专利名称：电力变换装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电力变换装置，具备改善输入功率因数的电路，在将交流电变换为直流电之后，得到所期望的直流输出。
背景技术：
以往的电力变换装置具备对商用交流电源进行高功率因数控制而进行交流/直流变换的高功率因数转换器部、以及在其后级配置且通过变压器对初级侧和次级侧进行了绝缘的DC/DC转换器部，分别对绝缘了的主电池和副电池进行充电。在优先对主电池进行充电时，进行控制使得变压器初级侧的开关电路的占空比(duty ratio)成为恒定，并且使变压器次级侧的开关电路的占空比成为可变。在优先对副电池进行充电时，进行控制使得变压器初级侧以及次级侧的开关电路的占空比成为可变(例如，参照专利文献I)。
专利文献I :日本特开2008-118727号公报
发明内容
在上述以往的电力变换装置中，在对主电池、副电池进行充电时，对DC/DC转换器部的变压器次级侧开关电路的占空比进行控制、或者对变压器初级侧以及次级侧的开关电路的占空比进行控制。这样通过开关电路的占空控制(duty control)来进行得到所期望的直流输出的控制，因此占空比的变化幅度必然变大，在占空比低的期间电力损耗变大，电力损耗的降低有限度。本发明是为了解决如上所述那样的问题点而作出的，其目的在于，在具备改善输入功率因数的电路而将交流电变换为直流电之后得到所期望的直流输出的电力变换装置中，降低电力损耗而提闻电力变换效率。本发明所涉及的第I电力变换装置具备AC/DC转换器部，将交流电压变换为直流电压；平滑电容器，连接于所述AC/DC转换器部的直流侧；DC/DC转换器部，具备半导体开关元件，对所述平滑电容器的直流电进行DC/DC转换而连到负载；以及控制装置，控制所述AC/DC转换器部使得一边控制交流的功率因数一边使所述AC/DC转换器部的直流电压追踪目标值，并且通过所述半导体开关元件的占空控制来控制所述DC/DC转换器部使得所述DC/DC转换器部与所述负载之间的直流输入输出追踪指令值。并且，该控制装置根据所述DC/DC转换器部与所述负载之间的直流输入输出，来调整所述AC/DC转换器部的所述直流电压目标值。另外，本发明所涉及的第2电力变换装置具备AC/DC转换器部，将交流电压变换为直流电压；平滑电容器，连接于所述AC/DC转换器部的直流侧；DC/DC转换器部，具备半导体开关元件，对所述平滑电容器的直流电进行DC/DC转换而连到负载；以及控制装置，控制所述AC/DC转换器部使得一边控制交流的功率因数一边使所述AC/DC转换器部的直流电压追踪目标值，并且通过所述半导体开关元件的占空控制来控制所述DC/DC转换器部使得所述DC/DC转换器部与所述负载之间的直流输入输出追踪指令值。并且，该控制装置调整所述AC/DC转换器部的所述直流电压目标值，使得所述DC/DC转换器部内的所述半导体开关元件能够进行软开关。根据上述第I电力变换装置，控制装置根据DC/DC转换器部与负载之间的直流输入输出来调整AC/DC转换器部的直流电压目标值，因此能够恰当地控制DC/DC转换器部内的半导体开关元件的占空比来实现DC/DC转换器部中的电力损耗的降低，能够提高电力变
换效率。根据上述第2电力变换装置，调整AC/DC转换器部的直流电压目标值使得DC/DC转换器内的半导体开关元件能够进行软开关，因此能够降低DC/DC转换器内的半导体开关元件的开关损耗，能够实现DC/DC转换器部中的电力损耗的降低，提高电力变换效率。
