一种自恢复无触点综合保护装置制造方法

文档序号:7408271阅读:378来源:国知局
一种自恢复无触点综合保护装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种自恢复无触点综合保护装置,包括电源,与电源相连的电压采样器及漏电及过载检测器,其特征在于电压采样器、漏电及过载检测器分别与单片处理器相连,单片处理器还与大功率可控硅输出器相连。能更加准确地检测电路中出现的各种故障,减少火灾等事故的发生,并且使用无触点开关、稳定性好、使用寿命长,从而降低使用成本。具有对过压、欠压、漏电、过载进行延时输出保护,并且采用了无触点的大功率可控硅输出,性能比现在产品大有提升。
【专利说明】一种自恢复无触点综合保护装置

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种保护装置,尤其是一种在电网出现过压、欠压、漏电、过载断电又来电后,能自恢复且无触点的电路综合保护装置,属于电子产品【技术领域】。

【背景技术】
[0002]目前,在常见的过欠压自恢复保护器中,大多不具备漏电及过载保护功能,只能通过普通继电器进行开关控制。但普通继电器又存在触点易损坏、线圈易烧坏等问题,故需要经常更换、维护,不仅麻烦,而且费时费力,还要增加运行、维修成本,同时会因不能及时检测电路中的故障,而引发火灾等安全事故。因此,有必要对现有技术加以改进。


【发明内容】

[0003]本实用新型的目的就是为克服现有技术的上述不足,提供一种控制精度高,不存在线圈及触点损坏的情况,同时具有漏电、过载、过压、欠压保护的延时自恢复的无触点大功率综合保护装置。
[0004]本实用新型通过下列技术方案完成:一种自恢复无触点综合保护装置,包括电源,与电源相连的电压采样器及漏电及过载检测器,其特征在于电压采样器、漏电及过载检测器分别与单片处理器相连,单片处理器还与大功率可控硅输出器相连。
[0005]所述电源中的之间并联压敏电阻[3,火线I进线串接电阻815后,通过并联的电容⑶和电阻820接入桥式整流集成块的2脚,零线接的1脚,[2的4脚接地,3脚接三端稳压集成块的1脚,^2的3脚4脚之间并联稳压管03和电容010,的2脚接地,3脚和2脚之间并联电容011和012。
[0006]所述电压采样器中,二极管01正极串接电阻815接火线匕01负极串接电阻…后接电容02正极,02负极接地,三极管^、啦集电极串接电阻狀?四后与电源^⑶连接,同时串接电阻831、832后接型号为?1016?688的单片机VI的2脚、3脚,01、02发射极均接地。
[0007]所述漏电及过载检测器中,由漏电检测互感器1八1之间并接电阻町和电容后一脚接地,另一脚串接电阻87和二极管02后接三极管04的基极;电流检测互感器1八2之间并接电容⑶和可调电阻819后一脚接地,另一脚串接电阻814和二极管012接三极管03基极山3和04的集电极串接电阻811、[0与电源乂⑶连接,同时分别接型号为?1016?688的单片机VI的12脚、13脚山3和04的发射极均接地。
[0008]所述大功率可控硅输出器中,光电耦合集成块口4的1脚串接电阻816接入电源乂⑶,2脚接三极管06的集电极,06的基极与三极管07的集电极相连并经过电阻821接入电源肌06发射极与07基极相连并经电阻825与07发射极相连,07发射极与二极管二极管05正极相连,05负极接三极管08集电极,08基极串联电阻824、818接电源7(1:,08发射极接地,基极与发射极之间并联电阻830和电容?:13。
[0009]所述型号为?1016?688的单片机VI的1脚接电源乂⑶,14脚接地,2脚、3脚分别通过电阻831、832与电压采样器中的二极管01、02集电极相连,7脚串接电阻826和按钮82后接地,8脚、9脚、10脚分别串接电阻827、828、829和发光二极管04、06、07后接地,11脚接到大功率可控硅输出器中的电阻818和以4之间,12脚接漏电及过载检测器中的三极管03集电极,13脚接漏电及过载检测器中的三极管04集电极。
[0010]本实用新型具有下列优点和效果,采用上述方案,能更加准确地检测电路中出现的各种故障,减少火灾等事故的发生,并且使用无触点开关、稳定性好、使用寿命长,从而降低使用成本。具有对过压、欠压、漏电、过载进行延时输出保护,并且采用了无触点的大功率可控硅输出,性能比现在产品大有提升。

