层的层叠体上，
[0013]所述端子电极包含形成在共用的安装面上的第一端子电极以及第二端子电极，
[0014]所述线圈导体形成在多个所述基材层上，
[0015]俯视时，所述线圈导体的形成区域具有与所述第一端子电极重叠的部分，且与所述第二端子电极不重叠，
[0016]从所述第一端子电极到所述线圈导体的路径长度比从所述第二端子电极到所述线圈导体的路径长度短。
[0017]利用所述结构，在第一端子电极和线圈导体之间几乎不产生寄生电容，在第二端子电极和线圈导体之间产生的寄生电容被降低，因此构成寄生电容较小的电感器。另外，线圈导体的形成区域相对大出俯视时线圈导体和第一端子电极重叠的部分大小，因此能抑制电感值减小。
[0018]所述线圈导体形成在所述多个基材层上，在所述多个基材层的层叠方向上，朝向逐渐远离形成所述端子电极的安装面的方向，一边环绕一边延伸。
[0019]优选地，所述连接导体中，连接所述第二端子电极和所述线圈导体的部分连接所述线圈导体中在所述层叠方向上离所述安装面最远的部分和所述第二端子电极。利用所述结构，能容易地增加线圈导体的匝数。
[0020]优选地，包括辅助导体，该辅助导体形成在所述线圈导体和所述第一端子电极之间，导通第一端子电极。利用该结构，希望在第一端子电极和线圈导体的一部分之间产生的寄生电容被辅助导体屏蔽，因此抑制寄生电容。
[0021]优选地，所述线圈导体的一部分与端子电极形成在同一面上，且形成在第一端子电极以及第二端子电极之间。利用该结构，能以较少的基材层的层数增加线圈导体的匝数。
[0022]优选地，俯视时，形成在所述多个基材层上的线圈导体是实质上环绕同一路径的图案。利用该结构，线圈导体中，形成在远离第一端子电极的基材层上的线圈导体，被形成在靠近第一端子电极的基材层上的线圈导体屏蔽，因此抑制在第一端子电极和线圈导体图案之间产生的寄生电容。
[0023]俯视时，所述线圈导体的形成区域实质上为矩形状，
[0024]所述第一端子电极以及所述第二端子电极实质上为矩形状，
[0025]俯视时，所述线圈导体的形成区域的第一边与所述第一端子电极的长边方向重置，
[0026]优选地，与所述线圈导体的形成区域的第一边相对的第二边平行于所述第二端子电极的长边方向。利用该结构，在确保线圈导体和第二端子电极的距离的同时，还形成俯视时环绕与第二端子电极不重叠的实质上整个区域(即线圈导体形成区域的面积较大)的线圈导体。因此，能抑制寄生电容，并且抑制电感值减小。
[0027]本实用新型的频带去除滤波器，其特征在于，包括:所述电感器；以及与该电感器并联连接的电容器，
[0028]所述电容器，由以下结构构成:
[0029]第一引出图案，该第一引出图案从所述电感器的线圈导体的中途引出；
[0030]第二引出图案，该第二引出图案从比第一引出图案更靠近电路上第二端子电极的位置引出，形成为俯视时与第一引出图案重叠；以及
[0031]第三引出图案，该第三引出图案从比第一引出图案更靠近电路上第一端子电极的位置引出，形成为俯视时与第一引出图案重叠，
[0032]俯视时，第一引出图案、第二引出图案以及第三引出图案形成在线圈导体的形成区域外。
[0033]利用所述结构，能在线圈导体的形成区域以外空的空间形成电容器，能在不增大尺寸的情况下，得到频带去除特性。
[0034]优选地，所述第二引出图案是连接所述第二端子电极和所述线圈导体的连接导体。利用该结构，能以简单的导体图案构成线圈部和电容器部，提高空间利用率。
[0035]优选地，俯视时，所述第三引出图案与所述第二端子电极不重叠。利用该结构，抑制在第二端子电极和第三引出图案之间产生不需要的寄生电容，在第一端子电极和第二端子电极之间等效连接的电容分量较少，容易得到良好的频带去除特性。
[0036]实用新型效果
[0037]根据本实用新型，在第一端子电极和线圈导体之间几乎不产生寄生电容，在第二端子电极和线圈导体之间产生的寄生电容被降低，因此构成寄生电容较小的电感器。由于线圈导体的形成区域较大，因此整体上不会大型化，能得到所期望的电感值。另外，能得到小型的频带去除滤波器。
【附图说明】
[0038]图1是第一实施方式涉及的电感器101的分解立体图。