图I是本发明的实施方式I的电力变换装置的结构图。 图2是对本发明的实施方式I的高功率因数转换器部的动作进行说明的各部分的波形图。图3是对本发明的实施方式I的高功率因数转换器部的动作进行说明的图。图4是对本发明的实施方式I的高功率因数转换器部的动作进行说明的图。图5是对本发明的实施方式I的高功率因数转换器部的动作进行说明的图。图6是示出本发明的实施方式I的高功率因数转换器部的控制的控制框图。图7是对本发明的实施方式I的DC/DC转换器部的动作进行说明的各部分的波形图。图8是本发明的实施方式I的DC/DC转换器部的控制框图。图9是对本发明的实施方式I的DC/DC转换器部的动作进行说明的平滑用电抗器的电流波形。图10是示出本发明的实施方式I的平滑电容器的目标电压的控制的控制框图。图11是本发明的实施方式I的其它例的电力变换装置的结构图。图12是本发明的实施方式I的其它例的DC/DC转换器部的控制框图。图13是本发明的实施方式I的第2其它例的高功率因数转换器部的结构图。图14是本发明的实施方式2的电力变换装置的结构图。图15是对本发明的实施方式2的DC/DC转换器部的零电压开关动作进行说明的图。图16是对本发明的实施方式2的DC/DC转换器部的零电压开关动作进行说明的图。图17是对本发明的实施方式2的DC/DC转换器部的零电压开关动作进行说明的图。图18是对本发明的实施方式2的DC/DC转换器部的零电压开关动作进行说明的图。图19是本发明的实施方式2的其它例的DC/DC转换器部的结构图。图20是对本发明的实施方式3的DC/DC转换器部的电力损耗进行说明的图。图21是示出本发明的实施方式3的平滑电容器的目标电压的控制的控制框图。
图22是本发明的实施方式4的DC/DC转换器部的结构图。图23是对本发明的实施方式4的DC/DC转换器部的零电流开关动作进行说明的波形图。图24是对本发明的实施方式4的DC/DC转换器部的控制进行说明的波形图。图25是本发明的实施方式5的电力变换装置的结构图。
具体实施例方式实施方式I.
下面，说明本发明的实施方式I。图I是表示本发明的实施方式I的电力变换装置的电路结构的图。如图I所示，电力变换装置的主电路具备作为AC/DC转换器部的高功率因数转换器部100，连接于交流电压源1，将输入交流的功率因数控制为高功率因数而将交流电压转换为直流电压；平滑电容器10，使高功率因数转换器部100的直流输出平滑；以及DC/DC转换器部200，将平滑电容器10的电压变换为通过变压器12进行了绝缘的次级侧直流电压。另外，DC/DC转换器部200的输出例如连接了电池等负载2。高功率因数转换器部100具备连接于交流电压源I而对输入交流进行全波整流的二极管桥3、在二极管桥3的后级经由电抗器4而串联连接的逆变器电路300、以及在逆变器电路300的后级串联连接由半导体开关元件构成的短路用开关8及二极管9而成的桥电路。逆变器电路300是将单相逆变器的交流侧串联连接一个以上(在这种情况下为一个)而构成的，其中，该单相逆变器包括由IGBT (InsulatedGate Bipolar Transistor :绝缘栅双极晶体管)等自消弧型半导体开关元件构成的半导体开关元件5a、5b和二极管6a、6b、以及由电容器构成的直流电压源7。另外，逆变器电路300的输出连接了使一端与二极管桥3的输出连接的短路用开关8、以及使阴极侧与输出侧的平滑电容器10连接的二极管9。DC/DC转换器部200具备绝缘了的变压器12 ;转换器部11，连接于该变压器12的初级侧，并通过由半导体开关元件Ilalld构成的全桥转换器而将平滑电容器10的直流电压变换为交流电压；以及作为整流电路的二极管桥13，连接于变压器12的次级侧。另外，二极管桥13的输出连接了输出平滑用的电抗器14和电容器15,向负载2输出直流电压。而且，在主电路的外部配置了作为控制装置的控制电路16，向高功率因数转换器部100内的半导体开关元件5a、5b以及短路用开关8输出驱动信号30a、30b以及向DC/DC转换器部200内的半导体开关兀件Ila^lld输出驱动信号30c。另外,平滑电容器10的电压Vdc由电压传感器17进行监视，电容器15的电压Vout由电压传感器18进行监视，直流电压源7的电压Vsub由电压传感器19进行监视，并输入到控制电路16。接着说明动作。首先，在高功率因数转换器部100中，通过二极管桥3对来自交流电压源I的输入进行全波整流，二极管桥3的后级的电压Vin、电流Iin成为如图2所示那样的波形。Vdc是被控制为作为一定的输出电压目标值的目标电压Vdc*的平滑电容器10的直流电压，通过电压传感器17而被检测。