【专利附图】

【附图说明】
[0011]图1为本实用新型电路结构图。

【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本实用新型做进一步描述。
[0013]本实用新型提供的自恢复无触点综合保护装置,包括电源,与电源相连的电压采样器及漏电及过载检测器,其中:电压采样器、漏电及过载检测器分别与单片处理器相连,单片处理器还与大功率可控硅输出器相连,具体如下:
[0014]电源中的1、~之间并联压敏电阻813,火线I进线串接电阻815后,通过并联的电容⑶和电阻820接入桥式整流集成块的2脚,零线接的1脚,似的4脚接地,3脚接三端稳压集成块的1脚,的3脚4脚之间并联稳压管03和电容010,[3的2脚接地,3脚和2脚之间并联电容011和012。
[0015]电压采样器中,二极管01正极串接电阻815接火线匕01负极串接电阻83后接电容02正极,02负极接地,三极管01、02集电极串接电阻狀、四后与电源乂⑶连接,同时串接电阻尺31、尺32后接型号为?1016?688的单片机VI的2脚、3脚,01、02发射极均接地。
[0016]漏电及过载检测器中,由漏电检测互感器1八1之间并接电阻町和电容后一脚接地,另一脚串接电阻87和二极管02后接三极管04的基极;电流检测互感器1八2之间并接电容⑶和可调电阻[9后一脚接地,另一脚串接电阻814和二极管012接三极管03基极山3和04的集电极串接电阻[1310与电源乂⑶连接,同时分别接型号为?1016?688的单片机VI的12脚、13脚山3和04的发射极均接地。
[0017]大功率可控硅输出器中,光电耦合集成块口4的1脚串接电阻616接入电源乂⑶,2脚接三极管06的集电极,06的基极与三极管07的集电极相连并经过电阻821接入电源肌06发射极与07基极相连并经电阻825与07发射极相连,07发射极与二极管二极管05正极相连,05负极接三极管08集电极,08基极串联电阻824318接电源^(^,奶发射极接地,基极与发射极之间并联电阻830和电容?:13。
[0018]型号为?1016?688的单片机VI的1脚接电源7(1:,14脚接地,2脚、3脚分别通过电阻尺31332与电压采样器中的二极管01、02集电极相连,7脚串接电阻826和按钮52后接地,8脚、9脚、10脚分别串接电阻尺27、尺28、尺29和发光二极管04、06、07后接地,11脚接到大功率可控硅输出器中的电阻[8和以4之间,12脚接漏电及过载检测器中的三极管03集电极,13脚接漏电及过载检测器中的三极管04集电极。
[0019]在电源中,町3是压敏电阻,可有效防止在较高电压冲击时对整个电路的保护,交流电源通过电阻[5320及电容⑶组成的阻容降压后,由桥式整流集成块整流为直流,由稳压管03稳压在一定范围,电容010起滤波作用,三端稳压集成块[3及电容011X12所组成的稳压电路能为单片机仍提供稳定的电源。
[0020]在电压采样器中,线路经二极管01整后,电阻…降压及电容02滤波后,由电阻尺3及册分压,以供给采样三极管和02。电压正常情况下,基极电位低,不导通,集电极由于电阻四的上拉作用保持高电平,02基极电位高,02导通,电流流向发射极,集电极变为低电平,在电压高的情况下,01,02都导通,集电极电平都为低,电压高的情况下,01、02都不导通,都为高电平,这样的电平变化就可以供VI识别回路中的电压。
[0021]漏电及过载检测器中,1八1为零序互感器,两根回路线均穿过其中。只有当两根线上的电流不一致时才产生感应电流,电阻町为动作阀值调整电阻,二极管02为整流。当漏电电流达到一定值时,三极管04导通,集电极电平发生变化,单片机仍的10 口电平也随之变化。电流互感器1八2只有火线I穿过其中,当回路中电流变化时感应电流也随之发生变化。考虑到生产的方便,提供不同电流值的产品,故采用可调电阻来调整动作阀值。三极管03为电平控制,当导通时集电极电平变低,可直接控制单片机仍的10 口。