[0039]图2是电感器101的各基材层的分解平面图。
[0040]图3是图2中以点划线表示的位置上的电感器101的剖视图。
[0041]图4是第二实施方式涉及的电感器102的分解平面图。
[0042]图5是第三实施方式涉及的电感器103的分解平面图。
[0043]图6是第四实施方式涉及的频带去除滤波器104的分解平面图。
[0044]图7是图6所示的频带去除滤波器104的电路图。
[0045]图8(A)、8(B)是表示频带去除滤波器104的插入损耗的频率特性的模拟结果的图。
[0046]图9是第五实施方式涉及的频带去除滤波器105的分解平面图。
[0047 ]图1O是频带去除滤波器105的电路图。
【具体实施方式】
[0048]以下，参照附图列举了几种具体的例子，表示用于实施本实用新型的多种方式。在各图中对同一部分标注同一标号。不言自明，各实施方式为示例，在不同的实施方式所表示的结构能进行部分置换或组合。
[0049]《第一实施方式》
[0050]图1是第一实施方式涉及的电感器101的分解立体图，图2是电感器101的各基材层的分解平面图。另外，图3是图2中以点划线表示的位置上的电感器101的剖视图。
[0051]电感器101包括使绝缘性的基材层11?15层叠一体化而成的层叠体10。在该层叠体10，形成线圈导体、端子电极、以及连接线圈导体和端子电极的连接导体。
[0052 ] 绝缘性的基材层11?15例如为LCP树脂(液晶高分子)，在基材层11、12、13、14的下表面分别形成面内线圈导体21、22、23、24。在基材层12、13、14上分别形成层间线圈导体62、63、64。层间线圈导体62将面内线圈导体21、22的一端相互连接，层间线圈导体63将面内线圈导体22、23的一端相互连接，层间线圈导体64将面内线圈导体23、24的一端相互连接。图2中，虚线的圆表示与下层的层间线圈导体的连接位置。像这样，线圈导体由面内线圈导体21、22、23、24以及层间线圈导体62、63、64构成。
[0053]在基材层15的下表面分别形成第一端子电极31、第二端子电极32。另外，在该基材层15形成将在基材层14形成的面内线圈导体24的端部和第一端子电极31进行层间连接的层间连接导体41。即，连接导体中，连接面内线圈导体和第一端子电极31的部分由层间连接导体41构成。
[0054]在基材层11的下表面形成从面内线圈导体21连续的面内连接导体51。在基材层
12、13、14、15形成层间连接导体45、46、47、48。这些层间连接导体45?48连接面内连接导体51的端部和第二端子电极32。即，连接导体中，连接线圈导体(面内线圈导体21、22、23、24以及层间线圈导体62、63、64)和第二端子电极32的部分由面内连接导体51以及层间连接导体45?48构成。
[0055]像这样，线圈导体形成在多个基材层14?11上，在多个基材层11?15的层叠方向上，朝向逐渐远离形成所述端子电极的安装面的方向，一边环绕一边延伸。并且，连接导体中，连接第二端子电极32和线圈导体的部分，将线圈导体中，层叠方向上离安装面最远的部分和第二端子电极32连接。
[0056]如图2的双点划线包围的部分所示，俯视时(从基材层11?15的层叠方向观察)的线圈导体21?24、62?64的形成区域为矩形状。另外，俯视时，形成在多个基材层11?14上的面内线圈导体21?24，以矩形的相同路径环绕。该线圈导体的形成区域的第一边与第一端子电极31重叠。线圈导体的形成区域与第二端子电极32不重叠，与线圈导体的形成区域的第一边相对的第二边平行于第二端子电极32的长边方向。即，图2中的双点划线包围的部分表示的线圈导体的形成区域比第二端子电极32更靠近第一端子电极31。并且，从第一端子电极31到面内线圈导体24的路径长度(层间连接导体41的层方向长度)比从第二端子电极32到面内线圈导体21的路径长度(层间连接导体45?48的层方向长度以及面内连接导体51的长度)短。
[0057]上述结构能以如下方式换言之。经由层间连接导体41，以最短距离将俯视时与线圈导体21?24、62?64的形成区域重叠的第一端子电极31和与其在层方向上相邻的(上方紧邻的)面内线圈导体24连接。另一方面，经由层间连接导体45?48以及面内连接导体51，将第二端子电极32和形成在多个基材层上的面内线圈导体21?24中最上层的面内线圈导体21连接。
