专利名称：一种保护电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子设备电路领域，尤其涉及一种保护电路。
背景技术：
现代电子设备中，有一部分是通过交流信号控制的，一部分是通过直流信号控制的。一般在直流信号控制的电路中，都设有相应的保护电路，以防止过压、过流等对电路造成的不良影响。而在交流信号控制的电路中，缺乏有效的直流过压保护措施。当所述交流信号中夹杂有过压直流时，对电路造成很大的破坏。因此，如何设计一种在交流信号控制的电路中对直流过压进行保护、且成本较低的保护电路，是人们一直研究的热点问题。
实用新型内容本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，提供一种保护电路，不仅可以实现在交流信号控制的电路中对直流过压进行保护，同时，该保护电路结构简单、性能稳定、成本低。为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种保护电路，包括外部电源输入端，输出端Vout，以及连接于所述外部电源输入端与所述输出端之间的过压保护器件， 其中所述外部电源输入端包括外部电源输入端Vcc+和外部电源输入端地Vcc-；所述过压保护器件包括四个整流二极管D1、D2、D3、D4组成的桥式电路，所述桥式电路有两对平衡点，第一对平衡点为点1、点2，所述点1通过电阻R3连接所述外部电源输入端Vcc+、所述点2连接所述外部电源输入端地Vcc-，第二对平衡点为点3、点4，所述点3 和点4之间连接有电阻Rl和三极管Q2 ；所述三极管Q2的集电极通过电阻R2与三极管Ql的基极相连，所述三极管Ql的发射极连接所述输出端Vout，集电极接地。进一步的，所述电阻Rl的两端还分别连接滤波电容Cl、C2，所述滤波电容Cl、C2
的另一端接地。进一步的，所述整流二极管D1、D2、D3、D4为低阶压降的二极管，即压降为0.3V的
二极管。进一步的，所述整流二极管01、02、03、04为肖特基二极管。进一步的，所述电阻Rl的取值范围为2. I 10K，电阻R3的取值范围应该满足公式(Vcc-O. 6-VQ2be)/ (R3+R1) < IQ2be，电阻 R2 的取值范围应该满足公式(V。ut-VQ1。e_VQ2b。)/R2
〈I Q2be°进一步的，所述电容Cl取值范围为4. 7uF IOOuF ；电容C2取值范围为IOpF 1000pF。本实用新型实施例提供的保护电路，具有以下技术效果外部直流电通过桥式整流二极管电路、电阻Rl接入三极管Q2，通过三极管Q2的导通和关闭来控制三极管Ql的导通和关闭，以此来达到直流过压保护的目的。所述桥式整流二极管电路中的二极管Dl，D2，D3，D4选用肖特基二极管，使保护灵敏度更高。同时，该保护电路结构简单、性能稳定、成本低。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实用新型提供的保护电路实施例结构示意图。
具体实施方式
本实用新型实施例提供的保护电路，不仅可实现外部电源与备用电池切换过程中的无缝连接，同时，该保护电路结构简单、性能稳定、成本低。下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。参见图1，为本实用新型提供的保护电路实施例结构示意图，如图1所示，该保护电路，包括外部电源输入端，输出端Vout，以及连接于所述外部电源输入端与所述输出端之间的过压保护器件，其中所述外部电源输入端包括外部电源输入端Vcc+和外部电源输入端地Vcc-；所述过压保护器件包括四个整流二极管D1、D2、D3、D4组成的桥式电路，所述桥式电路有两对平衡点，第一对平衡点为点1、点2，所述点1通过电阻R3连接所述外部电源输入端Vcc+、所述点2连接所述外部电源输入端地Vcc-，第二对平衡点为点3、点4，所述点3 和点4之间连接有电阻Rl和三极管Q2 ；所述三极管Q2的集电极通过电阻R2与三极管Ql的基极相连，所述三极管Ql的发射极连接所述输出端Vout，集电极接地。具体的，所述外部电源输入端接交流信号控制电路的输入端，所述输出端Vout接交流信号控制电路的保护点，所述保护点可以是被保护部分的控制信号，也可以是电源部分的控制开关三极管的控制脚。保护电路工作原理如下当外部电源输入电压Vcc+为正时，二极管Dl正向导通，通过Dl的电流流经电阻 R1、三极管Q2流至二极管D3，二极管D3正向导通，通过二极管D3回到外部电源输入端地 Vcc-，形成一个闭合的回路。此时由于三极管Q2导通，导致三极管Ql导通，Ql导通对地放电，保护后面的电路。当外部电源输入电压Vcc+为负时，Vcc-相对为高电压，二极管D2正向导通，通过 D2的电流流经电阻Rl、三极管Q2流至二极管D4，二极管D4正向导通，通过二极管D4回到外部电源输入端地Vcc-，形成一个闭合的回路。
