移动终端及快速充电电路的制作方法

本实用新型涉及移动终端技术领域，特别涉及一种移动终端及快速充电电路。

背景技术：

移动终端待机时间短、耗电快一直为广大消费者所诟病，在电池容量技术进步不大的情况下，替代方法是通过缩短充电时间，即采用快充技术来变相延长移动终端使用时间。然而，现有技术下的移动终端快速充电通过充电芯片实现。

在实施本实用新型实施例的过程中，实用新型人发现现有技术至少存在以下问题：

现有技术通过在移动终端安装充电芯片，从而实现移动终端的快速充电，这种快速充电方法成本过高。

技术实现要素：

为了解决现有技术的问题，本实用新型实施例提供了一种移动终端及快速充电电路。所述技术方案如下：

一方面，本实用新型提供了一种快速充电电路，包括：双极结型晶体管和N 型金属氧化物半导体晶体管；

所述双极结型晶体管与所述N型金属氧化物半导体晶体管并联；

所述双极结型晶体管包括集电极、发射极以及基极；

所述N型金属氧化物半导体晶体管包括漏极和栅极；

所述双极结型晶体管的集电极作为输出，用于为电池充电；所述双极结型晶体管的发射极接输入电压；所述双极结型晶体管的基极连接到所述N型金属氧化物半导体晶体管的漏极；所述N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接固定电压。

可选地，所述双极结型晶体管包括两个或者两个以上的PNP管；

所述两个或者两个以上的PNP管的集电极连在一起作为输出，用于为电池充电；两个或者两个以上的PNP管接输入电压；两个或者两个以上的PNP管的基极均连接到所述N型金属氧化物半导体晶体管的漏极。

可选地，所述双极结型晶体管包括至少三种状态信息；

所述状态信息包括：放大、截止、饱和。

另一方面，本实用新型提供了一种移动终端，包括所述快速充电电路。

可选地，所述移动终端为手机、平板电脑或智能穿戴装置。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

(1)通过并联双极结型晶体管PNP的方法将电流和热量分担到各个PNP 管，增强过流能力(即增大充电电流节省充电时间)并均衡发热量，实现快速充电；

(2)采用晶体管搭建的充电电路对比开关快充芯片有很大的低成本优势；

(3)通过并联双极结型晶体管PNP分流后使得充电发热问题得以改善，弥补了线性充电技术大电流充电发热严重问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例一提供的一种快速充电电路的模块示意图；

图2是本实用新型实施例一提供的一种快速充电电路的电路示意图；

图3是本实用新型实施例二提供的移动终端结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

实施例一

本实用新型实施例提供了一种快速充电电路，参见图1，所述快速充电电路10包括：双极结型晶体管100和N型金属氧化物半导体晶体管200；

所述双极结型晶体管100与所述N型金属氧化物半导体晶体管200并联；

所述双极结型晶体管100包括集电极、发射极以及基极；

所述N型金属氧化物半导体晶体管200包括漏极和栅极；

所述双极结型晶体管100的集电极作为输出，用于为电池充电；所述双极结型晶体管100的发射极接输入电压；所述双极结型晶体管100的基极连接到所述N型金属氧化物半导体晶体管200的漏极；所述N型金属氧化物半导体晶体管200的栅极连接固定电压。

具体地，双极结型晶体管100(Bipolar Junction Transistor，BJT)，即BJT 管，是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构。

N型金属氧化物半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor，NMOS)晶体管200，而拥有这种结构的晶体管称之为NMOS晶体管。MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS 组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。

可选地，所述双极结型晶体管100包括两个或者两个以上的PNP管；

所述两个或者两个以上的PNP管的集电极连在一起作为输出用于为电池充电；两个或者两个以上的PNP管接输入电压；两个或者两个以上的PNP管的基极均连接到所述N型金属氧化物半导体晶体管的漏极。

可选地，所述双极结型晶体管100包括至少三种状态信息；

所述状态信息包括：放大、截止、饱和三个状态。

本实施例中还提供了一种快速充电电路的电路图，参见图2，本实施例中， U1和U2两个PNP管发射极接输入电压VBUS；U1和U2两个PNP管的基极连接到NMOS晶体管Q1的漏极；NMOS晶体管Q1的栅极连接固定电压VDRV； U1和U2两个PNP管的集电极连接电池连接器J1(BATTERY CONNECTOR)；电池连接器J1的管脚1串联电流检测电阻R7到地；管脚2为电池的NTC脚用于检测电池温度；管脚3接VBAT正极作为电池电压的输入输出正极。电流检测电阻R7两端接CPU，通过该电阻两端的压差CPU可计算当前输出电流和电压同步实时显示手机图标电池容量。同理，电流检测电阻R4两端接CPU，电阻两端压差用于检测充电时输入电流大小和实时电池电压状态；HT1、HT2分别为伪差分节点，便于PCB布线；D1为ESD器件，反接到VBAT上用于静电和浪涌防护。

具体地，软件通过控制VDRV的电压改变NMOS晶体管Q1的漏极电流，从而实现对U1和U2两个PNP管的调节，调节的信息包含：放大、截至、饱和三个状态。在饱和状态下实现最大过流能力快速给电池充电。

本实施例中，U1和U2两个PNP管的型号分别为WPT2N41-8和TR；NMOS 晶体管Q1的型号为WNM4153。

具体地，在布板面积允许情况下可重复并联BJT和NMOS管来提高充电电流。

在本实施例中，电阻R1阻值为330KΩ，电阻R2阻值为39KΩ，电阻R3 阻值为1.5KΩ；电阻R4阻值为0.028Ω；电阻R5阻值为16.9Ω；电阻R6阻值为1KΩ；电阻R7阻值为0.01R；电容C1:1uF/16V；电容C2:22Uf。在其他实施例中，本领域技术人员可以根据具体需求，对元器件的参数做出修改，在此不再赘述。

实施例二

本实用新型实施例提供了一种移动终端，参见图3，所述移动终端1包括实施例一中所述的快速充电电路10。

可选地，所述移动终端1为手机、平板电脑或智能穿戴装置。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

(1)通过并联双极结型晶体管PNP的方法将电流和热量分担到各个PNP 管，增强过流能力(即增大充电电流节省充电时间)并均衡发热量，实现快速充电；

(2)采用晶体管搭建的充电电路对比开关快充芯片有很大的低成本优势；

(3)通过并联双极结型晶体管PNP分流后使得充电发热问题得以改善，弥补了线性充电技术大电流充电发热严重问题。

还需要说明的是，术语“包括”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的商品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种商品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的商品或者系统中还存在另外的相同要素。

上述说明示出并描述了本实用新型的若干优选实施例，但如前，应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文实用新型构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。