专利名称：消弧线圈阻尼电阻箱的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种消除电弧所应用的电阻箱，主要应用在 6 66KV配电网的电容电流补偿系统中，在电力系统的变电所、发电厂、矿山、 石化、钢铁等企业供电系统中的使用。
技术背景随着国民经济的不断发展和电力系统的不断完善，近些年城乡 电网的扩大及电缆出线的增多，系统对地电容电流急剧增加，单相接地后流经 故障点的电流较大，电弧不容易熄灭，容易产生间隙性弧光接地过电压。为了 安全不少电网采用了在中性点装设消弧线圈进行接地补偿。
在自动调节的消弧线圈装置中，为了取得最佳补偿效果，系统可能运行在 临界谐振状态，为防止系统位移电压超限，需要加装阻尼电阻，就阻尼谐振而 言，串并联电阻均有效果，目前国内广泛采用与消弧线圈直接串联的方法，简 称高压串联法。这种方法的不足之处是，在电网接地和接地消失的暂态转换过 程中， 一次测电压上万伏，阻尼电阻承受过电压和过电流，要求阻尼电阻的主 绝缘和匝间绝缘应有一定的强度和足够的热容量。制造工艺稍有不慎，可能导 致损坏。时有发生阻尼电阻烧毁的事故发生，严重影响了消弧线圈成套设备的 运行。
发明内容
发明目的本实用新型提供一种消弧线圈阻尼电阻箱，其目的在于提供一 套安全可靠的抑制消弧线圈串联谐振的阻尼电阻。
技术方案本实用新型是通过以下技术方案实现的
一种消弧线圈阻尼电阻箱，包括设置在箱体内的阻尼电阻本体和与其相连 的双向可控硅开关，其特征在于在箱体内还设有电压继电器和过电流继电器， 电压继电器和过电流继电器相串联，串联后的一端连接在双向可控硅开关的一 端，另一端连接在双向可控硅开关的控制端上；双向可控硅开关与阻尼电阻本 体相串联，双向可控硅开关的另一端连接在消弧线圈的一个端子上，电阻本体 的另一端连接在消弧线圈的另一个端子上。所述的电压继电器为双触点电压继电器相并联后，与过电流继电器相串联。
优点及效果
1、 更高的安全性；
由于本实用新型将阻尼电阻安装在消弧线圈的二次侧，采用可控硅投切阻 尼电阻本体，并有继电器双重保护，完全串联阻尼电阻存在的重大安全隐患。
2、 更好的阻尼效果；
在电网电容电流自动调谐的过程中，阻尼可调随线圈匝数正比改变，阻尼 率恒定不变，始终处于最佳的阻尼效果。
3、 使用维护方便；
由于本实用新型体积变小，内部结构简单明了，易于使用和检修。
图1是本实用新型的电路原理图； 图2是本实用新型箱体的外型图； 图3新老阻尼电阻连接关系的对比图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作近一步说明
为实现发明目的，本实用新型的主要思路是将阻尼电阻由一次侧串联接 入改为从消弧线圈二次辅助绕组间接接入，形成并联阻尼电阻方式。使阻尼电 阻受到的极限压降由上万伏变为300 400V，大大降低对电阻的强度要求。
具体做法是由阻尼电阻本体l、电压继电器ZJ、过电流继电器GL、双 向可控硅开关KS及消弧线圈L组成，其原理图如图l所示。
正常运行中双向可控硅开关KS在闭合状态，阻尼电阻本体R与消弧线圈 L并联，中性点位移电压由阻尼电阻本体R限制。当系统接地时，短路使双向 可控硅开关KS打开，阻尼电阻本体R退出运行。阻尼电阻作用为正常时防止 系统位移电压超限，电网发生接地故障时切除阻尼电阻。即在交、直流220 伏电源输入正常的情况下， 一旦发生接地故障，过电压保护ZJ或过流继电器 GL动作，将阻尼电阻退出，故障解除后，阻尼电阻重新接到回路中。
在实际的使用中，采用并联的电压继电器ZJ更能提高阻尼电阻箱的安全性。
图2是本实用新型的外形图，阻尼电阻本体l、双触点电压继电器ZJ、 过电流继电器GL、双向可控硅开关KS等设置在箱体内，通过外部的接线柱连 接到电网上。
