1.一种用于高压充电电源逆变回路主开关IGBT的驱动电路，其特征在于：包括有PWM控制芯片SG3525、反向高速MOSFET驱动器、由电阻R1、二极管D1和二极管D2组成的钳位保护电路、由电阻R2、电阻R3、电阻R4、二极管D3和电容C1组成的分压触发电平形成网络、由MOS管T1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8和MOS管T2形成的推挽结构的触发电平输出电路、脉冲变压器Tr1、电容C2、电容C3、接口ST1和接口ST2，所述的PWM控制芯片SG3525的输出引脚连接反向高速MOSFET驱动器的输入引脚，所述的电阻R1和二极管D1并联，二极管D1负端接正电源电压，正端接二极管D2负端，二极管D2正端接地，电阻R1与二极管D1正端连接的一端连接反向高速MOSFET驱动器的输出引脚，电阻R2、电阻R3、电阻R4串联，其中电阻R2一端接正电源电压，电阻R4一端接负电源电压，电容C1和二极管D3并联于电阻R3两端，电容C1与二极管D3的负端连接的一端与反向高速MOSFET驱动器的输入引脚连接，电阻R5与电阻R6串联，电阻R7与电阻R8串联，MOS管T1的S极接正电源电压，G极接电阻R2和电阻R3的串联中心点，电阻R5和电阻R7均与MOS管T1的D极连接，MOS管T2的 S极接负电源电压，电阻R6与电阻R8均与MOS管T2的D极连接，MOS管T2的G极连接电阻R3与电阻R4的串联中心点，电阻R5、电阻R6的串联中点接至接口ST1和参考地形成一路输出；R7、R8的串联中点先接电容C2和脉冲变压器Tr1隔离，脉冲变压器的输出再经电容C3隔离后接至ST2形成一路隔离输出。
2.根据权利要求1所述的用于高压充电电源逆变回路主开关IGBT的驱动电路，其特征在于：所述的反向高速MOSFET驱动器的型号为UC3709。
3.根据权利要求1所述的用于高压充电电源逆变回路主开关IGBT的驱动电路，其特征在于：所述的MOS管T1为P型MOS管，MOS管T2为N型MOS管。