1.一种用于电阻抗断层成像的测量放大器(107)的主动式保护电路(1、77、79、89、91)，具有开关元件组件(3)，其中，所述开关元件组件(3)具有电极输入部(13)、输出部(15)和用于控制电压的至少一个控制输入部(17、75)，
其中，所述开关元件组件(3)的电极输入部(13)构造成与用于电阻抗断层成像的电极带(101)的电极(103)连接，
其中，所述开关元件组件(3)的输出部(15)构造成与电阻抗断层成像的测量放大器(107)连接，
其中，所述开关元件组件(3)如此构造，即，当在所述至少一个控制输入部(17、75)处存在的控制电压在第一电压范围中时，所述开关元件组件(3)形成在所述开关元件组件(3)的电极输入部(13)和所述开关元件组件(3)的输出部(15)之间的传导连接，并且当在所述至少一个控制输入部(17、75)处存在的控制电压在第二电压范围中时，所述开关元件组件(3)没有形成在所述开关元件组件(3)的电极输入部(13)和所述开关元件组件(3)的输出部(15)之间的传导连接，并且
其中，所述主动式保护电路(1、77、79、89、91)如此构造，即，当在所述电极输入部(13)处存在在断路范围中的电压时，在所述至少一个控制输入部(17、75)处存在的电压在第二电压范围中。
2.根据权利要求1所述的主动式保护电路(1、77、79)，其中，所述开关元件组件(3)的输出部(15)与所述开关元件组件的至少一个控制输入部(17、75)通过截止元件(19)连接，其中，所述截止元件(19)如此构造，即，仅当在所述开关元件组件(3)的输出部(15)处存在的电压在断路范围中时，在所述开关元件组件(3)的输出部(15)处存在的电压此时施加给控制输入部(17、75)。
3.根据权利要求2所述的主动式保护电路(1)，其中，所述主动式保护电路(1)具有与开关元件组件(3)并联的旁通电路(25)，该旁通电路使所述开关元件组件(3)的输入部(13)与所述开关元件组件(3)的输出部(15)连接，其中，所述旁通电路(25)如此构造，即，如果所述开关元件组件(3)没有形成在所述开关元件组件(3)的电极输入部(13)和所述开关元件组件(3)的输出部(15)之间的传导连接，在所述开关元件组件(3)的输出部(15)处存在在断路范围中的电压，并且在所述开关元件组件(3)的电极输入部(13)处存在的电压在高压范围中，其中，所述高压范围是所述断路范围的子区。
4.根据上述权利要求中任一项所述的主动式保护电路(1、89、91)，具有存储器电路(35)，其如此构造，即，当在所述电极输入部(13)处存在在断路范围中的电压时，在至少一个控制输入部(17、75)处持久存在在第二电压范围中的电压。
5.根据上述权利要求中任一项所述的主动式保护电路(1、77、79、89、91)，其中，所述开关元件组件(3)具有第一开关元件(5)，该第一开关元件具有输入部(7)、输出部(9)和控制输入部(11)，
其中，所述第一开关元件(5)的输入部(7)与所述开关元件组件(3)的电极输入部(13)连接，所述第一开关元件(5)的输出部(9)与所述开关元件组件(3)的输出部(15)连接，并且所述第一开关元件(5)的控制输入部(11)与所述开关元件组件(3)的至少一个控制输入部(17、75)连接，
其中，所述第一开关元件(5)如此构造，即，如果在所述第一开关元件(5)的控制输入部(11)处存在的控制电压在第一电压范围中，所述第一开关元件(5)形成在所述第一开关元件(5)的输入部(7)和所述第一开关元件(5)的输出部(9)之间的传导连接，并且如果在所述第一开关元件(5)的控制输入部(11)处存在的控制电压在第二电压范围中，所述第一开关元件(5)没有形成在所述第一开关元件(5)的输入部(7)和所述第一开关元件(5)的输出部(9)之间的传导连接，
其中，所述主动式保护电路(1、77、79、89、91)如此构造，即，如果在所述电极输入部(13)处存在超过预定的第一阈值的电压，在所述至少一个控制输入部(17、75)处存在的电压变换到第二电压范围中。
6.根据权利要求5所述的主动式保护电路(1、77、79、89、91)，其中，所述第一开关元件(5)为常关型n通道MOSFET，其具有漏极端子(7)、源极端子(9)和门极端子(11)，其中，所述漏极端子(7)形成所述第一开关元件(5)的输入部(7)，所述源极端子(9)形成所述第一开关元件(5)的输出部(9)，并且所述门极端子(11)形成所述第一开关元件(5)的控制输入部(11)。