逆变器电路300以使来自交流电压源I的输入功率因数大约成为I的方式通过PWM控制来控制电流Iin并进行输出，将交流侧的产生电压重叠到二极管桥3后级的电压Vin0逆变器电路300内的电流如图3 图5所示那样，在半导体开关元件5a、5b断开时，通过二极管6a而对直流电压源7进行充电，并通过二极管6b而输出。另外，在只接通半导体开关元件5a时，电流通过半导体开关元件5a和二极管6b而输出。另外同样地，在只接通半导体开关兀件5b时，电流通过二极管6a和半导体开关兀件5b而输出。另外,在同时地接通半导体开关元件5a、5b时，通过半导体开关元件5a而使直流电压源7进行放电，并通过半导体开关元件5b而输出。通过这四种控制的组合来控制半导体开关元件5a、5b，从而对逆变器电路300进行PWM控制。将来自交流电压源I的输入电压相位设为Θ，并设电压Vin与平滑电容器10的目标电压Vdc*相等时的相位θ = Θ 2 (0〈 Θ 2〈 Ji/2),从相位Θ =0至规定相位Θ j (0<
将短路用开关8设为接通状态。在这种情况下，如图3所示，来自交流电压源I的电流以交流电压源I —二极管桥3 —电抗器4 —逆变器电路300 —短路用开关9 —二极管桥3 —交流电压源I的路径进行流动。短路用开关8是接通状态，因此在二极管9以及输出级的平 滑电容器10中不会流过电流。逆变器电路300通过PWM控制，例如将半导体开关元件5a、5b断开的情况和只接通半导体开关元件5a的情况进行组合而产生与电压Vin的反极性大致相等的电压，并且以使输入功率因数大约成为I的方式控制电流Iin并进行输出，在这个期间，能量被充电到逆变器电路300的直流电压源7。接着，在相位Q = Q1时，如果断开短路用开关8，则如图4所示，来自交流电压源I的电流以交流电压源I —二极管桥3 —电抗器4 —逆变器电路300 — 二极管9 —平滑电容器10 —二极管桥3 —交流电压源I的路径进行流动。在相位θ2时，逆变器电路300通过PWM控制，例如组合同时接通半导体开关元件5a、5b的情况和只接通半导体开关元件5a的情况而进行输出。此时，产生与Vdc*_Vin大致相等的电压使得平滑电容器10的直流电压Vdc能够维持为目标电压Vdc*，并且以使输入功率因数大约成为I的方式控制电流Iin并进行输出。在这个期间，逆变器电路300所产生的电压极性与电流Iin的极性相等，因此逆变器电路300的直流电压源7被放电。接着，在相位θ = Θ 2时，如果电压Vin与平滑电容器10的直流电压Vdc*相等，则短路用开关8继续断开状态，但是逆变器电路300中的动作发生变化。S卩，在相位Θ为θ2< Θ彡31/2时，如图5所示，来自交流电压源I的电流以交流电压源I —二极管桥3 —电抗器4 —逆变器电路300 — 二极管9 —平滑电容器10 —二极管桥3—交流电压源I的路径进行流动。另外，逆变器电路300通过PWM控制，例如组合断开半导体开关元件5a、5b的情况和只接通半导体开关元件5a的情况而进行输出。此时，平滑电容器10的目标电压Vdc* (电压Vin，逆变器电路300相对Vin的极性，反极性地产生与Vin-Vdc*大致相等的电压使得平滑电容器10的直流电压Vdc能够维持为目标电压Vdc*，并且以使输入功率因数大约成为I的方式控制电流Iin并进行输出。在这个期间，逆变器电路300所产生的电压极性与电流Iin的极性相反，因此逆变器电路300的直流电压源7被充电。如图2所示，在Ji/2彡Θ彡Ji的相位期间，进行与上述的O彡Θ ( /2的相位期间对称的动作，在π彡Θ彡2π的相位期间，与O彡Θ ( Ji的相位期间相同。
