本实用新型涉及一种无极性输入电路，具体是一种减小导通压降的无极性输入电路。
背景技术：
一般无极性输入，是用二极管来实现，但是二极管正向压降一般有0.45V左右，流通的电流较大时，会有很大功耗，导致温度过高损坏器件，整机效率低。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种减小导通压降的无极性输入电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种减小导通压降的无极性输入电路，包括电阻R6、二极管D1、MOS管PM0和MOS管NM0，所述电阻R6的一端连接电阻R7、MOS管PM1的漏极和MOS管NM1的漏极，电阻R6的另一端连接电阻R0、二极管D5的阳极和MOS管PM0的栅极，电阻R7的另一端连接电阻R1、二极管D0的阴极和MOS管NM0的栅极，电阻R0的另一端连接电阻R1的另一端、MOS管PM2的漏极和MOS管NM2的漏极，MOS管PM0的漏极连接MOS管NM0的漏极、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5，电阻R2的另一端连接二极管D1的阴极和MOS管NM1的栅极，电阻R3的另一端连接二极管D2的阴极和MOS管NM2的栅极，电阻R4的另一端连接二极管D3的阳极和MOS管PM2的栅极，电阻R5的另一端连接二极管D4的阳极和MOS管PM1的栅极，二极管D3的阴极连接二极管D4的阴极、二极管D5的阴极、MOS管PM0的源极、MOS管PM1的源极和MOS管PM2的源极，二极管D0的阳极连接二极管D1的阳极、二极管D2的阳极、MOS管NM0的源极、MOS管NM1的源极和MOS管NM2的源极。
作为本实用新型的进一步技术方案：所述MOS管NM0、MOS管NM1和MOS管NM2均为NMOS管。
作为本实用新型的进一步技术方案：所述MOS管PM0、POS管NM1和POS管NM2均为PMOS管。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型减小导通压降的无极性输入电路用MOS管配合控制电路，压降根据MOS内阻决定，可以做的很低，解决压降过高产生的导通损耗。
附图说明
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，一种减小导通压降的无极性输入电路，包括电阻R6、二极管D1、MOS管PM0和MOS管NM0，所述电阻R6的一端连接电阻R7、MOS管PM1的漏极和MOS管NM1的漏极，电阻R6的另一端连接电阻R0、二极管D5的阳极和MOS管PM0的栅极，电阻R7的另一端连接电阻R1、二极管D0的阴极和MOS管NM0的栅极，电阻R0的另一端连接电阻R1的另一端、MOS管PM2的漏极和MOS管NM2的漏极，MOS管PM0的漏极连接MOS管NM0的漏极、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5，电阻R2的另一端连接二极管D1的阴极和MOS管NM1的栅极，电阻R3的另一端连接二极管D2的阴极和MOS管NM2的栅极，电阻R4的另一端连接二极管D3的阳极和MOS管PM2的栅极，电阻R5的另一端连接二极管D4的阳极和MOS管PM1的栅极，二极管D3的阴极连接二极管D4的阴极、二极管D5的阴极、MOS管PM0的源极、MOS管PM1的源极和MOS管PM2的源极，二极管D0的阳极连接二极管D1的阳极、二极管D2的阳极、MOS管NM0的源极、MOS管NM1的源极和MOS管NM2的源极。
MOS管NM0、MOS管NM1和MOS管NM2均为NMOS管。MOS管PM0、POS管NM1和POS管NM2均为PMOS管。
本实用新型的工作原理是：本实用新型减小导通压降的无极性输入电路用MOS管配合控制电路，压降根据MOS内阻决定，可以做的很低，解决压降过高产生的导通损耗。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。