7.根据权利要求2结合权利要求5或6所述的主动式保护电路(1，77、79)，其中，所述第一开关元件(5)的输出部(9)与所述第一开关元件(5)的控制输入部(11)通过所述截止元件(19)连接，其中，所述截止元件(19)如此构造，即，仅当在所述第一开关元件(5)的输出部(9)处存在的电压在断路范围中时，此时在所述第一开关元件(5)的输出部(9)处存在的电压存在于所述第一开关元件(5)的控制输入部(11)处，
其中，所述截止元件(19)有两个串联的Z二极管(21、23)形成，其中，每个Z二极管(21、23)具有导通方向和截止方向，并且其中，两个串联的Z二极管(21、23)如此连接，即，一个Z二极管(21)的导通方向相应于另一Z二极管(23)的截止方向。
8.根据权利要求3结合权利要求7所述的主动式保护电路(1)，其中，所述主动式保护电路(1)具有与所述开关元件组件(3)并联的旁通电路(25)，其使所述开关元件组件(3)的电极输入部(13)与所述第一开关元件(5)的输出部(9)连接，其中，所述开关元件组件(3)如此构造，即，如果所述第一开关元件(5)没有形成在所述开关元件组件(3)的电极输入部(13)和所述第一开关元件(5)的输出部(9)之间的传导连接，在所述第一开关元件(5)的输出部(9)处存在在断路范围中的电压，并且在所述开关元件组件(3)的电极输入部(13)处存在的电压在高压范围中，其中，旁通电路(25)具有至少一个高阻抗的电阻(27)。
9.根据权利要求4结合权利要求5至7中任一项所述的主动式保护电路(1、89、91)，具有存储器电路(35)，其如此构造，即，如果在所述电极输入部(13)处存在在断路范围中的电压，在所述第一开关元件(5)的控制输入部(11)处持久存在在第二电压范围中的电压，其中，所述存储器电路(35)通过触发器(35)形成。
10.根据权利要求5至9中任一项所述的主动式保护电路(1)，其中，所述开关元件组件具有至少两个控制输入部(17、75)和第二开关元件(69)，该第二开关元件具有输入部(71)、输出部(73)和控制输入部(75)，
其中，至少两个控制输入部(17、75)的第一控制输入部(17)与所述第一开关元件(5)的控制输入部(11)连接，
其中，所述第二开关元件(69)的输入部(71)与所述开关元件组件(3)的电极输入部(13)连接，所述第二开关元件(69)的输出部(73)与所述开关元件组件(3)的输出部(15)连接，并且所述第二开关元件(69)的控制输入部(75)与所述开关元件组件(3)的至少两个控制输入部(17、75)的第二控制输入部(75)连接，
其中，所述第一开关元件和所述第二开关元件(5，69)串联，其中，一个开关元件(5、69)的输入部(7、71)与另一开关元件(7、71)的输出部(9、73)连接，
其中，所述第二开关元件(69)如此构造，即，如果在所述第二开关元件(69)的控制输入部(75)处存在的控制电压在第三电压范围中，所述第二开关元件(69)形成在所述第二开关元件(69)的输入部(71)和所述第二开关元件(69)的输出部(73)之间的传导连接，并且如果在所述第二开关元件(69)的控制输入部(75)处存在的控制电压在第四电压范围中，所述第二开关元件(69)没有形成在所述第二开关元件(69)的输入部(71)和所述第二开关元件(69)的输出部(73)之间的传导连接，
其中，所述开关元件组件(3)如此构造，即，如果在所述电极输入部(13)处存在低于预定的第二阈值的电压，在所述第二开关元件(69)的控制输入部(75)处存在的电压变换到第四电压范围中。
11.根据权利要求10所述的主动式保护电路(1)，其中，所述第二开关元件(69)是p通道MOSFET(69)，具有漏极端子(71)、源极端子(73)和门极端子(75)，其中，所述漏极端子(71)形成所述第二开关元件(69)的输入部(71)，所述源极端子(73)形成所述第二开关元件(69)的输出部(73)，并且所述门极端子(75)形成所述第二开关元件(69)的控制输入部(75)。
12.根据上述权利要求中任一项所述的主动式保护电路(1、77、79、89、91)，其中，所述断路范围通过在40V和10V之间、优选地20V的电压下限来限定，并且从该电压下限呈现为接近无限开放区域。
13.根据上述权利要求中任一项所述的主动式保护电路(1、77、79、89、91)，其中，所述断路范围具有两个区段，其中，第一区段包括小于-10V、优选地小于-20V的总电压，并且第二区段包括大于10V、优选地大于20V的总电压。
14.一种用于电阻抗断层成像的电极带(101)，具有多个电极(103)和根据上述权利要求中任一项所述的多个主动式保护电路(105)，其中，每个电极(103)配有至少一个主动式保护电路(105)，并且每个主动式保护电路(105)配有仅仅一个电极(103)，并且其中，每个主动式保护电路(105)的开关元件组件的电极输入部与配给主动式保护电路(105)的电极(103)连接。