S卩，在来自交流电压源I的输入电压的相位Θ的零交叉相位(Θ =0、Ji ) ± Θ i，切换短路用开关8，只在以该零交叉相位为中央而土 Θ i的相位范围(下面，称为短路相位范围50)中，将短路用开关8设为接通状态而使平滑电容器10旁路。此时，逆变器电路300产生与电压Vin的反极性大致相等的电压，并且以使输入功率因数大约成为I的方式控制电流Iin并进行输出，直流电压源7被充电。并且，在短路相位范围50以外的相位中，逆变器电路300将平滑电容器10的直流电压Vdc维持为目标电压Vdc*，另外以使输入功率因数大约成为I的方式控制电流Iin并进行输出。此时，在电压Vin为平滑电容器10的目标电压Vdc*以下时，直流电压源7被放电，在电压Vin为目标电压Vdc*以上时，直流电压源7被充电。如果增大Θ i，则充电到直流电压源7中的能量增大，在之后的放电时，能够在高的电压区域的电压Vin中重叠产生电压，并且能够增大被放电的能量。因此，能够提高平滑电容器10的直流电压Vdc (目标电压Vdc*)。在O彡Θ彡Ji /2的相位期间，逆变器电路300的直流电压源7如上所述那样在 O彡θ ( Θ ^ Θ 2 ^ Θ ^ Ji/2的期间被充电、在Q1S θ ( Θ 2的期间被放电。接着，下面说明将平滑电容器10的直流电压Vdc维持为目标电压Vdc*、并且控制电流Iin使得输入功率因数大约成为I的详细内容。高功率因数转换器部100被如图6所示那样的控制块所控制。图6的(a)是表示逆变器电路300的控制的图，图6的(b)是表示桥电路的短路用开关8的控制的图。如图6的(a)所示，在逆变器电路300的控制中，进行反馈控制(PI控制)使得由电压传感器17检测出的平滑电容器10的直流电压Vdc与预先设定的平滑电容器的目标电压Vdc*之差51接近0，从而决定电流Iin的振幅目标值52。然后，根据该振幅目标值52而生成与电压Vin同步的正弦波的电流指令Iin*。接着,进行反馈控制(PI控制)使得电流指令Iin*与检测出的电流Iin之差53接近0，输出成为逆变器电路300的产生电压的目标值的电压指令54。此时，将短路用开关8的接通/断开切换时同步的前馈校正电压△ V进行相加来校正电压指令54。如上所述那样，如果将短路用开关8从接通切换为断开，则逆变器电路300的电容器7从充电切换为放电，如果短路用开关8从断开切换为接通，则电容器7从放电切换为充电。在该接通/断开切换时通过使用前馈控制，能够消除与反馈控制的响应时间相当量的控制延迟、以及在限流用的电抗器4的两端产生的电压。由此，能够缓和由短路用开关8的接通/断开引起的电流的急剧的变化。此外，前馈校正电压Λ V在将半导体开关元件8从接通设为断开时是正极性的电压，在将半导体开关元件8从断开设为接通时是负极性的电压。然后，使用校正后的电压指令55，通过PWM控制而生成向逆变器电路300的各半导体开关元件5a、5b的各驱动信号30a，使逆变器电路300进行动作。另一方面，如图6的(b)所示，在短路用开关8的控制中，对由电压传感器19检测出的逆变器电路300的电容器7的电压Vsub进行监视，使用以使电压Vsub与作为预先设定的电压指令值的直流电压源7的目标电压Vsub*之差56接近O的方式进行了反馈控制(PI控制)的输出57，通过PWM控制而生成向短路用开关8的驱动信号30b。由此，短路用开关8成为接通状态的相位、即短路相位范围50也被控制。
在这种短路用开关8的控制中，从目标电压Vsub*减去直流电压源7的电压Vsub而得到的电压值越高，短路用开关8的接通期间越长。因此，在电压Vsub由于过渡性的负载变动、交流电压源I的变动而变动了的情况下，也能够控制对直流电压源7进行充电的期间，能够将直流电压源7的电压Vsub控制为恒定。因而，在外部不需要另外的直流电压源，针对交流电压源I以及负载的过渡性的变化，也能够使逆变器电路300的直流电压源7的电压稳定，能够将逆变器电路300的直流母线电压保持为恒定，能够使高功率因数转换器部100稳定地进行动作。接着，下面说明DC/DC转换器部200的动作。在DC/DC转换器部200中，在构成变压器12的初级侧的转换器部11的半导体开关元件Ilalld中的半导体开关元件IlaUld同时接通的期间、和半导体开关元件IlbUlc同时接通的期间，在变压器12的初级侧产生电压，在次级侧传输电力。一般通过高频PWM动作来进行半导体开关元件Ilalld的开关，使半导体开关元件IlaUld同时接通的期间、 与半导体开关元件IlbUlc同时接通的期间相等。