图3中的a图是老阻尼电阻连接关系图，图3中的b图新阻尼电阻连接关 系图。从图中可以反应出老式阻尼电阻串联在消弧线圈一次侧电压高，易烧 毁，生产成本高。新型阻尼电阻串联在消弧线圈二次侧电压低，不易烧毁，阻 尼效果好，运行可靠，生产成本低。 下面介绍一下一般电阻选取的方法和步骤
A、 确定待补偿电网的自然不平衡度&， 一般小于2%;
B、 消弧线圈的一次侧开路，测量二次侧的电抗值^。 ^是消弧线圈二次绕组 对应的电抗，它等于消弧线圈一次侧开路时，二次侧的输入电抗，消弧线圈制 造完毕该值即确定。如果消弧线圈二次绕组的设计按照最大档位时(设该档位 的对应电抗是X^ ) 二次绕组电压为R，电流为/2 (该值对10KV电网目前取 电压300V，电流20A)， f/,为消弧线圈的额定电压(对应10kV电网为6062V)， 则z2的计算为X2 = (^/iV,,)2^, = ("2M)2X陋；
C、 取补偿电网的最大允许位移电压百分比&_=[/_/^=15%，"为补偿电 网阻尼率(一般可取0.05);
'""c/ wmax "
E、 不同电网的典型值如下(条件二次电压300V): 66KV电网消弧线圈0. 1 0. 5 欧姆；35KV为0. 2 1欧姆；IOKV为，10KV为0. 5~3欧姆；6KV为1 5欧姆；
F、 这里还应该考虑阻尼电阻的容量问题。例如，如果出现某种情况(如高阻 接地、谐振扰动等原因造成)下，中性点位移电压大于15%^小于接地动作整 定电压，存在如何保护消弧线圈二次绕组与阻尼电阻的问题。考虑到存在这种
情况，阻尼电阻的容量^及消弧线圈二次绕组的电流/2应满足下列关系 ;^(30%C/2)2A;(考虑到绕组的内阻抗问题，可以使^略小于该值)； /^30%"2/r2/& (考虑到绕组的内阻抗问题，可以使/2略小于该值，^为过 载系数， 一般取1.2);阻尼电阻的其他参数
A材料采用大功率耐高压的不锈钢电阻。
B阻尼电阻确保中性点电压小于15%相电压。
C阻尼电阻器对地绝缘电阻大于30MQ。
D当电网发生单相接地故障后，阻尼电阻器被可靠切除，接地故障消失时 立即投入运行。
E无需电源，双重保护，能够进行自检。
我们投切电阻选择利用更可靠的的双向可控硅。它无需电源，只要通过节 点控制其触发极就可以控制其关断和闭合。同时采用双触点电压继电器和过流 继电器互为后备保护，进行电阻接地时的保护，保证了阻尼电阻的安全运行。
权利要求1、一种消弧线圈阻尼电阻箱，包括设置在箱体(1)内的阻尼电阻本体(R)和与其相连的双向可控硅开关(KS)，其特征在于在箱体(1)内还设有电压继电器(ZJ)和过电流继电器(GL)，电压继电器(ZJ)和过电流继电器(GL)相串联，串联后的一端连接在双向可控硅开关(KS)的一端，另一端连接在双向可控硅开关(KS)的控制端上；双向可控硅开关(KS)与阻尼电阻本体(R)相串联，双向可控硅开关(KS)的另一端连接在消弧线圈(L)的一个端子上，阻尼电阻本体(R)的另一端连接在消弧线圈(L)的另一个端子上。
2、根据权利要求l所述的消弧线圈阻尼电阻箱，其特征在于所述的电压继电器(ZJ)为双触点电压继电器(ZJ)相并联后，与过电流继电器(GL)相串联。
专利摘要本实用新型提供一种消弧线圈阻尼电阻箱，包括设置在箱体内的电阻本体和与其相连的双向可控硅开关，其特征在于在箱体内还设有电压继电器和过电流继电器，电压继电器和过电流继电器相串联，串联后的一端连接在双向可控硅开关的一端，另一端连接在双向可控硅开关的控制端上；双向可控硅开关与阻尼电阻本体相串联，双向可控硅开关的另一端连接在消弧线圈的一个端子上，电阻本体的另一端连接在消弧线圈的另一个端子上。本实用新型的目的在于提供一套安全可靠的抑制消弧线圈串联谐振的阻尼电阻。它具有更高的安全性、更好的阻尼效果和使用维护方便等优点。
文档编号H02H9/00GK201282335SQ20082001566
公开日2009年7月29日 申请日期2008年9月16日 优先权日2008年9月16日
发明者欢 刘, 张新宇, 张晓秋, 毅 黄 申请人:东北电力科学研究院有限公司