4[0028]此时由于三极管Q2导通，导致三极管Ql导通，Ql导通对地放电，保护后面的电路。优选的，所述电阻Rl的两端还分别连接滤波电容Cl、C2，所述滤波电容Cl、C2的
另一端接地。优选的，所述整流二极管D1、D2、D3、D4为低阶压降的二极管，即压降为0. 3V的二极管。进一步具体的，所述整流二极管D1、D2、D3、D4为肖特基二极管。优选的，在本实施例中，所述电阻Rl的取值范围为2.I 10K，电阻R3的取值范围应该满足公式(K.6-VQ2be)/ (R3+R1) < IQ2be，电阻R2的取值范围应该满足公式 (V0Ut"VQlce-VQ2bc)/R2 < I Q2be。电容Cl取值范围为4. 7uF IOOuF,电容C2取值范围为IOpF 1000pF。本实用新型实施例提供的保护电路，具有以下技术效果外部直流电通过桥式整流二极管电路、电阻Rl接入三极管Q2，通过三极管Q2的导通和关闭来控制三极管Ql的导通和关闭，以此来达到直流过压保护的目的。所述桥式整流二极管电路中的二极管Dl，D2，D3，D4选用肖特基二极管，使保护灵敏度更高。同时，该保护电路结构简单、性能稳定、成本低。以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。
权利要求1.一种保护电路，包括外部电源输入端，输出端Vout，以及连接于所述外部电源输入端与所述输出端之间的过压保护器件，其特征在于所述外部电源输入端包括外部电源输入端Vcc+和外部电源输入端地Vcc-；所述过压保护器件包括四个整流二极管D1、D2、D3、D4组成的桥式电路，所述桥式电路有两对平衡点，第一对平衡点为点1、点2，所述点1通过电阻R3连接所述外部电源输入端 Vcc+、所述点2连接所述外部电源输入端地Vcc-，第二对平衡点为点3、点4，所述点3和点 4之间连接有电阻Rl和三极管Q2 ；所述三极管Q2的集电极通过电阻R2与三极管Ql的基极相连，所述三极管Ql的发射极连接所述输出端Vout，集电极接地。
2.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述电阻Rl的两端还分别连接滤波电容C1、C2，所述滤波电容C1、C2的另一端接地。
3.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述整流二极管Dl、D2、D3、D4为低阶压降的二极管，即压降为0. 3V的二极管。
4.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述整流二极管Dl、D2、D3、D4为肖特基二极管。
5.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述电阻Rl的取值范围为2.^( 10K， 电阻R3的取值范围应该满足公式(Vee-O. 6-VQ2be)/ (R3+R1) < I02be,电阻R2的取值范围应该满足公式(v。ut-vQ1。e_vQ2b。)/R2 < I Q2be。
6.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述电容Cl取值范围为4.7uF IOOuF ；电容C2取值范围为IOpF IOOOpF。
专利摘要本实用新型实施例公开了一种保护电路，包括外部电源输入端，输出端Vout，以及连接于所述外部电源输入端与所述输出端之间的过压保护器件，其中，外部电源输入端包括外部电源输入端Vcc+和外部电源输入端地Vcc-；过压保护器件包括四个整流二极管D1、D2、D3、D4组成的桥式电路，桥式电路有两对平衡点，第一对平衡点为点1、点2，所述点1通过电阻R3连接所述外部电源输入端Vcc+、所述点2连接所述外部电源输入端地Vcc-，第二对平衡点为点3、点4，所述点3和点4之间连接有电阻R1和三极管Q2；三极管Q2的集电极通过电阻R2与三极管Q1的基极相连，三极管Q1的发射极连接所述输出端Vout，集电极接地。
文档编号H02H9/04GK202094624SQ20112015271
公开日2011年12月28日 申请日期2011年5月13日 优先权日2011年5月13日
发明者朱礼贵 申请人:日照鲁光电子科技有限公司