[0058]层间连接导体45?48被设置于在层叠方向延伸的直线上。因此，俯视时，所述“连接的部分”(面内连接导体51以及层间连接导体45?48)和第二端子电极32重叠的面积较小。
[0059]像这样，电位差较大的、第二端子电极32和线圈导体21?24的形成区域相互分离，因此图2中以电容器的电路符号表示的、第二端子电极32和线圈导体(21?24、62?64)之间产生的寄生电容较小。另外，由于第一端子电极31和面内线圈导体24的电位差较小，因此在它们之间产生的寄生电容也较小。另外，虽然希望在第一端子电极31和面内线圈导体23?21之间产生寄生电容，但这些面内线圈导体23?21重叠在第一端子电极31上，因此在面内线圈导体23?21和第一端子电极31之间产生的寄生电容也较小。例如，由于在面内线圈导体23和第一端子电极31之间存在面内线圈导体24，因此在面内线圈导体23和第一端子电极31之间产生的寄生电容减小。对于面内线圈导体22、21也同样。
[0060]所示电感器101的制造方法如下文所述。(I)将层压了Cu箔的LCP膜利用光刻进行图案化。(2)在层间连接导体41、45?48、62?64的形成位置上利用激光加工形成孔，在该孔填充含有Su、Cu、N1、Ag等的导电性糊料。(3)层叠各基材层，通过加热冲压使其一体化的同时，实现层间连接导体的硬化以及与Cu箔间的电导通。(4)分割为单片，得到各个贴片型电感器。
[0061 ]《第二实施方式》
[0062]图4是第二实施方式涉及的电感器102的分解平面图。与第一实施方式相比，层间连接导体41的形成位置不同。在基材层14形成面内线圈导体24以及辅助导体71。层间连接导体41与该面内线圈导体24和辅助导体71的连接部相导通。即，辅助导体71导通线圈导体(21?24、62?64)以及第一端子电极31双方。俯视时，辅助导体71被设置为与第一端子电极31重叠。另外，辅助导体71形成为在第一端子电极31的长边方向上延伸。另外，辅助导体71在一个端部与面内线圈导体24导通，但另一个端部由于开放(具有开放端)，因此不作为线圈导体的一部分发挥作用。其它部分的结构，与第一实施方式所示的电感器101相同。
[0063]根据本实施方式，辅助导体71与第一端子电极31为相同电位，因此希望在第一端子电极31和面内线圈导体23的一部分之间产生的寄生电容被辅助导体71屏蔽，抑制该寄生电容。另外，在辅助导体71和面内线圈导体23之间也产生寄生电容，但由于辅助导体71的整体与第一端子电极31为相同电位，因此在辅助导体71和面内线圈导体23之间产生的电容小于在第一实施方式中图2所示的面内线圈导体24-23之间产生的电容。
[0064]根据本实施方式，线圈导体的匝数略有减少，能进一步抑制寄生电容。
[0065]《第三实施方式》
[0066]图5是第三实施方式涉及的电感器103的分解平面图。该电感器103与第一、第二实施方式所示的电感器同样地，包括使绝缘性的基材层11?15层叠一体化而成的层叠体。在该层叠体，形成线圈导体、端子电极、以及连接线圈导体和端子电极的连接导体。
[0067]在基材层11、12、13、14、15的下表面分别形成面内线圈导体21、22、23、24、25。在基材层12、13、14、15上分别形成层间线圈导体62、63、64、65。层间线圈导体62将面内线圈导体21、22的一端相互连接，层间线圈导体63将面内线圈导体22、23的一端相互连接，层间线圈导体64将面内线圈导体23、24的一端相互连接，层间线圈导体65将面内线圈导体24、25的一端相互连接。像这样，线圈导体由面内线圈导体21、22、23、24、25以及层间线圈导体62、63、64、65构成。
[0068]在基材层15的下表面分别形成第一端子电极31、第二端子电极32。另外，在该基材层15形成在面内连接第一端子电极31和面内线圈导体25的端部的面内连接导体55。即，连接导体中，连接线圈导体和第一端子电极31的部分由面内连接导体55构成。
