一种无功补偿节能装置的制作方法

本技术涉及电力节能技术领域，尤其涉及一种无功补偿节能装置。

背景技术：

目前，无功补偿的简称是无功补偿电源，是指为满足电力网和荷端电压水平及经济运行要求，须在电力网内和负荷端设置无功电源。电力系统的负载多数是电感性的，电力系统会消耗无功电力，使负载电流相位滞后于电压，相角差越大，无功电力需求就会相对增大，供给固定的有功功率，提高电流而产生的线路损耗。电力网络中所使用电设备消耗的无功功率，必须从网络中某个地方获得，如果由发电机提供并经过长距离传送这些无功功率是不合理的，通常也是不可能的。应该是在需要无功功率的地方产生无功功率。所以在配电系统里大多数都是使用电容器来补偿负载所需的无功功率，以改善功率因数，但是一些功率补偿装置容易发热，尤其时夏天，大大的影响了工作效率，因此亟需一种新型耐热的功率补偿装置。

技术实现要素：

本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种无功补偿节能装置。

为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：

一种无功补偿节能装置，包括壳体，所述壳体的底端内壁和顶端内壁上均通过螺栓固定有温度传感器，所述壳体两侧内壁底端均焊接有湿度传感器，所述壳体两侧内壁中间位置均焊接有控制器，所述壳体两侧壁上均开有通气口，且通气口的外侧通过螺栓固定有过滤罩，所述壳体的内部通过螺栓固定有电路板，所述电路板上从下倒上依次焊接有调节电抗器、电容器和固定电抗器，且调节电抗器、电容器和固定电抗器通过导线依次连接，所述壳体的顶端开有固定孔，且固定孔的内壁上焊接有排气扇，所述壳体底端排气扇的正上方焊接有排气管，且排气管上开有等距离分布的通孔，所述壳体的正面开有凹槽，且凹槽内卡接有观察窗，所述壳体正面观察窗的正下方通过螺栓固定有可控硅电子开关。

优选的，所述调节电抗器、电容器、固定电抗器和排气扇均连接在可控硅电子开关上，且可控硅电子开关连接在控制器上，控制器的型号为DATA-7311。

优选的，所述可控硅电子开关呈水平分布有一排，且可控硅电子开关的数量为一到十个。

优选的，所述排气管位于壳体的顶端，且排气管上的通孔呈圆形等距分布在排气管上。

优选的，所述通气口位于壳体的两侧，且通气口的数量为四到二十个。

优选的，所述温度传感器和湿度传感器均通过信号线与控制器连接。

本技术的有益效果为：该设备结构简单，节省电能，通过温度传感器的设置能够及时的探测出壳体中温度的变化，以此来通过控制器控制排气扇进行排气，给装置进行降温，通过通气口和过滤罩的设置能够加快空气的流通，且能够防止灰尘进入壳体中，保护零件的安全。

附图说明

图1为一种无功补偿节能装置的剖面结构示意图；

图2为一种无功补偿节能装置的立体结构示意图。

图中：1壳体、2温度传感器、3湿度传感器、4电路板、5调节电抗器、6电容器、7固定电抗器、8通气口、9过滤罩、10排气扇、11排气管、12通孔、13控制器、14可控硅电子开关、15观察窗。

具体实施方式

下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。

参照图1-2，一种无功补偿节能装置，包括壳体1，壳体1的底端内壁和顶端内壁上均通过螺栓固定有温度传感器2，壳体1两侧内壁底端均焊接有湿度传感器3，壳体1两侧内壁中间位置均焊接有控制器13，壳体1两侧壁上均开有通气口8，且通气口8的外侧通过螺栓固定有过滤罩9，壳体1的内部通过螺栓固定有电路板4，电路板4上从下倒上依次焊接有调节电抗器5、电容器6和固定电抗器7，且调节电抗器5、电容器6和固定电抗器7通过导线依次连接，壳体1的顶端开有固定孔，且固定孔的内壁上焊接有排气扇10，壳体1底端排气扇10的正上方焊接有排气管11，且排气管11上开有等距离分布的通孔12，壳体1的正面开有凹槽，且凹槽内卡接有观察窗15，壳体1正面观察窗15的正下方通过螺栓固定有可控硅电子开关14。

本技术，调节电抗器5、电容器6、固定电抗器7和排气扇10均连接在可控硅电子开关14上，且可控硅电子开关14连接在控制器13上，控制器13的型号为DATA-7311，可控硅电子开关14呈水平分布有一排，且可控硅电子开关14的数量为一到十个，排气管11位于壳体1的顶端，且排气管11上的通孔12呈圆形等距分布在排气管11上，通气口8位于壳体1的两侧，且通气口8的数量为四到二十个，温度传感器2和湿度传感器3均通过信号线与控制器13连接。

工作原理：使用时，通过温度传感器2和湿度传感器3进行探测壳体1中的温度和湿度变化，当温度或湿度过高时通过控制器13控制排气扇10进行排气，带动空气流动进行散热和祛湿，来提高电抗器5、电容器6和固定电抗器7的运行效率。

以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。