图7中示出当两个半导体开关元件IlaUld (或者lib、lie)同时接通时在变压器次级侧产生的电压、电流。如果设变压器12的初级侧绕组数为N1、次级侧绕组数为N2，则如图7所示，在两个半导体开关元件IlaUld (或者IlbUlc)同时接通的期间，在次级侧绕组中产生Vdc -N2ZN1的电压。于是，在平滑用电抗器14中流过在次级侧绕组中产生电压的期间增加并在之后减少的电流。此外，T是半导体开关元件Ilalld的开关周期，At是半导体开关元件IlaUld (或者IlbUlc)同时接通的接通时间，Ai是流过平滑用电抗器14的电流的增加量。此时，如果将平滑用电抗器14的电感设为L、将作为输出用的电容器15的电压的直流输出电压设为Vout，则下面的式(I)成立。[式I]
权利要求
1.一种电力变换装置，具备 AC/DC转换器部，将交流电压变换为直流电压； 平滑电容器，连接于所述AC/DC转换器部的直流侧； DC/DC转换器部，具备半导体开关元件，并对所述平滑电容器的直流电进行DC/DC转换而连到负载；以及 控制装置，控制所述AC/DC转换器部使得一边控制交流的功率因数一边使所述AC/DC转换器部的直流电压追踪直流电压目标值，并且通过所述半导体开关元件的占空控制来控制所述DC/DC转换器部使得所述DC/DC转换器部与所述负载之间的直流输入输出追踪指令值， 其中，所述控制装置根据所述DC/DC转换器部与所述负载之间的直流输入输出，来调整所述AC/DC转换器部的所述直流电压目标值。
2.根据权利要求I所述的电力变换装置，其中， 所述控制装置对所述AC/DC转换器部的所述直流电压目标值进行调整，使得所述DC/DC转换器部的所述半导体开关元件的占空比接近设定值。
3.根据权利要求I所述的电力变换装置，其中， 所述控制装置根据所述DC/DC转换器部与所述负载之间的直流输入输出指令值来决定所述AC/DC转换器部的所述直流电压目标值，使得所述DC/DC转换器部的所述半导体开关兀件的占空比成为最佳。
4.根据权利要求2所述的电力变换装置，其中， 所述控制装置运算向所述半导体开关元件的占空指令以使作为所述DC/DC转换器部与所述负载之间的直流输入输出的电压或者电流追踪所述指令值，根据所述占空指令对该半导体开关元件进行占空控制，运算所述AC/DC转换器部的所述直流电压目标值以使所述占空指令接近所述设定值，从而控制所述AC/DC转换器部。
5.根据权利要求广4中的任一项所述的电力变换装置，其中， 所述DC/DC转换器部具备 绝缘了的变压器； 转换器部，连接于该变压器的一端，具有多个所述半导体开关元件，将所述平滑电容器的直流电压变换为交流电压；以及 整流电路，连接于所述变压器的另一端。
6.根据权利要求广4中的任一项所述的电力变换装置，其中， 所述DC/DC转换器部构成为所述半导体开关元件能够进行软开关， 所述控制装置调整所述直流电压目标值使得所述DC/DC转换器部的所述半导体开关元件能够进行软开关，并使用所述半导体开关元件的软开关来控制所述DC/DC转换器部。
7.根据权利要求广4中的任一项所述的电力变换装置，其中， 所述AC/DC转换器部具备 逆变器电路，串联连接一个以上的由多个半导体开关元件和直流电压源形成的单相逆变器的交流侧而构成，将各所述单相逆变器的输出电压的总和重叠于所述交流电压；以及 桥电路，具有开关，连接于该逆变器电路。
8.根据权利要求7所述的电力变换装置，其中，所述控制装置控制所述桥电路使得所述逆变器电路的所述直流电压源的电压追踪指令值，并且使用电流指令来控制所述逆变器电路使得所述AC/DC转换器部的直流电压追踪所述直流电压目标值。
9.一种电力变换装置，具备 AC/DC转换器部，将交流电压变换为直流电压； 平滑电容器，连接于所述AC/DC转换器部的直流侧； DC/DC转换器部，具备半导体开关元件，并对所述平滑电容器的直流电进行DC/DC转换而连到负载；以及 控制装置，控制所述AC/DC转换器部使得一边控制交流的功率因数一边使所述AC/DC转换器部的直流电压追踪直流电压目标值，并且通过所述半导体开关元件的占空控制来控制所述DC/DC转换器部使得所述DC/DC转换器部与所述负载之间的直流输入输出追踪指令值， 其中，所述控制装置调整所述AC/DC转换器部的所述直流电压目标值，使得所述DC/DC转换器部内的所述半导体开关元件能够进行软开关。