[0022]大功率可控硅输出器中,光电耦合集成块口4为过零电压双边可控硅驱动光耦,其型号为1003063,可以直接驱动大功率双向可控硅。由三极管06和07组成的恒流源,可以保证在电压波动时的正常工作。三极管08为控制开关,只有在08导通时,才导通,回路中才有输出。
[0023]单片控制器中,口1为8位单片微型计算机,其型号为?1?:16?688,负责对整个电路的控制和调整。发光二极管04、06、07为状态指示灯,可以用不同的状态来指示所检测到的冋题。
【权利要求】
1.一种自恢复无触点综合保护装置,包括电源,与电源相连的电压采样器及漏电及过载检测器,其特征在于电压采样器、漏电及过载检测器分别与单片处理器相连,单片处理器还与大功率可控硅输出器相连。
2.根据权利要求1所述的自恢复无触点综合保护装置,其特征在于所述电源中的1、^之间并联压敏电阻[3,火线I进线串接电阻815后,通过并联的电容⑶和电阻820接入桥式整流集成块的2脚,零线接的1脚,似的4脚接地,3脚接三端稳压集成块的1脚,口2的3脚4脚之间并联稳压管03和电容?:10,仍的2脚接地,3脚和2脚之间并联电容011 和 0120
3.根据权利要求1所述的自恢复无触点综合保护装置,其特征在于所述电压采样器中,二极管01正极串接电阻815接火线匕01负极串接电阻…后接电容02正极,02负极接地,三极管01、02集电极串接电阻狀、四后与电源乂⑶连接,同时串接电阻831、832后接型号为?1016?688的单片机VI的2脚、3脚,01、02发射极均接地。
4.根据权利要求1所述的自恢复无触点综合保护装置,其特征在于所述漏电及过载检测器中,由漏电检测互感器从1之间并接电阻町和电容后一脚接地,另一脚串接电阻尺7和二极管02后接三极管04的基极;电流检测互感器1八2之间并接电容⑶和可调电阻尺19后一脚接地,另一脚串接电阻814和二极管012接三极管03基极;03和04的集电极串接电阻[1310与电源连接,同时分别接型号为?1016?688的单片机的12脚、13脚;03和04的发射极均接地。
5.根据权利要求1所述的自恢复无触点综合保护装置,其特征在于所述大功率可控硅输出器中,光电耦合集成块口4的1脚串接电阻816接入电源脚接三极管06的集电极,06的基极与三极管07的集电极相连并经过电阻821接入电源7(1:,06发射极与07基极相连并经电阻以5与07发射极相连,07发射极与二极管二极管05正极相连,05负极接三极管08集电极,08基极串联电阻824、818接电源肌08发射极接地,基极与发射极之间并联电阻830和电容013。
6.根据权利要求1所述的自恢复无触点综合保护装置,其特征在于所述型号为?1016?688的单片机VI的1脚接电源14脚接地,2脚、3脚分别通过电阻尺31、尺32与电压采样器中的二极管01、02集电极相连,7脚串接电阻826和按钮52后接地,8脚、9脚、10脚分别串接电阻827、828、829和发光二极管04、06、07后接地,11脚接到大功率可控硅输出器中的电阻618和824之间,12脚接漏电及过载检测器中的三极管03集电极,13脚接漏电及过载检测器中的三极管04集电极。
【文档编号】H02H3/24GK204243723SQ201420405277
【公开日】2015年4月1日 申请日期:2014年7月22日 优先权日:2014年7月22日
【发明者】张旭, 杨金国 申请人:云南骁电电子科技有限公司
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