专利名称：一种新型dc-dc变换器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种变换器，尤其涉及一种新型DC-DC变换器。
背景技术：
在目前雷达的前级组件中，大多数输入电源为发射电源的36V，要求输出最低20 多伏，最高接近36V。在这种情况下，如果采用传统的BUCK变换器，则在输出接近输入的情 况下，变换器的MOS管占空比将很高，变换器很难正常工作；如果采用传统的线性电源，在 输入远高于输出是情况下，损耗很大。
实用新型内容所要解决的技术问题针对以上问题本实用新型提供了一种在输入范围比较宽的情况下实现稳定的输 出，且变换器的损耗比较低的新型DC-DC变换器。技术方案一种新型DC-DC变换器包括LM5118，电容Cl、C2，MOSFET管Ql、Q2，快恢复二极管 D1、D2，电阻R1，电感Ll ；LM5118的HS与电容Cl的负极、快恢复二极管D1、M0SFET管Ql的S 极、电感Ll相连；电容Cl的正极与LM5118的HB相连；快恢复二极管Dl的另一端与LM5118 的CS相连，LM5118的CS还连有电阻R1，电阻Rl的另一端与LM5118的CSG相连，电阻Rl 与M5118的CSG相连端接大地；MOSFET管Ql的G极与LM5118的HO相连，MOSFET管Ql的 D极接输入端VIN ；电感Ll的另一端与快恢复二极管D2、M0SFET管Q2的D极相连；快恢复 二极管D2的另一端接输出端VOUT和电容C2的正极，电容C2的负极接大地；MOSFET管Q2 的G极与LM5118的LO相连，MOSFET管Q2的S极接大地。有益效果本实用新型实现了在输入范围比较宽(与输出相比)的情况下实现稳定的输出， 且变换器的损耗比较低。
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细地说明。如图1所示，一种新型DC-DC变换器包括LM5118，电容Cl、C2，MOSFET管Ql、Q2， 快恢复二极管Dl、D2，电阻Rl，电感Ll ；LM5118的HS与电容Cl的负极、快恢复二极管D1、M0SFET管Ql的S极、电感Ll相 连，电容Cl的正极与LM5118的HB相连；快恢复二极管Dl的另一端与LM5118的CS相连， LM5118的CS还连有电阻Rl，电阻Rl的另一端与LM5118的CSG相连，电阻Rl与M5118的CSG相连端接大地；MOSFET管Ql的G极与LM5118的HO相连，MOSFET管Ql的D极接输入 端VIN ；电感Ll的另一端与快恢复二极管D2、MOSFET管Q2的D极相连；快恢复二极管D2 的另一端接输出端VOUT和电容C2的正极，电容C2的负极接大地；MOSFET管Q2的G极与 LM5118的LO相连，MOSFET管Q2的S极接大地。 虽然本实用新型已以较佳实施例公开如上，但它 们并不是用来限定本实用新型， 任何熟悉此技艺者，在不脱离本实用新型之精神和范围内，自当可作各种变化或润饰，因此 本实用新型的保护范围应当以本申请的权利要求保护范围所界定的为准。
权利要求一种新型DC DC变换器，其特征在于包括LM5118，电容C1、C2，MOSFET管Q1、Q2，快恢复二极管D1、D2，电阻R1，电感L1；LM5118的HS与电容C1的负极、快恢复二极管D1、MOSFET管Q1的S极、电感L1相连；电容C1的正极与LM5118的HB相连；快恢复二极管D1的另一端与LM5118的CS相连，LM5118的CS还连有电阻R1，电阻R1的另一端与LM5118的CSG相连，电阻R1与M5118的CSG相连端接大地；MOSFET管Q1的G极与LM5118的HO相连，MOSFET管Q1的D极接输入端VIN；电感L1的另一端与快恢复二极管D2、MOSFET管Q2的D极相连；快恢复二极管D2的另一端接输出端VOUT和电容C2的正极，电容C2的负极接大地；MOSFET管Q2的G极与LM5118的LO相连，MOSFET管Q2的S极接大地。
专利摘要本实用新型涉及一种新型DC-DC变换器，LM5118的HS与电容C1的负极、二极管D1、MOSFET管Q1的S极、电感L1相连；电容C1的正极与LM5118的HB相连；二极管D1的另一端与LM5118的CS相连，LM5118的CS还连有电阻R1，电阻R1的另一端接大地并与LM5118的CSG相连；MOSFET管Q1的G极与LM5118的HO相连，MOSFET管Q1的D极接VIN；电感L1的另一端与二极管D2、MOSFET管Q2的D极相连；二极管D2的另一端接VOUT和电容C2的正极，电容C2的负极接大地；MOSFET管Q2的G极与LM5118的LO相连，MOSFET管Q2的S极接大地。
文档编号H02M3/137GK201766501SQ20102052250
公开日2011年3月16日 申请日期2010年9月7日 优先权日2010年9月7日
发明者周章洪, 张才清, 计建惠 申请人:中国电子科技集团公司第十四研究所