10.根据权利要求9所述的电力变换装置，其中， 所述DC/DC转换器部具备 绝缘了的变压器； 转换器部，连接于该变压器的一端，具有多个所述半导体开关元件，将所述平滑电容器的直流电压变换为交流电压；以及 整流电路，连接于所述变压器的另一端， 所述转换器部具备 电容器，并联连接于各所述半导体开关元件；以及 电抗器，连接于交流线， 其中，所述控制装置调整所述AC/DC转换器部的所述直流电压目标值，使得所述DC/DC转换器部内的所述多个半导体开关元件进行零电压开关。
11.根据权利要求10所述的电力变换装置，其中， 所述控制装置根据流过所述电抗器的电流，来调整所述AC/DC转换器部的所述直流电压目标值。
12.根据权利要求9所述的电力变换装置，其中， 所述DC/DC转换器部具备 绝缘了的变压器； 转换器部，连接于该变压器的一端，具有多个所述半导体开关元件，将所述平滑电容器的直流电压变换为交流电压；以及 整流电路，连接于所述变压器的另一端， 所述转换器部具备 电容器，并联连接于各所述半导体开关元件；以及 电抗器，连接于交流线， 其中，所述控制装置调整所述AC/DC转换器部的所述直流电压目标值使得所述DC/DC转换器部内的所述多个半导体开关元件的电力损耗变小。
13.根据权利要求9所述的电力变换装置，其中， 所述DC/DC转换器部具备 绝缘了的变压器； 转换器部，连接于该变压器的一端，具有多个所述半导体开关元件，将所述平滑电容器的直流电压变换为交流电压；以及 整流电路，连接于所述变压器的另一端， 所述转换器部具备连接于交流线的电抗器和电容器的串联电路， 其中，所述控制装置调整所述AC/DC转换器部的所述直流电压目标值，使得所述DC/DC转换器部内的所述多个半导体开关元件进行零电流开关。
14.根据权利要求13所述的电力变换装置，其中， 所述控制装置决定占空比的设定值使得所述DC/DC转换器部的所述多个半导体开关元件进行零电流开关，并调整所述AC/DC转换器部的所述直流电压目标值使得所述多个半导体开关元件的占空比接近所述设定值。
15.根据权利要求扩14中的任一项所述的电力变换装置，其中， 所述AC/DC转换器部具备 逆变器电路，串联连接一个以上的由多个半导体开关元件和直流电压源形成的单相逆变器的交流侧而构成，将各所述单相逆变器的输出电压的总和重叠于所述交流电压；以及 桥电路，具有开关，连接于该逆变器电路。
16.根据权利要求15所述的电力变换装置，其中， 所述控制装置控制所述桥电路使得所述逆变器电路的所述直流电压源的电压追踪指令值，并且使用电流指令来控制所述逆变器电路使得所述AC/DC转换器部的直流电压追踪所述直流电压目标值。
全文摘要
电力变换装置具备将交流电压变换为直流电压的高功率因数转换器部(100)、平滑电容器(10)、DC/DC转换器部(200)以及控制电路(16)。控制电路(16)控制高功率因数转换器部(100)使得一边控制交流的功率因数一边使直流电压(Vdc)追踪目标值(Vdc*)，并且对半导体开关元件(11a~11d)进行占空控制使得从DC/DC转换器部(200)向负载(2)的直流电压(Vout)追踪指令值。然后控制电路(16)根据直流电压(Vout)来调整高功率因数转换器部(100)的直流电压目标值(Vdc*)使得半导体开关元件(11a~11d)的占空比接近设定值，使半导体开关元件(11a~11d)的占空比最佳化来降低电力损耗。
文档编号H02M3/28GK102918757SQ201080067139
公开日2013年2月6日 申请日期2010年11月30日 优先权日2010年5月31日
发明者山田正树, 近藤亮太, 小林亮祐, 金山隆志, 粟根和俊, 村上哲 申请人:三菱电机株式会社