[0069]在基材层11的下表面形成从面内线圈导体21开始连续形成的面内连接导体51。在基材层12、13、14、15形成层间连接导体45、46、47、48。这些层间连接导体45?48连接面内连接导体51的端部和第二端子电极32。像这样，连接导体中，连接线圈导体和第二端子电极32的部分由面内连接导体51以及层间连接导体45?48构成。并且，从第一端子电极31到面内线圈导体25的路径长度(面内连接导体55的长度)比从第二端子电极32到面内线圈导体21的路径长度(层间连接导体45?48的层方向长度以及面内连接导体51的长度)短。
[0070]像这样，在基材层15的第一端子电极31以及第二端子电极32之间形成线圈导体的一部分。
[0071]根据本实施方式，由于能以较少的基材层增加线圈导体的匝数，因此能构成具有规定的电感值的小型电感器。
[0072]《第四实施方式》
[0073]图6是第四实施方式涉及的频带去除滤波器104的分解平面图。该频带去除滤波器104包括使绝缘性的基材层11?15层叠一体化而成的层叠体。该例子中所使用的是700MHz?5GHz这样的高频区域。由于高频区域中需要提高线圈的自谐振频率，因此基材层采用LCP等低介电常数材料。
[0074]本实施方式的频带去除滤波器104包含第一实施方式中图2所示的电感器101的结构，在层叠体附加形成了用于形成电容器的电极等。
[0075]由线圈导体21、22、23、24以及层间线圈导体62、63、64构成电感器，连接线圈导体和第二端子电极32的部分由面内连接导体51以及层间连接导体45?48构成等，与图1所示的电感器101相同。
[0076]在基材层12，形成从线圈导体22的中途引出的第一引出图案28a、28b。在基材层11，形成第二引出图案即面内连接导体51。俯视时，该面内连接导体51与第一引出图案28a重叠。由此，在第二引出图案即面内连接导体51和第一引出图案28a的相对部分构成电容器C2。如之后的电路图所示，第二引出图案51从比第一引出图案28a、28b更靠近电路上第二端子电极32的位置引出。
[0077]在基材层14，形成从线圈导体24的中途引出的第三引出图案26。另外，在基材层13形成导通第三引出图案26的第三引出图案27。俯视时，该第三引出图案26、27与第一引出图案28a重叠。由此，在第三引出图案27和第一引出图案28a相对的部分构成电容器Cl。如之后的电路图所示，第三引出图案26、27从比第一引出图案更靠近电路上第一端子电极31的位置引出。
[0078]在基材层13，形成与第二引出图案即面内连接导体51相连(导通)的第二引出图案29。另外，在基材层12形成从第一引出图案28a延伸的第一引出图案28b。俯视时，第一引出图案28b与第二引出图案29重叠。由此，在第一引出图案28b和第二引出图案29相对的部分构成电容器C3。
[0079]所述线圈导体形成在线圈导体形成区域ZU俯视时，第一引出图案28a、28b，第二引出图案51、29以及第三引出图案26、27形成在线圈导体的形成区域外Zs。
[0080]图7是图6所示的频带去除滤波器104的电路图。图6、图7中，标号[BI][B2] [Al][A2] [A3] [A4] [A5] [A6]表不电路各部分和导体图案各部分的对应关系。另外，如图6所不对电路元件的标号附加括号。像这样，由连续的线圈构成电感器Lla、Llb、L2，从线圈导体的中途引出第一、第二、第三引出图案，由它们相向构成电容器C1、C2、C3。
[0081]本实施方式中，由于特别采用低介电常数基板，因此为了确保较大电容，进行如下工序。
[0082](I)为了确保电感器LI的电感值，第三引出图案26从第四层的基材层14引出，但为了增大与第一引出图案28a之间的电容，在靠近第一引出图案28a的位置形成第三引出图案27，由层间连接导体66连接第三引出图案26和27。
[0083](2)通过使第二引出图案和第一引出图案在层叠方向上形成梳状，以较小的相对面积得到规定的电容。
[0084]另外，俯视时，第三引出图案26、27与第二端子电极32不重叠。因此，抑制在第二端子电极32和第三引出图案26、27之间产生的电容器(寄生电容)C4，在第一端子电极31和第二端子电极32之间等效连接的电容分量较少。
