1.本发明提出一种高升压变比直流升压变换方法，其特征是：第一级升压电路的开关支路由低阈值MOS晶体管构成，同时该开关支路的工作受到关断信号控制，当输出电压低时该关断信号使得第一级开关支路正常工作，当输出电压高时该关断信号使得第一级开关支路关断；输出电压与预设参考电压作为差分对栅极的两个偏置电压，当输出电压改变时，差分对尾电流源中的电流在两个差分对中的电流分配关系改变，引起晶体管负载压降改变，晶体管的漏极所输出的关断信号电压随之变化，引起第一级开关支路通断状态的改变；第二级升压电路的开关支路由耐受电压高的高阈值电压MOS晶体管构成，第二级升压电路的开关支路的控制信号由电平移位电路产生，开关控制脉冲连接到电平移位电路输入端，电平移位电路输出端连接到第二级开关管的控制栅极，当输出电压在第一级升压电路作用下升高时，电平移位电路的输出电压升高，从而可以控制第二级开关支路高阈值电压开关MOS管的通断。
2.本发明提出一种高升压变比直流升压变换电路，其特征是：所述电路包括第一级升压电路110，第二级升压电路130，电平移位电路120，关断信号产生电路140。
3.权利要求2中的高升压变比直流升压变换电路中的第一级升压电路，其特征是：电感L1一侧与输入电压连接，另一侧与开关支路及二极管D1的正极连接；开关支路由两个晶体管M8与M9级联，其中晶体管M9的栅极连接开关控制脉冲信号，晶体管M9的漏极与晶体管M8的源极连接，晶体管M8的栅极与关断电路140输出的关断信号Vsw1连接，晶体管M8的漏极与电感L1和二极管D1的公共端连接；二极管D1的负极与输出电容C1和电阻RL的一个公共端连接，输出电容C1和电阻RL并联，另外一个公共端接地。
4.权利要求2中的高升压变比直流升压变换电路中的关断电路，其特征是：所述关断电路包括由晶体管M4与M5组成的差分对，M4与M5的源极与晶体管M6的漏极连接，M6为尾电流源；晶体管M2与M3的栅极和漏极短接，M2与M3的漏极接输入电压Vin，M4的栅极接输出电压Vout，M7的源极接地，M7的漏极与负载电阻R2连接，M2的源极与M7的负载电阻R2所连接的公共端的电压为为输出的关断信号VSW1，M5、M6、M7的栅极电压分别接偏置电压VB1、VB3、VB2。
5.权利要求2中的高升压变比直流升压变换电路中的第二级升压电路，其特征是：第二级升压电路包括电感L2，开关MOS晶体管M10，二极管D2，电容C2，电感L3；电感L2一侧与输入电压连接，另外一侧与开关MOS晶体管M10的漏极连接，晶体管M10的栅极与120电路中M1的漏极连接，M10的源极接地；二极管D2的正极与M10漏极连接，二极管D2的负极与电容C2连接，电感L3一侧与电容C2连接，另外一侧连接负载电阻RL。
6.权利要求中2的高升压变比直流升压变换电路中电平移位电路，其特征是：电平移位电路包括MOS晶体管M1与电阻R1，其中M1的栅极连接开关脉冲信号，电阻R1一侧与M1的漏极连接，电阻R1的另外一侧与升压电路的输出端连接。