1.一种自适应死区电路，用于自适应调节死区时间，其特征在于：包括第一电阻、第二电阻、稳压二极管和光电耦合器；
第一电阻一端作为自适应死区电路的第一输入端，第一电阻的另一端与稳压二极管的负极连接，稳压二极管的正极与光电耦合器的发光二极管的正极连接；
光电耦合器的发光二极管的负极作为自适应死区电路的第二输入端，光电耦合器的发光二极管的负极与稳压二极管的负极之间并联第二电阻；
光电耦合器的光敏三极管的集电极连接电源，光电耦合器的光敏三极管的发射极作为自适应死区电路的输出端。
2.如权利要求1所述的自适应死区电路，其特征在于：所述电路还包括第三电阻，光电耦合器的光敏三极管的发射极通过第三电阻接地。
3.一种驱动电路，用于防止同一桥臂MOSFET同时导通，其特征在于：包括驱动脉冲发生电路、反相器、第一与门、第二与门、第一驱动电路、第二驱动电路、第一自适应死区电路和第二自适应死区电路；
其中，第一自适应死区电路和第二自适应死区电路为权利要求1或2所述的自适应死区电路；
驱动脉冲发生电路的输出端连接第一与门的一输入端，并经反相器反相后连接第二与门的一输入端；
第一自适应死区电路的第一输入端和第二输入端分别与第二MOSFET的漏极和源极连接，第一自适应死区电路的输出端连接第一与门的另一输入端；
第二自适应死区电路的第一输入端和第二输入端分别与第一MOSFET的漏极和源极连接，第二自适应死区电路的输出端连接第二与门的另一输入端；
第一与门的输出端连接第一驱动电路的输入端，第一驱动电路的输出端连接第一MOSFET的栅极；
第二与门的输出端连接第二驱动电路的输入端，第二驱动电路的输出端连接第二MOSFET的栅极。
4.如权利要求3所述的驱动电路，其特征在于：第一MOSFET的漏极接工作电源，第一MOSFET的源极与第二MOSFET的漏极连接，第二MOSFET的源极接地。