[0085]图7中，分别由电容器Llb以及电容器Cl构成第一LC并联谐振电路，由电感器L2以及电容器C2、C3构成第二 LC并联谐振电路。并且，利用该两个LC并联谐振电路得到频带去除特性。
[0086]图8(A)、8(B)是表示上述频带去除滤波器104的插入损耗的频率特性的模拟结果的图。图8(A)和图8(B)表示通过调整所述电容器Cl的电容和电容器(C2+C3)的合成电容所产生的特性变化。另外，图8(A)、8(B)中，特性ILl表示电容器C4的值较小的情况，特性IL2表示电容器C4的值较大的情况。
[0087]如图8(A)、8(B)所示，产生将所述第一LC并联谐振电路的谐振频率fl作为中心频率的第一截止频带，以及将第二 LC并联谐振电路的谐振频率f 2作为中心频率的第二截止频带。该例子中，由阴影表示插入损耗为规定值以下的截止频带。像这样，通过减小电容器C4的值，第一截止频带变宽。另外，通过调整电容器Cl和电容器(C2+C3)的值，能确定第一、第二截止频带。
[0088]《第五实施方式》
[0089]图9是第五实施方式涉及的频带去除滤波器105的分解平面图。该频带去除滤波器105是省略了第四实施方式中图6所示的第一引出图案28b以及第二引出图案29的例子。
[0090]图10是所述频带去除滤波器105的电路图。由于没有第一引出图案28b以及第二引出图案29，因此没有图7所示的电容器C3。
[0091]只要与电感器L2—起构成LC并联谐振电路的电容器的电容相对应，也可以像这样简化第二引出图案。
[0092]另外，绝缘性的基材层不限于LCP等树脂，也可为例如LTCC的电介质陶瓷或磁性体陶瓷。该情况下，在层叠基材层后，通过一体烧成，能在陶瓷多层基板上构成电感器。
[0093]标号说明
[0094]C1、C2、C3 电容器
[0095]C4电容器(寄生电容)
[0096]Lla、Llb、L2 电感器
[0097]Zs线圈导体形成区域外
[0098]Zt线圈导体形成区域
[0099]10层叠体
[0100]11?15基材层
[0101]21?25面内线圈导体
[0102]26,27第三引出图案
[0103]28a、28b第一引出图案
[0104]29第二引出图案
[0105]31第一端子电极
[0106]32第二端子电极
[0107]41、45?48层间连接导体
[0108]51面内连接导体(第二引出图案)
[0109]55面内连接导体
[0110]62?65层间线圈导体
[0111]71辅助导体
[0112]101?103电感器
[0113]104、105频带去除滤波器
【主权项】
1.一种电感器，其特征在于， 线圈导体、端子电极、以及连接所述线圈导体和所述端子电极的连接导体形成在多个基材层的层叠体上， 所述端子电极包含形成在共用的安装面上的第一端子电极以及第二端子电极， 所述线圈导体形成在多个所述基材层上， 俯视时，所述线圈导体的形成区域具有与所述第一端子电极重叠的部分，且与所述第二端子电极不重叠， 从所述第一端子电极到所述线圈导体的路径长度比从所述第二端子电极到所述线圈导体的路径长度短， 包括辅助导体，该辅助导体形成在所述线圈导体和所述第一端子电极之间，导通所述第一端子电极。2.如权利要求1所述的电感器，其特征在于， 所述线圈导体形成在所述多个基材层上，在所述多个基材层的层叠方向上，沿着逐渐远离形成所述端子电极的安装面的方向，一边环绕一边延伸， 所述连接导体包括连接所述第一端子电极和所述线圈导体的第一连接部分以及连接所述第二端子电极和所述线圈导体的第二连接部分，所述第二连接部分连接所述线圈导体中在所述层叠方向上离所述安装面最远的部分和所述第二端子电极。3.如权利要求1或2所述的电感器，其特征在于， 俯视时，形成在所述多个基材层上的所述线圈导体实质上环绕同一路径。4.如权利要求1或2所述的电感器，其特征在于， 俯视时，所述线圈导体的形成区域实质上为矩形状， 所述第一端子电极以及所述第二端子电极实质上为矩形状， 俯视时，所述线圈导体的形成区域的第一边与所述第一端子电极的长边方向重叠， 与所述线圈导体的形成区域的第一边相对的第二边平行于所述第二端子电极的长边方向。