1.一种用于IGBT控制的有源嵌位保护电路，其特征在于，包括输入端、第一输出端、第二输出端；
所述输入端与被控IGBT的集电极连接，第一输出端与被控IGBT的门极连接，第二输出端与被控IGBT关断控制电路的输入端连接；
还包括，由至少2个同向串接的稳压二极管组成的第一稳压二极管组，所述第一稳压二极管组与被控IGBT的集电极连接，其中的稳压二极管的负极为输入端，正极为输出端；
所述第一稳压二极管的输出端通过串接的第一二极管D1、第一电阻R1与被控IGBT的开关驱动电路输出端连接；
所述第一稳压二极管的输出端还通过第二二极管D2、第二电阻R2与第二NMOS管Q2的栅极连接；第二NMOS管Q2的源极接负压电源，漏极通过第三电阻R3与开关驱动电路的输入端连接。
2.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，还包括至少2个串接的稳压二极管组成的第二稳压二极管组以及第一NMOS管Q1，所述第二稳压二极管组中的稳压二极管负极为输入端，正极为输出端；所述第二稳压二极管组与所述第一NMOS管Q1并接；其输入端与第一稳压二极管组的输出端连接，其输出端与第一NMOS管Q1的源极连接；
所述第一NMOS管Q1的栅极与一延时电路的输出端连接，所述延时电路的输入端与被控IGBT的开关驱动电路输出端连接。
3.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述延时电路包括第一电容C1、第四电阻R4、第五电阻R5、第三二极管D3以及第一稳压二极管ZD1；
所述第三二极管D3和第一稳压二极管ZD1反向串接后与第四电阻R4并接；所述第一电容C1和第五电阻R5并接；
第一电容C1的一端同时与所述第三二极管D3的负极、第四电阻R4的一端以及第一NMOS管的栅极连接；
所述第一稳压二极管ZD1的负极及所述第四电阻R4的另一端与被控IGBT开关驱动电路的输出端连接。
4.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第二NMOS管Q2的栅极与所述负压电源之间还设置有门极保护电路，所述门极保护电路包括设置在第二NMOS管栅极和源极之间的第五电阻R5和第二稳压二极管ZD12、第三稳压二极管ZD13，其中，第二稳压二极管ZD12与第三稳压二极管ZD13反向串接后与第五电阻R5并接，第二第二稳压二极管ZD12的负极与第二NMOS管的栅极连接。