技术总结
本实用新型公开了一种用于高压充电电源逆变回路主开关IGBT的驱动电路，包括有PWM控制芯片SG3525、反向高速MOSFET驱动器、由电阻R1、二极管D1和二极管D2组成的钳位保护电路、由电阻R2、电阻R3、电阻R4、二极管D3和电容C1组成的分压触发电平形成网络、由MOS管T1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8和MOS管T2形成的推挽结构的触发电平输出电路、脉冲变压器Tr1、电容C2、电容C3、接口ST1和接口ST2。本实用新型利用两级驱动电路，大大减小了IGBT驱动信号的上升和下降沿时间，提高触发的稳定度；触发端同时提供一路脉冲变压器隔离的触发信号，可用于吸收等回路的同步触发。
技术研发人员：梁勖;黄御
受保护的技术使用者：深圳盛方科技有限公司
技术研发日：2018.06.29
技术公布日：2018.12.28