5.—种电感器，其特征在于， 线圈导体、端子电极、以及连接所述线圈导体和所述端子电极的连接导体形成在多个基材层的层叠体上， 所述端子电极包含形成在共用的安装面上的第一端子电极以及第二端子电极， 所述线圈导体形成在多个所述基材层上， 俯视时，所述线圈导体的形成区域具有与所述第一端子电极重叠的部分，且与所述第二端子电极不重叠， 从所述第一端子电极到所述线圈导体的路径长度比从所述第二端子电极到所述线圈导体的路径长度短， 所述线圈导体的一部分与所述端子电极形成在同一面上，且形成在所述第一端子电极以及所述第二端子电极之间。6.如权利要求5所述的电感器，其特征在于， 所述线圈导体形成在所述多个基材层上，在所述多个基材层的层叠方向上，沿着逐渐远离形成所述端子电极的安装面的方向，一边环绕一边延伸， 所述连接导体包括连接所述第一端子电极和所述线圈导体的第一连接部分以及连接所述第二端子电极和所述线圈导体的第二连接部分，所述第二连接部分连接所述线圈导体中在所述层叠方向上离所述安装面最远的部分和所述第二端子电极。7.如权利要求5或6所述的电感器，其特征在于， 俯视时，形成在所述多个基材层上的所述线圈导体实质上环绕同一路径。8.如权利要求5或6所述的电感器，其特征在于， 俯视时，所述线圈导体的形成区域实质上为矩形状， 所述第一端子电极以及所述第二端子电极实质上为矩形状， 俯视时，所述线圈导体的形成区域的第一边与所述第一端子电极的长边方向重叠，与所述线圈导体的形成区域的第一边相对的第二边平行于所述第二端子电极的长边方向。9.一种滤波器，其特征在于，包括: 电感器；以及与该电感器并联连接的电容器， 所述电感器中: 线圈导体、端子电极、以及连接所述线圈导体和所述端子电极的连接导体形成在多个基材层的层叠体上， 所述端子电极包含形成在共用的安装面上的第一端子电极以及第二端子电极， 所述线圈导体形成在多个所述基材层上， 俯视时，所述线圈导体的形成区域具有与所述第一端子电极重叠的部分，且与所述第二端子电极不重叠， 从所述第一端子电极到所述线圈导体的路径长度比从所述第二端子电极到所述线圈导体的路径长度短， 所述电容器，由以下结构构成: 第一引出图案，该第一引出图案从所述电感器的线圈导体的中途引出； 第二引出图案，该第二引出图案从比所述第一引出图案更靠近电路上所述第二端子电极的位置引出，形成为俯视时与所述第一引出图案重叠；以及 第三引出图案，该第三引出图案从比所述第一引出图案更靠近电路上所述第一端子电极的位置引出，形成为俯视时与所述第一引出图案重叠， 俯视时，所述第一引出图案、所述第二引出图案以及所述第三引出图案形成在所述线圈导体的形成区域外。10.如权利要求9所述的滤波器，其特征在于， 所述第二引出图案是连接所述第二端子电极和所述线圈导体的连接导体。11.如权利要求9或10所述的滤波器，其特征在于， 俯视时，所述第三引出图案与所述第二端子电极不重叠。
【文档编号】H01G4/40GK205680518SQ201490000926
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2014年8月11日 公开号201490000926.4, CN 201490000926, CN 205680518 U, CN 205680518U, CN-U-205680518, CN201490000926, CN201490000926.4, CN205680518 U, CN205680518U, PCT/2014/71145, PCT/JP/14/071145, PCT/JP/14/71145, PCT/JP/2014/071145, PCT/JP/2014/71145, PCT/JP14/071145, PCT/JP14/71145, PCT/JP14071145, PCT/JP1471145, PCT/JP2014/071145, PCT/JP2014/71145, PCT/JP2014071145, PCT/JP201471145
【发明人】用水邦明
【申请人】株式会社村田制作所